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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS4953 | - |  | 1733年 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS49 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 5a | 55mohm @ 5a，10v | 3V @ 250µA | 9NC @ 5V | 528pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
 | SQJ990EP-T1_GE3 | 1.4100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ990 | MOSFET （金属 o化物） | 48W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 100V | 34A（TC） | 40mohm @ 6a，10v，19mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 250µA | 30nc @ 10v，15nc @ 10v | 1390pf @ 25V，650pf @ 25V | - | |||
 | SMA5131 | 6.4600 | | 82 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | 12-sip | SMA51 | MOSFET （金属 o化物） | - | 12-sip | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | SMA5131 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | 6 n通道（3相桥） | 250V | 2a | - | - | - | - | - | ||
 | AO4850 | - | | 7862 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO485 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 75V | 2.3a | 130mohm @ 3.1a，10v | 3V @ 250µA | 7NC @ 10V | 380pf @ 30V | 逻辑级别门 | |||
 | IXTL2X200N085T | - | | 7330 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | isoplusi5-pak™ | ixtl2x200 | MOSFET （金属 o化物） | 150W | isoplusi5-pak™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 2 n 通道（双） | 85V | 112a | 6mohm @ 50a，10v | 4V @ 250µA | 152NC @ 10V | 7600pf @ 25V | - | |||
 | DI2A8N03PWK2 | 0.1699 | | 9651 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | MOSFET （金属 o化物） | 1W（ta） | 6 QFN （2x2） | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2796-DI2A8N03PWK2TR | 8541.29.0000 | 4,000 | 2 n通道 | 30V | 2.8A（ta） | 72MOHM @ 2A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 6.8NC @ 4.5V | 387pf @ 15V | 标准 | |||
| APTM100DUM90G | - | | 4534 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM100 | MOSFET （金属 o化物） | 1250W | SP6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 1000V （1kV） | 78a | 105mohm @ 39a，10v | 5V @ 10mA | 744NC @ 10V | 20700pf @ 25V | - | |||
 | SI4953ADY-T1-E3 | - | | 1222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4953 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 30V | 3.7a | 53MOHM @ 4.9A，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 25nc @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||
 | MMDF2P02HDR2G | - | | 5853 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MMDF2 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2（p 通道（双） | 20V | 3.3a | 160MOHM @ 2A，10V | 2V @ 250µA | 20NC @ 10V | 588pf @ 16V | 逻辑级别门 | |||
 | IRF9952TRPBF | 0.9500 | | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF995 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n和p通道 | 30V | 3.5a，2.3a | 100mohm @ 2.2a，10v | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| DMC3025LDV-13 | 0.2190 | | 7866 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | DMC3025 | MOSFET （金属 o化物） | PowerDI3333-8（UXC） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 15A（TC） | 25mohm @ 7a，10v | 2.4V @ 250µA | 4.6nc @ 4.5V，9.5NC @ 4.5V | 500pf @ 15V，1188pf @ 15V | - | ||||
 | SQJ956EP-T1_GE3 | 1.1100 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ956 | MOSFET （金属 o化物） | 34W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 23A（TC） | 26.7MOHM @ 5.2A，10V | 2.5V @ 250µA | 30nc @ 10V | 1395pf @ 30V | - | ||||
 | ZXMC3A17DN8TA | 0.9700 | | 13 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ZXMC3 | MOSFET （金属 o化物） | 1.25W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n和p通道 | 30V | 4.1a，3.4a | 50mohm @ 7.8a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 12.2nc @ 10V | 600pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| AO4818B | 0.8100 | | 120 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO481 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 19mohm @ 8a，10v | 2.4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
 | ZXMD63N03XTA | 2.2300 | | 4 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） | ZXMD63 | MOSFET （金属 o化物） | 1.04W | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 2.3a | 135mohm @ 1.7A，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 8NC @ 10V | 290pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
