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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3011b | 36.9900 | ![]() | 1182 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3011 | 10 W | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 114 V | 150 v | 175欧姆 | |||
![]() | CD758 | 1.6950 | ![]() | 5845 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD758 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | |||||
![]() | JAN1N3828CUR-1 | 35.5200 | ![]() | 7542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3828 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2欧姆 | |||
![]() | Jan1n485b | - | ![]() | 4575 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/118 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N485 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 ma | 5 µA @ 180 V | 180 v | ||||
BZT52C33 | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.06% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52C33TR | Ear99 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 23.1 V | 33 V | 80欧姆 | ||||||
![]() | TSZU52C2V0 | 0.0669 | ![]() | 2038 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 0603((1608)) | tszu52 | 150兆 | 0603 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSZU52C2V0TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 µA @ 1 V | 2 v | 100欧姆 | |||
1SMA5944HR3G | - | ![]() | 5141 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1SMA5944 | 1.5 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 500 NA @ 47.1 V | 62 v | 100欧姆 | |||||
BZB84-B4V7,215 | 0.3000 | ![]() | 9852 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZB84-B4V7 | 300兆 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||
![]() | ZM4752A | 0.0838 | ![]() | 9995 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | ZM4752 | 1 w | 梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-ZM4752ATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45欧姆 | ||||
![]() | 1N5223BUR-1/TR | 3.0200 | ![]() | 1114 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 329 | 1.1 V @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30欧姆 | |||||||
flz9v1c | - | ![]() | 4502 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | FLZ9 | 500兆 | SOD-80 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 27,500 | 1.2 V @ 200 ma | 300 na @ 6 V | 9.1 v | 6.6欧姆 | |||||
![]() | SMB2EZ68D5-TP | - | ![]() | 6932 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMB2EZ68 | 2 w | DO-214AA(SMB) | - | rohs3符合条件 | 353-SMB2EZ68D5-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 ma | 500 NA @ 51.7 V | 68 v | 75欧姆 | ||||
![]() | JANTXV1N980DUR-1/TR | 21.6258 | ![]() | 7503 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N980DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 47 V | 62 v | 185欧姆 | ||||
![]() | 1N5940CG | 6.7950 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5940 | 1.25 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53欧姆 | |||
![]() | BZG03B10TR3 | - | ![]() | 2102 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZG03B | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 mA | 10 µA @ 7.5 V | 10 v | 4欧姆 | ||||
![]() | HZM15NB1TR-E | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 肾脏 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.19% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200兆 | 3-mpak | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2156-HZM15NB1TR-E | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 11 V | 14.15 v | 40欧姆 | |||||
![]() | HZ30-3L-E | 0.1000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||
![]() | 1N5388BE3/TR8 | - | ![]() | 8467 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5388 | 5 w | T-18 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 144 V | 200 v | 480欧姆 | ||||
![]() | BZV55C18 L0G | 0.0333 | ![]() | 7805 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZV55C | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 13 V | 18 V | 50欧姆 | |||
![]() | BZX585-B30,115 | 0.3800 | ![]() | 5048 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZX585-B30 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 21 V | 30 V | 80欧姆 | |||
BZT52B39-G RHG | 0.0461 | ![]() | 2508 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 27.3 V | 39 v | 130欧姆 | ||||
![]() | Janhca1n978b | 8.5785 | ![]() | 8698 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n978b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 v | 125欧姆 | ||||
![]() | 1 PMT5922BE3/TR7 | - | ![]() | 3277 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 6 V | 7.5 v | 3欧姆 | ||||
![]() | BZT52C6V8-13-G | - | ![]() | 4699 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | BZT52 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | BZT52C6V8-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||
![]() | BZX384C24-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 7353 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX384 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZX384C24 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | ||||
![]() | BZX85B75-Tr | 0.3800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX85 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BZX85B75 | 1.3 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 56 V | 75 v | 135欧姆 | ||||
![]() | RD10ES-T1-AZ | 0.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5355 V7G | - | ![]() | 6817 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-1PGSMC5355V7GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 13.7 V | 18 V | 3欧姆 | |||
![]() | BZT52-B3V9X | 0.0417 | ![]() | 8578 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.05% | -55°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52 | 590兆w | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 95欧姆 | |||
![]() | JANTX1N4992DUS/TR | 69.8400 | ![]() | 7577 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4992DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 206 V | 270 v | 800欧姆 |
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