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![]() | MM3Z5V1C | 0.2200 | ![]() | 9384 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | MM3Z5V1 | 200兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 1.8 µA @ 2 V | 5.1 v | 56欧姆 | ||
![]() | TZX16A-TAP | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TZX | (CT) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | TZX16 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 16 V | 16 V | 45欧姆 | ||
![]() | 1 PMT5942A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 9853 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 v | 70欧姆 | ||
UZ8875 | 23.3700 | ![]() | 6594 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | a,轴向 | 1 w | a,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UZ8875 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 54 V | 75 v | 175欧姆 | ||||||
![]() | MMBZ5228BLT1H | 0.0200 | ![]() | 603 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
![]() | BZG05B3V3-E3-Tr | - | ![]() | 8775 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZG05B | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2.12% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 ma | 40 µA @ 1 V | 3.3 v | 20欧姆 | |||
![]() | BZD27C10P-E3-08 | 0.5300 | ![]() | 620 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZD27C | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 800兆 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 7 µA @ 7.5 V | 10 v | 4欧姆 | ||
![]() | SMPZ3935B-E3/85A | - | ![]() | 5257 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-220aa | SMPZ39 | 500兆 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 500 NA @ 20.6 V | 27 V | 23欧姆 | ||
![]() | BZG05C18-HE3-Tr | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZG05C | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | 150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 13 V | 18 V | 20欧姆 | ||
![]() | RD16E-T1-AZ | 0.0300 | ![]() | 948 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
JANS1N4615-1/TR | 55.5200 | ![]() | 5344 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4615-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1.25欧姆 | ||||
![]() | 1N3339RB | 8.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N3339RB | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 A | 5 µA @ 69.2 V | 91 v | 15欧姆 | ||
![]() | MMSZ4694-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 5811 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ4694 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 v | ||||
![]() | 1N4133/tr | 2.6400 | ![]() | 2851 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4133/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 358 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 66.12 V | 87 v | 1000欧姆 | ||||
Jan1n4477c | 15.5700 | ![]() | 1546年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4477 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 26.4 V | 33 V | 25欧姆 | |||
JANTX1N5541B-1 | - | ![]() | 5294 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19.8 V | 22 v | 100欧姆 | ||||
JANS1N4954C | 359.7600 | ![]() | 3255 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-JANS1N4954C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 1欧姆 | |||||
![]() | 1N4749AH | 0.1188 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4749 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25欧姆 | |||
![]() | 2EZ13D2E3/TR8 | - | ![]() | 8015 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 2EZ13 | 2 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 5欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N4986DUS | 51.1200 | ![]() | 5299 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4986DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 114 V | 150 v | 330欧姆 | ||||
![]() | HZU15B2JTRF-E | 0.1100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
![]() | CD4743A | 1.8354 | ![]() | 6332 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 1 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD4743A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 10欧姆 | |||
![]() | JANTX1N5519BUR-1 | - | ![]() | 8810 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | - | 表面安装 | DO-213AA() | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | ||||||
![]() | RKZ18BKU#p6 | 0.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | |||||||||||||
JANS1N6319DUS | 412.1550 | ![]() | 7747 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 托盘 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6319 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 3欧姆 | ||||
![]() | BZX79C12 | 0.0300 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 ma | 100 na @ 8 V | 12 v | 25欧姆 | ||||||
![]() | 1N5264C-Tr | 0.0288 | ![]() | 3246 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5264 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 NA @ 46 V | 60 V | 170欧姆 | ||
![]() | SMBJ5926B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 4322 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5926 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 5.5欧姆 | ||
![]() | CD5338B | 5.0673 | ![]() | 8460 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | 死 | 5 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5338B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 1.5欧姆 |
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