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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRF6V14300HS	-	RFQ	1345	自由度半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
BLC8G27LS-245AVJ	-	RFQ	2532	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1251-2	BLC8	2.5GHz〜2.69GHz	ldmos	8-DFM	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934068216118	Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	500 MA	56W	14.5db	-	28 V
MRF7S21210HSR5	-	RFQ	3408	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.4 a	63W	18.5db	-	28 V
BLF2045,112	-	RFQ	6225	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-467C		2GHz	ldmos	SOT467C	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60		4.5a	180 MA	30W	10dB	-	26 V
A2G35S160-01SR3	131.2400	RFQ	222	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v	表面安装	NI-400S-2S	A2G35	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	190 MA	51DBM	15.7dB	-	48 v
MRF6V14300HSR3	-	RFQ	3008	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	100 v	底盘安装	NI-780	MRF6	1.4GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	150 ma	330W	18db	-	50 V
BLF7G22L-130,118	-	RFQ	7866	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF7G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934063499118	Ear99	8541.29.0095	100		28a	950 MA	30W	18.5db	-	28 V
NPT35015D	61.1251	RFQ	2487	MACOM技术解决方案	-	管子	积极的	100 v	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NPT35015	3.3GHz〜3.8GHz	hemt	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	95		5a	200 ma	1.7W	10.5db	-	28 V
BLF6G27LS-75,112	83.4300	RFQ	47	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B		-	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件				5A991G	8541.29.0075	20		18a	600 MA	9W	-	-	28 V
BF909AR，215	-	RFQ	4799	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V	表面安装	SOT-143R	BF909	800MHz	mesfet	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	双门	40mA		-	-	2DB
AFT09S282NR3	-	RFQ	1818年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	表面安装	OM-780-2	AFT09	960MHz	ldmos	OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	250		-	1.4 a	80W	20dB	-	28 V
MRFE6VP5600HSR5	132.0164	RFQ	4275	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	130 v	底盘安装	NI-1230-4S	MRFE6	230MHz	ldmos	NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319677178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	100 ma	600W	25DB	-	50 V
MMBF4416LT1	-	RFQ	7617	Onmi	*	（CT）	过时的				MMBF44				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLL6H1214LS-250,11	-	RFQ	3253	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	100 v	底盘安装	SOT-502B	BLL6	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		42a	100 ma	250W	17dB	-	50 V
BLF174XR，112	147.9150	RFQ	7780	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	110 v	表面安装	SOT-1214B	BLF174	108MHz	ldmos	最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	100 ma	600W	28.5db	-	50 V
MRF6S21140HR5	-	RFQ	6775	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.12GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.2 a	30W	15.5db	-	28 V
MRF7S19100NBR1	-	RFQ	7882	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	TO-272BB	MRF7	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319238528	Ear99	8541.29.0075	500		-	1 a	29W	17.5db	-	28 V
PTFB212503FL-V2-R250	-	RFQ	7187	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		2.17GHz	ldmos	H-34288-4/2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250		-	1.85 a	55W	18.1db	-	30 V
MCH3456-TL-E	0.0800	RFQ	87	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PTFA081501EV4T500XWSA1	-	RFQ	7136	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000393360	Ear99	8541.29.0075	500
MRF8S9100HSR5	-	RFQ	8813	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	70 v	底盘安装	NI-780	MRF8	920MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	500 MA	72W	19.3db	-	28 V
MRF1K50HR5	190.1200	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50 V	底盘安装	SOT-979A	MRF1K50	1.8MHz〜500MHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-		1500W	22.5dB	-
MWT-1F	59.1900	RFQ	6521	微波技术公司	-	案件	积极的	6 V		死	MWT-1	100MHz〜12GHz	mesfet	芯片	下载				1203-MWT-1F	Ear99	8541.29.0075	10		230mA	230 MA	-	7db	2DB	4 V
MRF6S24140HS	-	RFQ	1678年	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	68 v	表面安装	NI-880S	MRF6	2.39GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1		-	1.3 a	28W	15.2db	-	28 V
BCF240T	58.9300	RFQ	1	BEREX INC	-	托盘	积极的	12 v		死		26.5GHz	mesfet	死	-	rohs3符合条件	不适用	到达受影响	4704-BCF240T	Ear99	8541.21.0040	5		960mA	480 MA	30.4dBm	7.7dB	-	8 V
CPH6332-TL-E	0.2700	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
CGHV14800F	943.8300	RFQ	50	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	125 v		440117	CGHV14800	1.4GHz	hemt	440117	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		24a	800 MA	900W	14.5db	-	50 V
BLP05H6250XRGY	55.9300	RFQ	48	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	135 v	表面安装	4-Besop （0.173“，4.40mm宽度）	BLP05	108MHz	ldmos	4-HSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	100 ma	250W	27dB	-	50 V
NE5511279A-T1-A	-	RFQ	2404	cel	-	（CT）	过时的	20 v		4-SMD，平坦的铅	NE55112	900MHz	ldmos	79a	-		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		3a	400 MA	40dBm	15DB	-	7.5 v
PD84010TR-E	-	RFQ	4729	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD84010	870MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		8a	300 MA	2W	16.3db	-	7.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²