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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BF999E6433HTMA1	-	RFQ	3424	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20 v	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		45MHz	MOSFET	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	30mA	10 MA	-	27dB	2.1db	10 v
MRF6VP121KHSR5	-	RFQ	8948	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		NI-1230S	MRF6	1.03GHz	ldmos	NI-1230S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310191178	Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-	150 ma	1000W	20dB	-	50 V
A2T08VD021NT1	-	RFQ	3525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	A2T08	-	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935361777528	Ear99	8541.29.0095	1,000	-	-		-	-	-
ATF-50189-TR1	-	RFQ	4890	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		TO-243AA	ATF-50189	2GHz	e-phemt	SOT-89	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000		1a	280 MA	29DBM	15.5db	1.1db	4.5 v
MRFE6S9201HSR3	-	RFQ	9632	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.4 a	40W	20.8dB	-	28 V
BLF2425M6L180P，118	-	RFQ	9214	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-539A	BLF2425	2.45GHz	ldmos	SOT539A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934066104118	Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	10 MA	180W	13.3db	-	28 V
MRF6V14300HS	-	RFQ	1345	自由度半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
PTFA041501HL V1 R250	-	RFQ	8185	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA041501	470MHz	ldmos	PG-64248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		1µA	900 MA	150W	21dB	-	28 V
C4H22W500AZ	155.2200	RFQ	8788	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	150 v	表面安装	SOT-1273-1		2.11GHZ〜2.17GHz	MOSFET	SOT1273-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	2 n 通道（双）公共来源	-	450 MA	500W	16dB	-	50 V
BLF861A，112	-	RFQ	6965	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-540A		860MHz	ldmos	最多	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	18a	1 a	150W	14.5db	-	32 v
PTRA084858NF-V1-R5	96.0049	RFQ	4192	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	pg-hbsof-6-3	PTRA084858	730MHz〜960MHz	LDMO （双）	pg-hbsof-6-3	-				1697-PTRA084858NF-V1-R5TR			500	-	10µA	500 MA	615W	19db	-	48 v
ATF-50189-TR2	-	RFQ	9378	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		TO-243AA	ATF-50189	2GHz	e-phemt	SOT-89	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		1a	280 MA	29DBM	15.5db	1.1db	4.5 v
MRF8P18265HSR6	-	RFQ	3103	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-111110B	MRF8	1.88GHz	ldmos	NI1230S-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935323031128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	-	800 MA	72W	16dB	-	30 V
MRF6S18100NR1	-	RFQ	7079	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	1.99GHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	900 MA	100W	14.5db	-	28 V
ATF-501P8-TR2	-	RFQ	8297	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		8-WFDFN暴露垫		2GHz	e-phemt	8-lpcc （2x2）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		1a	280 MA	29DBM	15DB	1dB	4.5 v
SD2900	-	RFQ	3462	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	65 v		M113	SD2900	400MHz	MOSFET	M113	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	900mA	50 mA	5W	16dB	-	28 V
MRF8HP21130HSR3	78.4700	RFQ	1	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-780S-4	MRF8	2.17GHz	ldmos	NI-780S-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		5A991	8541.29.0075	250	双重的	-	360 MA	28W	14dB	-	28 V
MD7P19130HSR5	-	RFQ	2574	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MD7P1	1.99GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.25 a	40W	20dB	-	28 V
BLC8G27LS-60AVZ	-	RFQ	2368	Ampleon USA Inc.	*	托盘	过时的		底盘安装	SOT-1275-3	BLC8			SOT-1275-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20
2N5484	-	RFQ	3267	Onmi	-	大部分	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5484	400MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	5mA		-	-	4DB	15 v
MRF8P20100HSR3	-	RFQ	8451	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.03GHz	ldmos	NI-780S-4L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310291128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	400 MA	20W	16dB	-	28 V
MRF300AN	52.5600	RFQ	132	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	MRF300	27MHz〜250MHz	ldmos	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30		-		300W	28DB	-	50 V
A3T21H455W23SR6	89.5761	RFQ	8014	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos	ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935368316128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	10µA	400 MA	87W	15DB	-	30 V
BLC10G22XS-551AVTY	92.9550	RFQ	3422	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1258-4	BLC10	2.1GHz〜2.2GHz	ldmos	SOT1258-4	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G22XS-551AVTYTR			100	2 n 通道（双）公共来源	2.8µA	900 MA	650W	16dB	-	32 v
BLS6G2731P-200,117	-	RFQ	1206	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	32 v	底盘安装	SOM038	BLS6G2731	-	ldmos	SOM038	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	15		-	100 ma	-	-	-	32 v
BLF7G27LS-100,112	-	RFQ	9936	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF7	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064592112	Ear99	8541.29.0095	20		28a	900 MA	20W	18db	-	28 V
BLP10H630PY	-	RFQ	4107	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		SOT-1223-2	BLP10	1GHz	ldmos	4-HSOPF	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	934960003518	Ear99	8541.29.0075	100		1.4µA	20 ma	30W	18db	-	50 V
MW7IC2725NR1	56.4600	RFQ	950	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v	表面安装	TO-270-16变体，平面线		2.5GHz〜2.7GHz	LDMO （双）	TO-270WB-16	-				2156-MW7IC2725NR1			6	2 n通道	10µA	275 MA	4W	28.5db	-	28 V
PTFA192001E1V4R250XTMA1	-	RFQ	9647	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		2-flatpack，鳍铅，法兰		1.99GHz	ldmos	H-33288-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000753682	过时的	0000.00.0000	1		-	1.8 a	50W	15.9db	-	30 V
MMBFJ310LT3G	0.4700	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ310	-	JFET	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	60mA	10 MA	-	12DB	-	10 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²