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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AO4924 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4924 -
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 ECAD 9960 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 SRFET™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO492 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V - 15.8mohm @ 9a，10v 2.4V @ 250µA 31nc @ 10V 1885pf @ 15V 逻辑级别门
FW389-TL-2W onsemi FW389-TL-2W -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FW389 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 100V 2a 225MOHM @ 2A，10V - 10NC @ 10V 490pf @ 10V 逻辑水平门，4V驱动器
UPA675T-T1-A Renesas Electronics America Inc UPA675T-T1-A 0.1700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UPA675 MOSFET （金属 o化物） 200MW SC-88 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 16V 100mA 12ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 10µA - 10pf @ 3V -
DMN601VK-7 Diodes Incorporated DMN601VK-7 0.4200
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 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMN601 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 305mA 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1016X-T1-E3 -
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 ECAD 6336 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1016 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 485mA，370mA 700MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V - 逻辑级别门
AO4616L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4616L -
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 ECAD 4638 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 8.1a（ta），7.1a（7.1a）（ta） 20mohm @ 8.1a，10v，25mohm @ 7.1a，10v 3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 19.2nc @ 10v，30.9nc @ 10v 1250pf @ 15V，1573pf @ 15V -
BTS7904BATMA1 Infineon Technologies BTS7904BATMA1 -
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 ECAD 3139 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA BTS7904 MOSFET （金属 o化物） 69W，96W pg-to263-5-1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n和p通道 55V，30V 40a 11.7mohm @ 20a，10v 2.2V @ 40µA 121nc @ 10V 6100pf @ 25V 逻辑级别门
FDS6930A onsemi FDS6930A -
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 ECAD 5386 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS6930 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.5a 40mohm @ 5.5a，10v 3V @ 250µA 7NC @ 5V 460pf @ 15V 逻辑级别门
CSD87351ZQ5D Texas Instruments CSD87351ZQ5D 0.9692
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 ECAD 7926 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn CSD87351 MOSFET （金属 o化物） 12W 8-lson（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 32a - 2.1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5V 1255pf @ 15V 逻辑级别门
EPC2106ENGRT EPC EPC2106engrt -
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 ECAD 7434 0.00000000 EPC Egan® 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 死 EPC210 ganfet（n化岩） - 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 2,500 2 n 通道（半桥） 100V 1.7a 70mohm @ 2a，5v 2.5V @ 600µA 0.73NC @ 5V 75pf @ 50V -
FDG8850NZ onsemi FDG88550NZ 0.5800
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 ECAD 22 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG8850 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 750mA 400MOHM @ 750mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.44NC @ 4.5V 120pf @ 10V 逻辑级别门
2SJ413-TH Sanyo 2SJ413-TH 4.5700
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 ECAD 12 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 2SJ413 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
NVMFD5873NLWFT1G onsemi NVMFD5873NLWFT1G -
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 ECAD 1270 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5873 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 10a 13mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 30.5nc @ 10V 1560pf @ 25V 逻辑级别门
FQS4903TF onsemi FQS4903TF 1.6500
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FQS4903 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 500V 370mA 6.2OHM @ 185mA，10v 4V @ 250µA 8.2nc @ 10V 200pf @ 25V -
CPH3314-TL-E-ON onsemi CPH3314-TL-E-ON 0.1100
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 ECAD 454 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 CPH3314 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
BUK9K89-100E,115 NXP USA Inc. BUK9K89-100E，115 1.0000
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK9K89 MOSFET （金属 o化物） 38W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 12.5a 85MOHM @ 5A，10V 2.1V @ 1mA 16.8nc @ 10V 1108pf @ 25V 逻辑级别门
DMT3022UEV-7 Diodes Incorporated DMT3022UEV-7 0.2436
RFQ
 ECAD 1781年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMT3022 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） PowerDI3333-8（类型UXD） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 2 n 通道（双） 30V 17a（TC） 22mohm @ 11a，10v 1.8V @ 250µA 13.9nc @ 10V 903pf @ 15V -
DMC4028SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4028SSDQ-13 0.3822
RFQ
 ECAD 6085 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4028 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 到达不受影响 31-DMC4028SSDQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 5.4A（ta），4a（ta） 28mohm @ 6a，10v，50mohm @ 6a，10v 3V @ 250µA 12.9nc @ 10V，14NC @ 10V 604pf @ 20v，674pf @ 20V -
QS8K21TR Rohm Semiconductor QS8K21TR 0.9400
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 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QS8K21 MOSFET （金属 o化物） 550MW TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 45V 4a 53MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 5.4NC @ 5V 460pf @ 10V 逻辑级别门
PSMN6R8-40HSX Nexperia USA Inc. PSMN6R8-40HSX 1.7800
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 ECAD 69 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN6R8 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a（ta） 6.8mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 28.9nc @ 10V 1947pf @ 25V -
NTZD3155CT1H onsemi NTZD3155CT1H -
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3155 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V -
NP30N06QDK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP30N06QDK-E1-AY 2.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powerldfn NP30N06 MOSFET （金属 o化物） 1W（1W），59W（tc） 8-hson（5x5.4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 30A（TC） 14mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 38nc @ 10V 2250pf @ 25V -
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU，LF 0.4900
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 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L40 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 1.6A（ta），1.4a（ta） 122MOHM @ 1A，10V，226MOHM @ 1A，10V 2.6V @ 1MA，2V @ 1MA 5.1nc @ 10v，2.9nc @ 10V 180pf @ 15V，120pf @ 15V 逻辑水平门，4V驱动器
PHN210,118 NXP USA Inc. PHN210,118 -
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） PHN210 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V - 100mohm @ 2.2a，10v 2.8V @ 1mA 6NC @ 10V 250pf @ 20V 逻辑级别门
IRF7755GTRPBF Infineon Technologies IRF7755GTRPBF -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® （CT） 过时的 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） IRF775 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 20V 3.9a 51MOHM @ 3.7A，4.5V 1.2V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1090pf @ 15V 逻辑级别门
TSM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04DCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 423 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM150 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），40W（TC） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 8a（8a ta），38a tc） 15mohm @ 8a，10v 4V @ 250µA 18NC @ 10V 1132pf @ 20V -
IRF7351PBF Infineon Technologies IRF7351pbf -
RFQ
 ECAD 9320 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF7351pbf MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001570426 Ear99 8541.29.0095 95 2 n 通道（双） 60V 8a 17.8mohm @ 8a，10v 4V @ 50µA 36NC @ 10V 1330pf @ 30V 逻辑级别门
NXH020U90MNF2PTG onsemi NXH020U90MNF2PTG 258.0600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH020 （SIC） 352W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH020U90MNF2PTG Ear99 8541.29.0095 20 2 n 通道（双） 900V 149a（TC） 14mohm @ 100a，15v 4.3V @ 40mA 546.4NC @ 15V 7007pf @ 450V -
FDS6812A onsemi FDS6812A -
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 ECAD 1659年 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a，4.5V 1.5V @ 250µA 19nc @ 4.5V 1082pf @ 10V 逻辑级别门
IRFR220119 Harris Corporation IRFR220119 -
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 ECAD 2647 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRFR220 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 675 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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