SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
IRF9956TRPBF Infineon Technologies IRF9956TRPBF 0.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF995 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 3.5a 100mohm @ 2.2a，10v 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 逻辑级别门
FDMS3615S-PC01 onsemi FDMS3615S-PC01 -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 FDMS3615 - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-FDMS3615S-PC01 Ear99 8541.29.0095 1 -
CMLDM8005 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLDM8005 TR PBFRE 0.7600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 CMLDM8005 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 650mA 360MOHM @ 350mA，4.5V 1V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 100pf @ 16V 逻辑级别门
SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB68EP-T1_GE3 0.9800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJB68 MOSFET （金属 o化物） 27W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 11A（TC） 92MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 8NC @ 10V 280pf @ 25V -
TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3911DCX6 RFG 1.6300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 TSM3911 MOSFET （金属 o化物） 1.15W SOT-26 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.2A（ta） 140MOHM @ 2.2a，4.5V 950mv @ 250µA 15.23nc @ 4.5V 882.51pf @ 6V -
FDS8926A onsemi FDS8926A -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.5a 30mohm @ 5.5A，4.5V 1V @ 250µA 28nc @ 4.5V 900pf @ 10V 逻辑级别门
FDQ7236AS onsemi FDQ7236AS -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） FDQ72 MOSFET （金属 o化物） 1.3W，1.1W 14-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 14a，11a 8.7MOHM @ 14A，10V 3V @ 250µA 24nc @ 15V 920pf @ 15V 逻辑级别门
AON6850 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6850 0.8165
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SDMOS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-powersmd，平面线 AON685 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 5a 35mohm @ 5A，10V 4V @ 250µA 29nc @ 10V 1840pf @ 50V -
FDS9933BZ onsemi FDS9933Bz -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 4.9a 46mohm @ 4.9A，4.5V 1.5V @ 250µA 15nc @ 4.5V 985pf @ 10V 逻辑级别门
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4500BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7817 0.00000000 Vishay Siliconix - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4500 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道，普通排水 20V 6.6a，3.8a 20mohm @ 9.1a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V - 逻辑级别门
AO4932 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4932 -
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO493 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 11a，8a 12.5MOHM @ 11A，10V 2.1V @ 250µA 24NC @ 10V 1400pf @ 15V 逻辑级别门
APTM100A13DG Microchip Technology APTM100A13DG 280.3700
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1000V （1kV） 65a 156mohm @ 32.5a，10v 5V @ 6mA 562NC @ 10V 15200pf @ 25V -
SP8M6TB Rohm Semiconductor SP8M6TB -
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8M6 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 5a，3.5a 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5V 230pf @ 10V 逻辑级别门
SI1555DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI15555DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1555 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V，8V 660mA，570mA 385MOHM @ 660mA，4.5V 1.4V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
FDS9958-F085 onsemi FDS9958-F085 -
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 2.9a 105mohm @ 2.9a，10v 3V @ 250µA 23nc @ 10V 1020pf @ 30V 逻辑级别门
FDS9958 onsemi FDS9958 -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS99 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 2.9a 105mohm @ 2.9a，10v 3V @ 250µA 23nc @ 10V 1020pf @ 30V 逻辑级别门
AOTS26108 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTS26108 0.1820
RFQ
 ECAD 4627 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AOTS261 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 785-AOTS26108TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道互补 30V，20V 3.8A（ta），4.5a（ta） 50mohm @ 3.8A，10V，44MOHM @ 4.5a，4.5V 1.5V @ 250µA，950mv @ 250µA 16nc @ 10v，17nc @ 4.5V 340pf @ 15V，930pf @ 10V 标准
DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated DMN3061SVT-7 0.1348
RFQ
 ECAD 3380 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET （金属 o化物） 1.08W（TA） TSOT-23-6 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMN3061SVT-7DI Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.4a（ta） - - 6.6nc @ 10V 278pf @ 15V -
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1 1.3100
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 43W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 100V 20a 35mohm @ 17a，10v 2.1V @ 16µA 17.4NC @ 10V 1105pf @ 25V 逻辑级别门
BSO203PH Infineon Technologies BSO203PH 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 Optimos® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO203 MOSFET （金属 o化物） 1.6W（TA） PG-DSO-8 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 20V 7a（ta） 21mohm @ 8.2a，4.5V 1.2V @ 50µA 39nc @ 4.5V 3750pf @ 15V 逻辑级别门
FDC6303N onsemi FDC6303N 0.4600
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 FDC6303 MOSFET （金属 o化物） 700MW SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 680mA 450MOHM @ 500mA，4.5V 1.5V @ 250µA 2.3nc @ 4.5V 50pf @ 10V 逻辑级别门
BTS7904BATMA1 Infineon Technologies BTS7904BATMA1 -
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA BTS7904 MOSFET （金属 o化物） 69W，96W pg-to263-5-1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 55V，30V 40a 11.7mohm @ 20a，10v 2.2V @ 40µA 121nc @ 10V 6100pf @ 25V 逻辑级别门
CSD87351ZQ5D Texas Instruments CSD87351ZQ5D 0.9692
RFQ
 ECAD 7926 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD87351 MOSFET （金属 o化物） 12W 8-lson（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 32a - 2.1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5V 1255pf @ 15V 逻辑级别门
FDS6930A onsemi FDS6930A -
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6930 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.5a 40mohm @ 5.5a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 5V 460pf @ 15V 逻辑级别门
SCH1402-S-TL-E-SY Sanyo SCH1402-S-TL-E-SY 0.0900
RFQ
 ECAD 585 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 SCH1402 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 -
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor FDMS7600AS 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn FDMS7600 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 Ear99 8542.39.0001 279 2 n 通道（双） 30V 12a，22a 7.5mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA 28nc @ 10V 1750pf @ 15V 逻辑级别门
CMSBN6601-HF Comchip Technology CMSBN6601-HF 0.5241
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，没有铅 CMSBN6601 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） CSPB2718-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 13A（TA） 11.5MOHM @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 25.4NC @ 10V - -
FDG8850NZ onsemi FDG88550NZ 0.5800
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG8850 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 750mA 400MOHM @ 750mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.44NC @ 4.5V 120pf @ 10V 逻辑级别门
2SJ413-TH Sanyo 2SJ413-TH 4.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SJ413 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
IRF7325 Infineon Technologies IRF7325 -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF732 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 12V 7.8a 24mohm @ 7.8a，4.5V 900mv @ 250µA 33nc @ 4.5V 2020pf @ 10V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