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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BLF4G22S-100,112	-	RFQ	3367	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF4	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		12a	900 MA	25W	13.5dB	-	28 V
PD55008L-E	-	RFQ	6067	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		8-Powervdfn	PD55008	500MHz	ldmos	PowerFlat™（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		5a	150 ma	8W	19db	-	12.5 v
MRF9045GNR1	-	RFQ	2257	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-270BA	MRF90	-	ldmos	TO-270-2鸥	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	500		-		-	-	-
A2V09H400-04SR3	93.2316	RFQ	1533年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	NI-780S-4L		720MHz〜960MHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	双重的	10µA	750 MA	102W	18.7dB	-	48 v
MRFE6S9130HR5	-	RFQ	4332	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	SOT-957A	MRFE6	880MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	950 MA	27W	19.2db	-	28 V
BLF6G10LS-160RN：11	-	RFQ	3930	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G10	922.5MHz〜957.5MHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934063282118	Ear99	8541.29.0075	100		39a	1.2 a	32W	22.5dB	-	32 v
PD57018S-E	30.3600	RFQ	390	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	65 v		Powerso-10裸露的底部垫	PD57018	945MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		2.5a	100 ma	18W	16.5db	-	28 V
BLF6G10S-45K，118	-	RFQ	2340	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-608B		922.5MHz〜957.5MHz	ldmos	CDFM2	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100		13a	350 MA	1W	23dB	-	28 V
MRF7S38040HR3	-	RFQ	4128	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-400-240	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	NI-400-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	450 MA	8W	14dB	-	30 V
UF28100H	-	RFQ	5332	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	65 v		-	UF28100	100MHz〜500MHz	MOSFET	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1209	Ear99	8541.29.0075	20	n通道	12a	600 MA	100W	10dB	-	28 V
MMRF1009HSR5	594.7988	RFQ	5641	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	110 v	底盘安装	NI-780	MMRF1009	1.03GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935315335178	Ear99	8541.29.0075	50		-	200 ma	500W	19.7db	-	50 V
VRF2933	164.9500	RFQ	1	微芯片技术	-	大部分	积极的	170 v		M177	VRF2933	150MHz	MOSFET	M177	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q6240326	Ear99	8541.29.0075	1	n通道	2mA	250 MA	300W	25DB	-	50 V
BLF2425M7L140,118	-	RFQ	2212	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF2425	2.45GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934066223118	Ear99	8541.29.0075	100		-	1.3 a	140W	18.5db	-	28 V
PTFA240451E V1 R250	-	RFQ	5675	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍线		2.48GHz	ldmos	H-30265-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		10µA	450 MA	45W	14dB	-	28 V
ST16045	63.5250	RFQ	3227	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	65 v	表面安装	2L-FLG	ST160	700MHz〜1.7GHz	ldmos	A2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST16045			160	-	1µA		45W	20dB	-
MMRF2007NR1	-	RFQ	9345	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	表面安装	TO-270-16变体，平面线	MMRF2	940MHz	ldmos	TO-270 WBL-16	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315474528	Ear99	8541.29.0075	500		-	60 ma	35W	32.6dB	-	28 V
BLF6G22LS-180RN	-	RFQ	4998	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v	表面安装	SOT-502B		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502B	-				2156-BLF6G22LS-180RN			1	n通道	5µA	1.4 a	40W	16dB	-	30 V
MRF7S35120HSR5	-	RFQ	7823	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	150 ma	120W	12DB	-	32 v
BF556A，215	-	RFQ	2188	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF556	-	JFET	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	7ma		-	-	-
BLM9D3842-16AMZ	22.1800	RFQ	4453	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	20-vlga暴露垫	BLM9	3.8GHz〜4.2GHz	ldmos	20-LGA （7x7）	下载	rohs3符合条件						1,000	-	1.4µA	38 ma	16W	28DB	-	28 V
MMBF5485	-	RFQ	4247	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF54	400MHz	JFET	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道	10mA		-	-	4DB	15 v
GTVA104001FA-V1-R0	732.9200	RFQ	43	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v	表面安装	H-37265J-2	GTVA104001	960MHz〜1.215GHz	hemt	H-37265J-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50		-	100 ma	400W	19.5db	-	50 V
BLF544,112	-	RFQ	3146	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		SOT-171A		960MHz	MOSFET	CDFM6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	n通道	3.5a	40 MA	20W	7db	-	28 V
MRF5S21130HSR5	90.1200	RFQ	50	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-880S	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-880S	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-	1.2 a	28W	13.5dB	-	28 V
PTAC260302SCV1XWSA2	-	RFQ	4322	Infineon技术	-	条	过时的			-		-	-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001170838	过时的	0000.00.0000	50	-	-		-	-	-
PTAB182002TCV2XWSA1	-	RFQ	9028	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001234428	Ear99	8541.29.0075	500
MD7P19130HSR5	-	RFQ	2574	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MD7P1	1.99GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.25 a	40W	20dB	-	28 V
MRF8S9100HR3	-	RFQ	5105	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	SOT-957A	MRF8	920MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314124128	5A991G	8541.29.0075	250		-	500 MA	72W	19.3db	-	28 V
BF2040WE6814HTSA1	-	RFQ	8539	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF2040	800MHz	MOSFET	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	40mA	15 ma	-	23dB	1.6dB	5 v
MRF13750HSR5	202.2660	RFQ	6117	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	NI-1230-4S	MRF13750	700MHz〜1.3GHz	ldmos	NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935360898178	Ear99	8541.29.0075	50		10µA	200 ma	750W	20.4dB	-	50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²