| FF6MR12KM1HHPSA1 | 403.1120 | | 3764 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FF6MR12 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 10 | - | |||||||||||||||||
 | SI7212DN-T1-E3 | 2.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7212 | MOSFET （金属 o化物） | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a，10v | 1.6V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||
| SI4816BDY-T1-GE3 | 1.6400 | | 2261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4816 | MOSFET （金属 o化物） | 1W，1.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 5.8a，8.2a | 18.5mohm @ 6.8a，10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||
 | DMG1016V-7 | 0.4700 | | 83 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | DMG1016 | MOSFET （金属 o化物） | 530MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 870mA，640mA | 400mohm @ 600mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.74NC @ 4.5V | 60.67pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||
 | BSM080D12P2C008 | 382.4800 | | 21 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 托盘 | 积极的 | 175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | BSM080 | （SIC） | 600W | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 n 通道（双） | 1200V（1.2kV） | 80A（TC） | - | 4V @ 13.2mA | - | 800pf @ 10V | - | ||
 | CSD75207W15 | 0.6800 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 9-Ufbga，DSBGA | CSD75207 | MOSFET （金属 o化物） | 700MW | 9-DSBGA | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双）共同来源 | - | 3.9a | 162MOHM @ 1A，1.8V | 1.1V @ 250µA | 3.7nc @ 4.5V | 595pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | BUK7K52-60EX | 1.0300 | | 8019 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | buk7k52 | MOSFET （金属 o化物） | 32W | LFPAK56D | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 15.4a | 45mohm @ 5a，10v | 4V @ 1mA | 9.2nc @ 10V | 535pf @ 25V | - | ||
 | CSD87588N | 1.3900 | | 14 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 5-xflga | CSD87588 | MOSFET （金属 o化物） | 6W | 5-PTAB（（（（（（（（（（ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 25a | 9.6mohm @ 15a，10v | 1.9V @ 250µA | 4.1nc @ 4.5V | 736pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
| IRF7313TRPBF-1 | - | | 4060 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IRF731 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 448-IRF7313TRPBF-1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.5A（TA） | 29mohm @ 5.8A，10V | 1V @ 250µA | 33nc @ 10V | 650pf @ 25V | - | ||
 | SIA928DJ-T1-GE3 | 0.4800 | | 5011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SC-70-6双重 | SIA928 | MOSFET （金属 o化物） | 7.8W | POWERPAK®SC-70-6双重 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 4.5A（TC） | 25mohm @ 5A，10V | 2.2V @ 250µA | 4.5NC @ 4.5V | 490pf @ 15V | - | |||
 | AO7800 | 0.1107 | | 5079 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | AO780 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 900mA | 300MOHM @ 900mA，4.5V | 900mv @ 250µA | 1.9nc @ 4.5V | 120pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | SI6926ADQ-T1-BE3 | 1.2500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6926 | MOSFET （金属 o化物） | 830MW（TA） | 8-tssop | 下载 | （1 （无限） | 742-SI6926ADQ-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.1a（ta） | 30mohm @ 4.5A，4.5V | 1V @ 250µA | 10.5NC @ 4.5V | - | - | |||
 | BSC0993NNNDATMA1 | 1.7200 | | 100 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSC0993 | MOSFET （金属 o化物） | PG-Tison-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n通道 | 17A（TA） | 5mohm @ 7a，10v | 2V @ 250µA | - | ||||||
| MSCSM120AM31TBL1NG | 140.4500 | | 8495 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM120 | （SIC） | 310W | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM120AM31TBL1NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 1200V（1.2kV） | 79a | 31mohm @ 40a，20v | 2.8V @ 3mA | 232nc @ 20v | 3020pf @ 1000V | - | |
| VQ1006P | - | | 6088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | - | VQ1006 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 14浸 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 n通道 | 90V | 400mA | 4.5OHM @ 1A，10V | 2.5V @ 1mA | - | 60pf @ 25V | 逻辑级别门 |
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