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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
BUK6217-55C，118	-	RFQ	9408	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	n通道	55 v	44A（TA）		19mohm @ 12a，10v	2.8V @ 1mA	33.8 NC @ 10 V	±16V	1950 pf @ 25 V	-	80W（TA）
IXTP70N075T2	2.7700	RFQ	57	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP70	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	70A（TC）	10V	12mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2725 PF @ 25 V	-	150W（TC）
R6006KND3TL1	2.1700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6006	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	6A（TC）	10V	830mohm @ 3a，10v	5.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	70W（TC）
AON6760	-	RFQ	9369	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon67	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	28a（28a），36a （TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±12V	3440 pf @ 15 V	-	5W（5W），39W（tc）
IPA083N10N5E8191XKSA1	-	RFQ	7597	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPA083			-					过时的		1
BUK664R6-40C，118	0.4400	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk66			-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	800
IRL60S216	-	RFQ	5385	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL60S216	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	15330 PF @ 25 V	-	375W（TC）
PSMN057-200B，118	2.9300	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN057	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	39A（TC）	10V	57mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	96 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	250W（TC）
MMFT960T1	-	RFQ	8581	Onmi	*	（CT）	过时的				mmft96			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000
SQD50P06-15L_T4GE3	1.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SQD50P06-15L_T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15.5mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5910 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRFI1010NPBF-IR	-	RFQ	9807	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB全盘	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	49A（TC）	10V	12mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	58W（TC）
STB80NF55-08AG	3.0600	RFQ	7227	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB80	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	3740 pf @ 15 V	-	300W（TC）
SKP202VR	-	RFQ	1524年	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKP202	MOSFET （金属 o化物）	TO-263	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SKP202VR DK	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	45A（TA）	10V	53mohm @ 20a，10v	4.5V @ 1mA		±30V	2000 pf @ 25 V	-	95W（TC）
IRFR3504ZTRRPBF	-	RFQ	6618	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	n通道	40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
IPW65R420CFDFKSA1	2.1925	RFQ	7026	Infineon技术	coolmos™	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R420	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240	n通道	650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 340µA	32 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
FQB10N20TM	-	RFQ	2197	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	200 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	-
IXFV12N80P	-	RFQ	1605	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV12	MOSFET （金属 o化物）	加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	12A（TC）	10V	850MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 2.5mA	51 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
AOW11S60	1.1876	RFQ	1941年	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	AOW11	MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	11A（TC）	10V	399MOHM @ 3.8A，10V	4.1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	545 pf @ 100 V	-	178W（TC）
NTMFS4841NHT3G	-	RFQ	3337	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	8.6a（ta），59a（tc）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 11.5 V	±20V	2113 PF @ 12 V	-	870MW（TA），41.7W（tc）
SSM6J50TU，LF	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J50	MOSFET （金属 o化物）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	2.5a（ta）	2V，4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 200µA		±10V	800 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
APT58M80J	65.9400	RFQ	6902	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT58M80	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	800 v	60a（TC）	10V	110MOHM @ 43A，10V	5V @ 5mA	570 NC @ 10 V	±30V	17550 pf @ 25 V	-	960W（TC）
BUK963R1-40E，118	-	RFQ	7180	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk963	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	100A（TC）	5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	69.5 NC @ 5 V	±10V	9150 PF @ 25 V	-	234W（TC）
SISS27DN-T1-GE3	0.8400	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS27	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 15 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI3139KL-TP	-	RFQ	1458	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SI3139	MOSFET （金属 o化物）	SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	20 v	680mA（TJ）	4.5V	700MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA		±12V	170 pf @ 6 V	-	100MW
NVTFS016N06CTAG	1.2800	RFQ	4378	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS016	MOSFET （金属 o化物）	8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	8a（8a ta），32a （TC）	10V	16.3mohm @ 5A，10V	4V @ 25µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	489 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），36W（tc）
NTGS4111PT2G	-	RFQ	7977	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	NTGS41	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 3.7a，10v	3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	630MW（TA）
SFR2955TF	0.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	60 V	7.6A（TC）	10V	300MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
BSC900N20NS3GATMA1	2.0600	RFQ	4721	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC900	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	200 v	15.2A（TC）	10V	90MOHM @ 7.6A，10V	4V @ 30µA	11.6 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
GSFN3908	0.4500	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	n通道	30 V	48A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TC）
IXTH48N20T	-	RFQ	6616	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth48	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	200 v	48A（TC）		-	-				-	275W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²