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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFSL4610	-	RFQ	8877	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL461	MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL4610	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IPD052N10NF2SATMA1	1.9900	RFQ	8700	Infineon技术	strongirfet™2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	17a（17A），118a（tc）	6V，10V	5.2MOHM @ 70A，10V	3.8V @ 84µA	76 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 50 V	-	（3w（ta），150w（tc）
SIA462DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA462	MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SC-70-6单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
irlr014tr	-	RFQ	1152	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR014	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	7.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FQP7N65C	-	RFQ	4546	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP7	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1245 PF @ 25 V	-	160W（TC）
PSMN004-60P，127	-	RFQ	7318	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN0	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	75A（TC）		3.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	168 NC @ 10 V		8300 PF @ 25 V	-	-
IRF7476	-	RFQ	5726	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n通道	12 v	15A（TA）	2.8V，4.5V	8mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V	2550 pf @ 6 V	-	2.5W（TA）
AON6354	0.2817	RFQ	4094	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon63	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	83A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 15 V	-	36W（TC）
IRL7486MTRPBF	2.5900	RFQ	4	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我	IRL7486	MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距我	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道	40 V	209a（TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 123A，10V	2.5V @ 150µA	111 NC @ 4.5 V	±20V	6904 PF @ 25 V	-	104W（TC）
IPP075N15N3GXKSA1	5.9100	RFQ	9513	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP075	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	150 v	100A（TC）	8V，10V	7.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	5470 pf @ 75 V	-	300W（TC）
RDN100N20	-	RFQ	7167	Rohm半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RDN100	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	200 v	10a（10a）	10V	360MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	543 pf @ 10 V	-	35W（TC）
DN3135N8-G	0.8100	RFQ	4741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3135	MOSFET （金属 o化物）	TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	350 v	135mA（tj）	0V	35ohm @ 150mA，0v	-		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.3W（TA）
IRF3415STRRPBF	-	RFQ	3737	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001561524	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	43A（TC）	10V	42mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BSP100,135	1.0000	RFQ	2686	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
RTL030P02TR	0.8500	RFQ	425	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RTL030	MOSFET （金属 o化物）	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 3A，4.5V	2V @ 1mA	8 NC @ 4.5 V	±12V	760 pf @ 10 V	-	1W（ta）
IRFH8324TRPBF	0.9000	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH8324	MOSFET （金属 o化物）	PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	23A（23A），90A （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.35V @ 50µA	31 NC @ 10 V	±20V	2380 pf @ 10 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
AOL1482	0.4763	RFQ	3785	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	3-PowersMD，平坦的铅	AOL14	MOSFET （金属 o化物）	Ultraso-8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	4.5a（ta），28a （TC）	4.5V，10V	37mohm @ 10a，10v	2.7V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 50 V	-	1.9W（ta），75W（tc）
SFU9024TU	-	RFQ	7397	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	P通道	60 V	7.8A（TC）	10V	280mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
IPT60R105CFD7XTMA1	5.9900	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R105	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	24A（TC）	10V	105mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	140W（TC）
IRF1010ZL	-	RFQ	9312	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1010ZL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
FDMS8888	-	RFQ	5621	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS88	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	13.5A（TA），21a （TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13.5A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI5449DC-T1-GE3	-	RFQ	9950	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5449	MOSFET （金属 o化物）	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	3.1a（ta）	2.5V，4.5V	85mohm @ 3.1a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
TPH3205WSBQA	21.9300	RFQ	4	移动	汽车，AEC-Q101	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TPH3205	ganfet（n化岩）	TO-247-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	35A（TC）	10V	62mohm @ 22a，8v	2.6V @ 700µA	42 NC @ 8 V	±18V	2200 PF @ 400 V	-	125W（TC）
BUK6D30-40EX	0.4300	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	buk6d30	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	6a（6A），18A（tc）	4.5V，10V	30mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	440 pf @ 20 V	-	2W（TA），19W（tc）
BSS138-7-F-52	0.0377	RFQ	2817	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载		（1 （无限）		31-BSS138-7-F-52	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	50 V	200ma（ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
IRLZ24NSTRR	-	RFQ	5951	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
SI4480DY-T1-E3	-	RFQ	5504	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4480	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	6a（6a）	6V，10V	35mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA（）	50 NC @ 10 V	±20V		-	2.5W（TA）
AON6528	-	RFQ	2352	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON652	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1037 PF @ 15 V	-	25W（TC）
IRFPC40pbf	3.6800	RFQ	493	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC40	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC40PBF	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	6.8A（TC）	10V	1.2OHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RJK0358DPA-00＃j0	0.8900	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²