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单FET，MOSFET（（44971）

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IRFS7530TRLPBF	3.4100	RFQ	14	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS7530	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRF7524D1PBF	-	RFQ	3378	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	P通道	20 v	1.7A（TA）	2.7V，4.5V	270MOHM @ 1.2A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	8.2 NC @ 4.5 V	±12V	240 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
NVMFS5C430NWFT3G	-	RFQ	8753	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	185a（TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
SI3438DV-T1-E3	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3438	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	7.4A（TC）	4.5V，10V	35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 20 V	-	2W（ta），3.5W（TC）
IPB65R230CFD7AATMA1	3.7800	RFQ	9580	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	11A（TC）	10V	230MOHM @ 5.2A，10V	4.5V @ 260µA	23 NC @ 10 V	±20V	1044 PF @ 400 V	-	63W（TC）
IRFZ48VPBF	-	RFQ	2424	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	72A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	150W（TC）
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FQPF5P20	-	RFQ	5551	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	200 v	3.4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	38W（TC）
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DMPH6050SK3-13	0.6400	RFQ	9164	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMPH6050	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	7.2A（ta），23.6a tc）	4.5V，10V	50mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1377 PF @ 30 V	-	1.9W（TA）
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UPA2718GR-E1-AT	-	RFQ	2601	nec公司	*	大部分	过时的							-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2718GR-E1-AT-600049			1
BSC012N06NSATMA1	4.0200	RFQ	4419	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC012	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	36a（36a），306a（tc）	6V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	3.3V @ 147µA	143 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	214W（TC）
IPB100N06S3L-03	-	RFQ	7059	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	100A（TC）	5V，10V	2.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 230µA	550 NC @ 10 V	±16V	26240 pf @ 25 V	-	300W（TC）
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RJK2055DPA-00＃j0	-	RFQ	8430	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK2055	MOSFET （金属 o化物）	8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	20A（TA）	10V	69mohm @ 10a，10v	-	38 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 25 V	-	30W（TC）
DMT3004LFG-13	0.3350	RFQ	4833	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMT3004	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	10.4a（ta），25a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	+20V，-16V	2370 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
QS5U12TR	0.6700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U12	MOSFET （金属 o化物）	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	2A（TA）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.9 NC @ 4.5 V	±12V	175 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
STN1NF20	0.8400	RFQ	455	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	STN1NF20	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	200 v	1A（TC）	10V	1.5OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	5.7 NC @ 10 V	±20V	90 pf @ 25 V	-	2W（TA）
NTB23N03RG	-	RFQ	8978	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB23	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	25 v	23a（23A）	4.5V，10V	45mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	3.76 NC @ 4.5 V	±20V	225 pf @ 20 V	-	37.5W（TJ）
NTB18N06L	-	RFQ	8338	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB18	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	15A（TC）	5V	100mohm @ 7.5a，5v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±10V	440 pf @ 25 V	-	48.4W（TC）
SST214 SOT-143 4L	2.4448	RFQ	3	线性集成系统公司	SST214	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-143-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	n通道	20 v	50mA（TA）	5V，25V	50ohm @ 1mA，10v	1.5V @ 1µA		±40V		-	300MW（TA）
HUFA75645S3S	2.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	128	n通道	100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 pf @ 25 V	-	310W（TC）
auirlr014n	-	RFQ	9768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518258	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	55 v	10A（TC）	4.5V，10V	140MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 pf @ 25 V	-	28W（TC）
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ixta90n20x3	7.2912	RFQ	5620	ixys	Ultra X3	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta90	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta90n20x3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	90A（TC）	10V	12mohm @ 45a，10v	4.5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
NVMFS6B05NWFT3G	-	RFQ	2873	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	114a（TC）	10V	8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±16V	3100 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），165W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²