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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | BZD27C75P-M-18 | - | ![]() | 1089 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZD27-m | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-219ab | BZD27C75 | 800兆 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 v | 100欧姆 | |||
![]() | JANTX1N6339CUS | 39.7950 | ![]() | 1644年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6339CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 33 V | 43 V | 65欧姆 | |||||
![]() | CDLL4106D/TR | 11.5650 | ![]() | 4868 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL4106D/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.12 V | 12 v | 200欧姆 | |||||
![]() | 1N4468 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 7583 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 100 na @ 10.4 V | 13 V | 8欧姆 | ||||||
![]() | 1N5268A(DO-35) | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5268 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 62 V | 82 v | 330欧姆 | |||
![]() | JANS1N4977US/TR | 92.1900 | ![]() | 7853 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANS1N4977US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 47.1 V | 62 v | 42欧姆 | ||||||
JANTXV1N4966D | 22.6200 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4966D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | ||||||
![]() | SMBG5346AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 3331 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5346 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||
![]() | Jan1n4496us | - | ![]() | 2318 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF | 1N4496 | - | 下载 | Jan1n4496uss | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 250 NA @ 160 V | 200 v | 1500欧姆 | |||||||
![]() | 1N4742A,113 | - | ![]() | 1206 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-1N4742A,113-954 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | MMBZ5256ELT1 | 0.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 225兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49欧姆 | ||||
![]() | 1N3325RB | 8.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3325 | 50 W | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N3325RB | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 A | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 3.2欧姆 | ||
![]() | RD43F | 0.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||
BZX84C5V6-G3-08 | 0.0353 | ![]() | 1672年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX84-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C5V6 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | |||||
![]() | 1N5249B_S00Z | - | ![]() | 4633 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5249 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 19 v | 23欧姆 | ||||
![]() | MMSZ5248BQ-7-F | 0.0368 | ![]() | 6441 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ5248 | 370兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 31 MMSZ5248BQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | ||
![]() | SBZBZX84C39LT1 | - | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 3EZ33D/TR12 | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 3EZ33 | 3 W | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 25.1 V | 33 V | 20欧姆 | |||
CDLL5938B | 3.9750 | ![]() | 9380 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5938 | 1.25 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38欧姆 | ||||
![]() | 1N3333R | 8.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±20% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N3333R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 A | 52 v | 5.5欧姆 | ||||
DDZX36-13 | 0.0321 | ![]() | 3751 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±3% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DDZX36 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DDZX36-13DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 30 V | 36.9 v | 85欧姆 | |||
![]() | 3EZ8.2_R2_00001 | 0.1080 | ![]() | 4116 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 3EZ8.2 | 3 W | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-3EZ8.2_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 28,000 | 5 µA @ 6 V | 8.2 v | 2欧姆 | |||
![]() | NTE5279AK | 26.8600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE5279AK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 60 V | 6.5欧姆 | |||||||
![]() | 1N5922CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 1839年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5922 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 6 V | 7.5 v | 3欧姆 | |||
![]() | 1N5932AG | 3.0300 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5932 | 1.25 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 v | 14欧姆 | |||
DZ23C9V1-HE3_A-18 | - | ![]() | 7963 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,DZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | 112-DZ23C9V1-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1对普通阴极 | 100 na @ 7 V | 9.1 v | 4.8欧姆 | |||||||
JANTXV1N3026B-1 | 11.8800 | ![]() | 1047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3026 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | ||||
![]() | Janhca1n751a | 7.2618 | ![]() | 7695 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n751a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | ||||
![]() | JANTXV1N4496US | - | ![]() | 8807 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF | - | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 250 NA @ 160 V | 200 v | 1500欧姆 | |||||||||
1月1N4982C | 22.3650 | ![]() | 3206 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4982 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 76 V | 100 v | 110欧姆 |
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