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![]() | 1 PMT5921B/TR7 | - | ![]() | 3455 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 2.5欧姆 | ||
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UZ8220 | 22.4400 | ![]() | 2862 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | a,轴向 | 1 w | a,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UZ8220 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 144 V | 200 v | 1500欧姆 | ||||||
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![]() | JANTX1N4129DUR-1 | 30.4050 | ![]() | 6123 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4129 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 47.1 V | 62 v | 500欧姆 | ||
![]() | TLZ36B-GS08 | 0.2500 | ![]() | 725 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TLZ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | TLZ36 | 500兆 | SOD-80最小 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 40 NA @ 31.2 V | 36 V | 75欧姆 | ||
![]() | RD15E | 0.0300 | ![]() | 343 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | pzu9.1ba-qx | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 320兆W | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 500 µA @ 6 V | 9.06 v | 10欧姆 | |||
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![]() | 1N4754A-T | - | ![]() | 4534 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | 175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4754 | 1.3 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 v | 1000欧姆 | |||
![]() | 1N4737A-T | - | ![]() | 4582 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | 175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4737 | 1.3 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 700欧姆 | |||
![]() | JAN1N3045CUR-1/TR | 29.0339 | ![]() | 2991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3045CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | |||
![]() | JANTX1N4120DUR-1/TR | 27.0921 | ![]() | 4678 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4120DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200欧姆 | |||
![]() | JANS1N6353US | - | ![]() | 1295 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 122 V | 151 v | 1200欧姆 | ||||
![]() | CD4121C | 6.1950 | ![]() | 2937 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD4121C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 10 NA @ 25.08 V | 33 V | 200欧姆 | ||||
![]() | BZT52B5V6-G3-08 | 0.3600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT52-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B5V6 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 1 V | 5.6 v | 40欧姆 | |||
![]() | 1EZ110D2E3/TR8 | - | ![]() | 9973 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1EZ110 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 83.6 V | 110 v | 570欧姆 | |||
![]() | Jan1n4976us/tr | 9.3600 | ![]() | 7577 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4976US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 42.6 V | 56 v | 35欧姆 | |||||
![]() | CZRFR52C3-HF | 0.0805 | ![]() | 1378 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | 表面安装 | 1005 (2512公制) | CZRFR52 | 200兆 | 1005/SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | ||
JANTXV1N5536C-1 | 23.3700 | ![]() | 5571 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5536 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100欧姆 | |||
![]() | SMZJ3796BHM3_A/i | 0.1815 | ![]() | 8707 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMZJ3796 | 1.5 w | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3200 | 5 µA @ 15.2 V | 20 v | 14欧姆 |
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