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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
62-0170PBF Infineon Technologies 62-0170pbf 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 大部分 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 50V 3a 130MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 255pf @ 25V -
UPA2451BTL-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2451BTL-E1-A 0.6100
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 6-VFDFN暴露垫 UPA2451 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-hwson 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8.2a 20mohm @ 4A，4.5V 1.5V @ 1mA 9.2nc @ 4V 540pf @ 10V 逻辑级别门
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-vdfn暴露垫 ZXMC3 MOSFET （金属 o化物） 1.7W 8-MLP （3x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 2.9a，2.1a 120mohm @ 2.5a，10v 1V @ 250µA（250µA） 3.9nc @ 10V 190pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7350TRPBF Infineon Technologies IRF7350TRPBF -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7350 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n和p通道 100V 2.1a，1.5a 210mohm @ 2.1a，10v 4V @ 250µA 28nc @ 10V 380pf @ 25V -
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6P41 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 720mA 300MOHM @ 400mA，4.5V 1V @ 1mA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
EFC6612R-TF onsemi EFC6612R-TF 0.4053
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC6612 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 6-CSP（1.77x3.54） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 27nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1 510.6300
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 ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 FF6MR12 （SIC） 20MW（TC） Ag-Easy2bm-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001716496 Ear99 8541.21.0095 15 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 200a（200a tj） 5.63mohm @ 200a，15v 5.55V @ 80mA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
NTMD6N02R2 onsemi NTMD6N02R2 -
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NTMD6 MOSFET （金属 o化物） 730MW 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 NTMD6N02R2OS Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 3.92a 35mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1100pf @ 16V 逻辑级别门
WI62195 Wise-Integration WI62195 6.4200
RFQ
 ECAD 2340 0.00000000 明智的融合 Wisegan™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14电源 ganfet（n化岩） - 14-PQFN（6x8） 下载 3（168）） 1,500 2（p 通道（半桥） 750V 9A（9A）（TJ） 250MOHM @ 2A，6V 1.75V @ 10mA 1.9nc @ 6V 53.5pf @ 400V ganfet（n化岩）
IRF7756 Infineon Technologies IRF7756 -
RFQ
 ECAD 9928 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 *IRF7756 Ear99 8541.29.0095 95 2（p 通道（双） 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a，4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
SQJ560EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_BE3 1.3500
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ560 MOSFET （金属 o化物） 34W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 （1 （无限） 742-SQJ560EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 30A（TC），18A （TC） 12mohm @ 10a，10v，52.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 30nc @ 10v，45nc @ 10V 1650pf @ 25V -
US5K3TR Rohm Semiconductor US5K3TR -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Rohm半导体 * （CT） 过时的 US5K3 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 US5K3CT Ear99 8541.29.0095 3,000 -
PMWD15UN,518 NXP USA Inc. PMWD15UN，518 -
RFQ
 ECAD 8556 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） PMWD15 MOSFET （金属 o化物） 4.2W 8-tssop - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 11.6a 18.5mohm @ 5A，4.5V 700mv @ 1mA 22.2nc @ 4.5V 1450pf @ 16V 逻辑级别门
CAB006A12GM3 Wolfspeed, Inc. CAB006A12GM3 355.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CAB006 （SIC） 10MW（TC） - 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 18 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 200a（200a tj） 6.9mohm @ 200a，15v 3.6V @ 69mA 708nc @ 15V 20400pf @ 800V -
EFC6605R-TR onsemi EFC6605R-Tr 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC6605 MOSFET （金属 o化物） 1.6W 6-EFCP（1.9x1.46） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） - - - - 19.8nc @ 4.5V - 逻辑水平门，2.5V
2SK3618-TL-E-SY Sanyo 2SK3618-TL-E-SY 0.6600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SK3618 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 700 -
APTM50HM38FG Microchip Technology APTM50HM38FG 309.9825
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 694W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 90a 45MOHM @ 45A，10V 5V @ 5mA 246nc @ 10V 11200pf @ 25V -
MSCSM170HM12CAG Microchip Technology MSCSM170HM12CAG 996.2500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 843w（tc） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170HM12CAG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 1700V（（1.7kV） 179a（TC） 15mohm @ 90a，20v 3.2V @ 7.5mA 534NC @ 20V 9900pf @ 1000V -
IRF3575DTRPBF Infineon Technologies IRF3575DTRPBF -
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 32-PowerWFQFN IRF3575 MOSFET （金属 o化物） - 32-PQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 25V 303A（TC） - - - - -
AO4828 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828 0.2311
RFQ
 ECAD 9849 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V - 56mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V 逻辑级别门
RFD3055RLESM9A Harris Corporation RFD3055RLESM9A 0.4400
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFD3055 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 590 -
AO6604_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6604_001 -
RFQ
 ECAD 8749 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO660 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 20V 3.4a，2.5a 60mohm @ 3.4a，4.5V 1V @ 250µA 3.8NC @ 4.5V 320pf @ 10V 逻辑级别门
ECH8654-TL-HQ onsemi ECH8654-TL-HQ -
RFQ
 ECAD 4016 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8654 - 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
SH8MC5TB1 Rohm Semiconductor SH8MC5TB1 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8MC5 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 6.5a（6），7a ta（7a ta） 32mohm @ 6.5a，10v，33mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 7.6nc @ 10V，50NC @ 10V 460pf @ 30v，2630pf @ 30V -
APTC90H12T1G Microsemi Corporation APTC90H12T1G -
RFQ
 ECAD 7795 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 4（n n 通道（半桥） 900V 30a 120mohm @ 26a，10v 3.5V @ 3mA 270NC @ 10V 6800pf @ 100V 超交界处
APTM120A20DG Microchip Technology APTM120A20DG 309.5600
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 50a 240mohm @ 25a，10v 5V @ 6mA 600NC @ 10V 15200pf @ 25V -
ZXMN3A06DN8TC Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TC -
RFQ
 ECAD 1245 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMN3 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 4.9a 35mohm @ 9a，10v 1V @ 250µA（250µA） 17.5nc @ 10V 796pf @ 25V 逻辑级别门
IRF7904TRPBF Infineon Technologies IRF7904TRPBF 1.1600
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7904 MOSFET （金属 o化物） 1.4W，2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（半桥） 30V 7.6a，11a 16.2MOHM @ 7.6A，10V 2.25V @ 25µA 11NC @ 4.5V 910pf @ 15V 逻辑级别门
UPA1764G(0)-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA1764G（0）-e2-at -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 UPA1764 - 下载 rohs3符合条件 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
DMP6050SSD-13 Diodes Incorporated DMP6050SSD-13 0.8300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMP6050 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 60V 4.8a 55mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 1293pf @ 30V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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