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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irfu3303pbf	-	RFQ	3503	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
2SK1460L	-	RFQ	7334	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FI（LS）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK1460LS-488			1	n通道	900 v	3.5A（ta）	10V	3.6ohm @ 2a，10v	3V @ 1mA		±30V	700 pf @ 20 V	-	2W（TA），40W（TC）
PJQ5458A_R2_00001	0.2323	RFQ	5874	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5458	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5458A_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	4.4A（TA），16a （TC）	4.5V，10V	50mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	815 pf @ 15 V	-	（2W）（27W）（27W）TC）
MCAC10H04Y-TP	-	RFQ	4242	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC10	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件			353-MCAC10H04Y-TP	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	5059 pf @ 20 V	-	80W（TC）
SIHB6N80AE-GE3	2.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB6N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
BUK6207-55C，118	-	RFQ	1122	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	90A（TC）	10V	7.8mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	5160 pf @ 25 V	-	158W（TC）
HUF76121S3S	0.7000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BUK661R9-40C，118	3.4200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk661	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	260 NC @ 10 V	±16V	15100 PF @ 25 V	-	306W（TC）
SI8824EDB-T2-E1	0.4300	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8824	MOSFET （金属 o化物）	4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	2.1a（ta）	1.2V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±5V	400 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
NE5550279A-T1A-A	3.9100	RFQ	40	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
Auirfr4104trl	1.4700	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	40 V	42A（TC）		5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V		2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
3SK317ZR-TL-E	0.2200	RFQ	457	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
YJS4407A	0.1510	RFQ	400	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJS4407ATR	Ear99		4,000
HUFA76419D3S	-	RFQ	2641	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FQU13N10TU	-	RFQ	1271	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道	100 v	10A（TC）	10V	180MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
SI4630DY-T1-E3	2.0000	RFQ	8741	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4630	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±16V	6670 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
BUK7C08-55AITE，118	-	RFQ	2415	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	116 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	电流感应	272W（TC）
IRFU3607TRL701P	-	RFQ	1343	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道	75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
FQP11N40C	1.7100	RFQ	2	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP11	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	10.5A（TC）	10V	530mohm @ 5.25a，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1090 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FDC636P	-	RFQ	7749	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC636	MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	2.8A（ta）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	390 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
AOD4454	0.4763	RFQ	4265	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD44	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	3A（3A），20A （TC）	7V，10V	94mohm @ 10a，10v	4.6V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	985 PF @ 75 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
MCG50N03-TP	0.5900	RFQ	4154	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCG50N03	MOSFET （金属 o化物）	DFN3333	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCG50N03-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	30W（TC）
NVATS4A103PZT4G	-	RFQ	9972	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVATS4	MOSFET （金属 o化物）	Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	13mohm @ 28a，10v	2.6V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 10 V	-	60W（TC）
IPA600N25NM3SXKSA1	2.7700	RFQ	6993	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA600	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	250 v	15A（TC）	10V	60mohm @ 15a，10v	4V @ 89µA	29 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 100 V	-	38W（TC）
IRF7769L2TRPBF	2.8600	RFQ	291	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet L8	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IPA80R460CEXKSA1	-	RFQ	2657	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	5A（TC）	10V	460MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	64 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 100 V	-	34W（TC）
RFP2N10L	-	RFQ	8449	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RFP2N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	2A（TC）	5V	1.05OHM @ 2A，5V	2V @ 250µA		±10V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
BSC020N03LSGATMA1	1.5800	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC020	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	28a（28a），100a（tc）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
SIR680LDP-T1-RE3	2.3400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir680	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）		742-SIR680LDP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	31.8a（TA），130a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7250 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IXTA02N250HV-TRL	8.6140	RFQ	6494	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta02	MOSFET （金属 o化物）	TO-263HV	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta02n250hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	2500 v	200ma（tc）	10V	450OHM @ 50mA，10V	4.5V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	116 pf @ 25 V	-	83W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²