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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MCH6619-TL-E	0.2000	RFQ	303	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLL6H0514LS-130,11	243.4200	RFQ	1605	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	100 v	底盘安装	SOT-1135B	BLL6	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		18a	50 mA	130W	17dB	-	50 V
PTAC260302SCV1R250XTMA1	-	RFQ	4941	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	H-37248-4		2.62GHZ〜2.69GHz	ldmos	H-37248-4	下载		3（168））	到达不受影响	SP001028962	Ear99	8541.29.0095	250		10µA	85 MA	30W	15DB	-	28 V
ST05250	145.2000	RFQ	6233	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v	底盘安装	B4e	ST052	1GHz	ldmos	B4e	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST05250			120	-	-		250W	13.5dB	-
MRFE6S9046NR1	23.5100	RFQ	457	自由度半导体	-	大部分	积极的	66 v		TO-270AB	MRFE6	960MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		-	300 MA	35.5W	19db	-	28 V
PD55015-E	21.0200	RFQ	8432	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD55015	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		5a	150 ma	15W	14dB	-	12.5 v
1012GN-800V	-	RFQ	8828	微芯片技术	v	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		1.025GHZ〜1.15GHz	-	55 kr	下载			到达不受影响	150-1012GN-800V	Ear99	8541.29.0095	1	-	-	120 MA	825W	19.3db	-	54 v
Blf647ps，112	217.5000	RFQ	118	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v	表面安装	SOT-1121b	BLF647	1.3GHz	ldmos	最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	100 ma	200W	17.5db	-	32 v
PN4416	-	RFQ	5723	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN441	400MHz	JFET	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	-		-	-	4DB
MRFG35003NT1	17.2800	RFQ	3	自由度半导体	-	大部分	积极的	15 v	表面安装	PLD-1.5		1.8GHz〜3.6GHz	Phemt fet	PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000		1.3a	55 MA	3W	11.5db	-	12 v
MRF8S21200HSR6	-	RFQ	2239	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230S	MRF8	2.14GHz	ldmos	NI-1230S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935322971128	5A991G	8541.29.0075	150	双重的	-	1.4 a	48W	18.1db	-	28 V
ARF449BG	-	RFQ	9572	微芯片技术	-	大部分	过时的	450 v		TO-247-3	ARF449	81.36MHz	MOSFET	TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	9a		90W	13DB	-	150 v
2SK3815-E	0.6400	RFQ	1	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NE55410Gr-az	-	RFQ	4267	cel	-	大部分	过时的	65 v		16-DFF，裸露的垫子		2.14GHz	ldmos	16-HTSSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		250mA，1a	20 ma	35.4dBm	13.5dB	-	28 V
GTRB206002FC/1-V1-R0	154.4796	RFQ	3363	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	48 v	表面安装	H-37248C-4	GTRB206002	1.93GHz〜2.02GHz	hemt	H-37248C-4	-				1697-GTRB206002FC/1-V1-R0TR			50	-	-		500W	14.8db	-
MRF6V2150NR1	-	RFQ	5224	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	220MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500		-	450 MA	150W	25DB	-	50 V
1011GN-250V	-	RFQ	6197	微芯片技术	v	大部分	积极的	125 v	表面安装	55-QP		1.03GHz〜1.09GHz	-	55-QP	下载			到达不受影响	150-1011GN-250V	Ear99	8541.29.0095	1	-	-	60 ma	280W	20.5dB	-	50 V
BF908R，235	-	RFQ	8777	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v	表面安装	SOT-143R	BF908	200MHz	MOSFET	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934022610235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门	40mA	15 ma	-	-	0.6dB	8 V
0912GN-100LV	-	RFQ	4015	微芯片技术	LV	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		960MHz〜1.215GHz	hemt	55 kr	下载			到达不受影响	150-0912GN-100LV	Ear99	8541.29.0095	1		-	70 MA	110W	17.5db	-	50 V
Art150pegz	45.0490	RFQ	5379	Ampleon USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件			1603-ART150PEGZTR			1
MRF6S27085HSR3	-	RFQ	4680	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-780	MRF6	2.66GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	900 MA	20W	15.5db	-	28 V
CPH5820-TL-E	0.1500	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
A3G26H350W17SR3	155.0614	RFQ	6200	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		NI-780S-4S2S		2.496GHZ〜2.69GHz	-	NI-780S-4S2S	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	-	-	250 MA	59W	13.3db	-	48 v
BF245A_J35Z	-	RFQ	5365	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF245	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	6.5mA		-	-	-
NE3520S03-T1C-A	1.0000	RFQ	2016	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	4 V	表面安装	4-SMD，平坦的铅		20GHz	HFET	4-SMD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		70mA		-	13.5dB	-	2 v
CPH3405-TL-E	0.1000	RFQ	78	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
LET16060C	-	RFQ	4617	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V		M243	LET16060	1.6GHz	ldmos	M243	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	25		12a	400 MA	60W	13.8db	-	28 V
A3T23H450W23SR6	150.1500	RFQ	1890年	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				A3T23				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
3SK318YB-TL-E	-	RFQ	4095	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V	表面安装	SC-82A，SOT-343		-	MOSFET	CMPAK-4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	-	10 MA	-	21dB	1.4dB	3.5 v
AFT20S015NR1	28.4000	RFQ	441	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	TO-270AA	AFT20	2.17GHz	ldmos	TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	500		-	132 MA	1.5W	17.6dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²