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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BLC10G22XS-551AVTY	92.9550	RFQ	3422	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1258-4	BLC10	2.1GHz〜2.2GHz	ldmos	SOT1258-4	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G22XS-551AVTYTR			100	2 n 通道（双）公共来源	2.8µA	900 MA	650W	16dB	-	32 v
BLC8G27LS-60AVZ	-	RFQ	2368	Ampleon USA Inc.	*	托盘	过时的		底盘安装	SOT-1275-3	BLC8			SOT-1275-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20
MRF8P26080HSR3	55.0300	RFQ	13	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-780S-4		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	NI-780S-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	双重的	10µA	300 MA	14W	15DB	-	28 V
MRF6S18100NR1	-	RFQ	7079	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	1.99GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	900 MA	100W	14.5db	-	28 V
MRF8P23080HSR3	72.6100	RFQ	450	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L		2.3GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	280 MA	16W	14.6dB	-	28 V
MRF8S21140HSR3	-	RFQ	5670	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF8	2.14GHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935310254128	Ear99	8541.29.0075	250		-	970 MA	34W	17.9db	-	28 V
MRF9045NR1	-	RFQ	3612	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	TO-270AA	MRF90	945MHz	ldmos	TO-270-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	935322765528	5A991G	8541.21.0075	500		-	350 MA	45W	19db	-	28 V
BLF8G10LS-160,112	-	RFQ	4218	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v	底盘安装	SOT-502B		920MHz〜960MHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	4		5µA	1.1 a	35W	19.7db	-	30 V
UF2840G	220.0650	RFQ	9124	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	65 v		-	UF2840	100MHz〜500MHz	MOSFET	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1212	Ear99	8541.29.0040	20	n通道	1ma	500 MA	40W	10dB	-	28 V
BLP15M9S70Z	21.4400	RFQ	922	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1482-1	BLP15	1.5GHz	ldmos	SOT-1482-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		2.8µA	300 MA	70W	17.8db	-	32 v
MRF5P21240HR6	-	RFQ	5411	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-1230	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	150		-	2.2 a	52W	13DB	-	28 V
A3T21H400W23SR6	85.4469	RFQ	3928	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				A3T21				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
PD85025TR-E	-	RFQ	1875年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD85025	870MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		7a	300 MA	10W	17.3db	-	13.6 v
MRF5S9070NR5	-	RFQ	7271	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AA	MRF5	880MHz	ldmos	TO-270-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	600 MA	14W	17.8db	-	26 V
2N5555_D74Z	-	RFQ	4142	Onmi	-	（TB）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5555	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	15mA		-	-	-
IXZH16N60	-	RFQ	7625	ixys-rf	-	管子	过时的	600 v		TO-247-3		-	MOSFET	TO-247AD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1ma		350W	-	-
BLF2043F，135	-	RFQ	7703	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-467C	BLF2043	2.2GHz	ldmos	SOT467C	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	400		2.2a	85 MA	10W	11DB	-	26 V
MRF21085LSR3	-	RFQ	1500	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-780	MRF21	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250		-	1 a	19w	13.6dB	-	28 V
MRF6VP3091NBR5	-	RFQ	2697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	115 v	底盘安装	TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos	TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319809578	Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-	350 MA	18W	22DB	-	50 V
PTFA091201HL V1	-	RFQ	8524	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA091201	960MHz	ldmos	PG-64248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		10µA	750 MA	110W	18.5db	-	28 V
MRF9030LSR5	-	RFQ	1564年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50		-	250 MA	30W	19db	-	26 V
BLF178P，112	309.8400	RFQ	22	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	110 v	底盘安装	SOT-539A	BLF178	108MHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	88a	40 MA	1200W	28.5db	-	50 V
MAGX-001090-700L0S	-	RFQ	9646	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65 v		-		1.03GHz〜1.09GHz	hemt	-	下载		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	10		31a	500 MA	700W	20.5dB	-	50 V
MRF8S23120HR5	71.8800	RFQ	195	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A		2.3GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50		-	800 MA	28W	16dB	-	28 V
MRF7S18170HR3	124.0700	RFQ	25	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	SOT-957A		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		10µA	1.4 a	50W	17.5db	-	28 V
PXAD214218FV-V1-R0	165.4994	RFQ	8028	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v	表面安装	H-37275G-6/2	PXAD214218	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	H-37275G-6/2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50		10µA	720 MA	290W	13.5dB	-	28 V
BF1218,115	-	RFQ	7037	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF121	400MHz	MOSFET	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	19 ma	-	32dB	0.9dB	5 v
BLC9G24LS-170AVZ	-	RFQ	3313	Ampleon USA Inc.	*	托盘	过时的				BLC9			DFM6	-		3（168））	到达不受影响	934068891517	Ear99	8541.29.0075	60
BLL6H1214L-250,112	372.4000	RFQ	25	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				BLL6				-	rohs3符合条件		到达不受影响				60
PTFB241402F-V1-R250	73.0796	RFQ	3709	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v	底盘安装	H-37248-4	PTFB241402	2.4GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250	双重的	-	120 MA	110W	17dB	-	30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²