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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SH8MC5TB1 Rohm Semiconductor SH8MC5TB1 1.8000
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8MC5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 6.5a（6），7a ta（7a ta） 32mohm @ 6.5a，10v，33mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.6nc @ 10V，50NC @ 10V 460pf @ 30v，2630pf @ 30V -
APTC90H12T1G Microsemi Corporation APTC90H12T1G -
RFQ
 ECAD 7795 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 4（n n 通道（半桥） 900V 30a 120mohm @ 26a，10v 3.5V @ 3mA 270NC @ 10V 6800pf @ 100V 超交界处
APTM120A20DG Microchip Technology APTM120A20DG 309.5600
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 ECAD 9790 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 50a 240mohm @ 25a，10v 5V @ 6mA 600NC @ 10V 15200pf @ 25V -
ZXMN3A06DN8TC Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TC -
RFQ
 ECAD 1245 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN3 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4.9a 35mohm @ 9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 17.5nc @ 10V 796pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7904TRPBF Infineon Technologies IRF7904TRPBF 1.1600
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 ECAD 7805 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7904 MOSFET （金属 o化物） 1.4W，2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（半桥） 30V 7.6a，11a 16.2MOHM @ 7.6A，10V 2.25V @ 25µA 11NC @ 4.5V 910pf @ 15V 逻辑级别门
UPA1764G(0)-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA1764G（0）-e2-at -
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 ECAD 9926 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 UPA1764 - 下载 rohs3符合条件 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
DMP6050SSD-13 Diodes Incorporated DMP6050SSD-13 0.8300
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 ECAD 10 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP6050 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 4.8a 55mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1293pf @ 30V -
EMH2604-TL-H onsemi EMH2604-TL-H -
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 ECAD 3568 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 EMH2604 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-emh 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 4a，3a 45mohm @ 4A，4.5V - 4.7nc @ 4.5V 345pf @ 10V 逻辑级别门
PSMN6R8-40HSX Nexperia USA Inc. PSMN6R8-40HSX 1.7800
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 ECAD 69 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN6R8 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a（ta） 6.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 28.9nc @ 10V 1947pf @ 25V -
DMN601DWK-7 Diodes Incorporated DMN601DWK-7 0.4900
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 ECAD 481 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN601 MOSFET （金属 o化物） 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 305mA 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 1mA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE，LM 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N37 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA 2.2OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 逻辑级别门
APTM100AM90FG Microchip Technology APTM100AM90FG 373.5825
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 ECAD 6628 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1000V （1kV） 78a 105mohm @ 39a，10v 5V @ 10mA 744NC @ 10V 20700pf @ 25V -
ALD212900SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900SAL 5.6228
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 ECAD 7016 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD212900 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1209 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 80mA 14OHM 20mv @ 20µA - 30pf @ 5V 逻辑级别门
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
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 ECAD 600 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N16 MOSFET （金属 o化物） 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 100mA 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
NVTJD4001NT2G onsemi NVTJD4001NT2G -
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 ECAD 1790年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NVTJD40 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
NVMFD5C668NLT1G onsemi NVMFD5C668NLT1G 3.2900
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3W（3），57.5W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 15.5A（ta），68a tc） 6.5MOHM @ 20A，10V 2V @ 50µA 21.3nc @ 10V 1440pf @ 25V -
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated DMG6602SVT-7 0.3800
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMG6602 MOSFET （金属 o化物） 840MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 3.4a，2.8a 60mohm @ 3.1a，10v 2.3V @ 250µA 13nc @ 10V 400pf @ 15V 逻辑级别门，4.5V驱动器
NTZD3154NT2G onsemi NTZD3154NT2G -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3154 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 540mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V -
DMN601DMK-7 Diodes Incorporated DMN601DMK-7 0.4100
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMN601 MOSFET （金属 o化物） 700MW SOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 510mA 2.4OHM @ 200mA，10v 2.5V @ 1mA 0.304NC @ 4.5V 50pf @ 25V 逻辑级别门
SLA5059 Sanken SLA5059 -
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-SIP裸露的选项卡 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5059 DK Ear99 8541.29.0095 180 3n和3p 通道（3相桥） 60V 4a 550MOHM @ 2A，4V 2V @ 250µA - 150pf @ 10V 逻辑级别门
SSFQ3812 Good-Ark Semiconductor SSFQ3812 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2 n通道 30V 7.5A（TC） 20mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 8NC @ 4.5V 500pf @ 25V 标准
64-2013PBF Infineon Technologies 64-2013pbf -
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 ECAD 3553 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 - 64-2013 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
UPA2350T1G-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2350T1G-E4-A 0.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 4-XBGA，4-FCBGA UPA2350 MOSFET （金属 o化物） 1.3W 4-Flipchip - 不适用 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 20V 6a 35mohm @ 3A，4.5V 1.5V @ 1mA 8.6nc @ 4V 542pf @ 10V 逻辑级别门
CSD85312Q3E Texas Instruments CSD85312Q3E 1.2800
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn CSD85312 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-VSON（3.3x3.3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双）公共来源 20V 39a 12.4mohm @ 10a，8v 1.4V @ 250µA 15.2nc @ 4.5V 2390pf @ 10V 逻辑水平门，5v驱动器
PMGD8000LN,115 NXP USA Inc. PMGD8000LN，115 -
RFQ
 ECAD 1879年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PMGD8 MOSFET （金属 o化物） 200MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 125mA 8ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 0.35nc @ 4.5V 18.5pf @ 5V 逻辑级别门
FDS6984AS Fairchild Semiconductor FDS6984AS 0.4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild半导体 PoterTrench®，SyncFet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS69 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 5.5a，8.5a 31MOHM @ 5.5A，10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 420pf @ 15V 逻辑级别门
ZXMD65P03N8TA Diodes Incorporated ZXMD65P03N8TA -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 二极管合并 - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMD65P03 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 2（p 通道（双） 30V 3.8a 55mohm @ 4.9A，10V 1V @ 250µA 25.7nc @ 10V 930pf @ 25V -
NTHD4502NT1 onsemi NTHD4502NT1 -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 NTHD4502 MOSFET （金属 o化物） 640MW chipfet™ 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 2.2a 85mohm @ 2.9a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 10V 140pf @ 15V 逻辑级别门
APTMC60TLM14CAG Microchip Technology APTMC60TLM14CAG -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTMC60 （SIC） 925W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（三级逆变器） 1200V（1.2kV） 219a（TC） 12mohm @ 150a，20v 2.4V @ 30mA ty（typ） 483nc @ 20V 8400pf @ 1000V -
WAS310M17BM3 Wolfspeed, Inc. WAS310M17BM3 1.0000
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 ECAD 2 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 - 底盘安装 模块 WAS310 MOSFET （金属 o化物） - - 下载 不适用 1697-WAS310M17BM3 Ear99 8541.29.0095 1 - 1700V 310a - - - - 标准
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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196-LFBGA裸露的垫子

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