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![]() | 1N5342/TR12 | 2.6250 | ![]() | 7673 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5342 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 4.9 V | 6.8 v | 1欧姆 | |||
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![]() | CZRV5241B-G | 0.0595 | ![]() | 7057 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -60°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CZRV5241 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22欧姆 | |||
![]() | MMBZ5226B-TP | 0.0306 | ![]() | 3504 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5226 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 100 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||||
1N4122-1/tr | 2.3408 | ![]() | 2661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4122-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200欧姆 | |||||
![]() | BZX384B68-G3-08 | 0.0445 | ![]() | 8719 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX384-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZX384B68 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 47.6 V | 68 v | 240欧姆 | ||||
![]() | HZ33-3-E | 0.1100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||
![]() | D3Z2V4BF-7 | 0.4400 | ![]() | 700 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±4% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | D3Z2V4 | 400兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 50 µA @ 1 V | 2.53 v | 100欧姆 | |||
![]() | BZX584C12V | 0.0170 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX584C12VTR | Ear99 | 8,000 | |||||||||||||||
1N935A-1 | 5.5350 | ![]() | 3461 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N935A-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20欧姆 | ||||||||
![]() | BZT52C36-E3-18 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT52 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52C36 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 40欧姆 | ||||
![]() | SMZJ3790BHM3/i | - | ![]() | 9596 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMZJ37 | 1.5 w | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3200 | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 6欧姆 | ||||
![]() | JANS1N4584AR-1/TR | 121.9650 | ![]() | 7203 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4584AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||
![]() | MM3Z62VC | 0.0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 43.4 V | 62 v | 202欧姆 | |||||||
![]() | JANS1N4620CUR-1/TR | 154.6904 | ![]() | 1978年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4620CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1.65欧姆 | ||||
![]() | BZD27C12PH | 0.2933 | ![]() | 6614 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.39% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-bzd27c12phtr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 9.1 V | 12.05 v | 7欧姆 | |||
1N4959 | 6.6150 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4959 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5欧姆 | |||||
JANTXV1N983B-1/TR | 2.7664 | ![]() | 9141 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N983B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 62 V | 82 v | 330欧姆 | |||||
![]() | 1 PMT5919A/TR13 | - | ![]() | 3487 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 2欧姆 | |||
![]() | JAN1N6341DUS/TR | 49.8300 | ![]() | 5265 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JAN1N6341DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 39 V | 51 v | 85欧姆 | ||||||
![]() | BZT52C24-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 6922 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT52-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52C24 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 18 V | 24 V | 28欧姆 | ||||
![]() | BZT03C110-Tr | 0.2640 | ![]() | 9723 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.45% | 175°C(TJ) | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BZT03C110 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 82 V | 110 v | 250欧姆 | |||
![]() | ZGL41-200-E3/97 | - | ![]() | 4508 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | ZGL41 | 1 w | GL41(do-213ab) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 152 V | 200 v | 1200欧姆 | |||
![]() | TZM5237F-GS18 | - | ![]() | 1115 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | TZM5237 | 500兆 | SOD-80最小 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 v | 500欧姆 | ||||
![]() | 2M200Z A0G | - | ![]() | 9458 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2m200 | 2 w | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 152 V | 200 v | 900欧姆 | ||||
1pgsma120zh | 0.1156 | ![]() | 4410 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1pgsma120 | 1.25 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 v | 550欧姆 | ||||
![]() | 1N4742A_R2_00001 | 0.0270 | ![]() | 3207 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 1N4728A | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4742 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-1N4742A_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 500,000 | 100 NA @ 9.1 V | 12 v | 9欧姆 | |||
![]() | BZX79-B6V2,133 | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | (CT) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX79-B6V2 | 400兆 | Alf2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | |||
DZ23C22-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 4367 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | DZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DZ23 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1对普通阴极 | 100 na @ 17 V | 22 v | 55欧姆 |
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