SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N6326DUS Microchip Technology 1N6326DUS 32.4387
RFQ
ECAD 7889 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6326DUS Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 9 V 12 v 7欧姆
JANTX1N5968US Microchip Technology JANTX1N5968US -
RFQ
ECAD 8411 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N5968 5 w E,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
Z3SMC120 Diotec Semiconductor Z3SMC120 0.2393
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AB,SMC 3 W SMC(do-214ab) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-Z3SMC120TR 8541.10.0000 3,000 1 µA @ 60 V 120 v 80欧姆
1N5565B TR Central Semiconductor Corp 1N5565B TR -
RFQ
ECAD 1739年 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 T-18,轴向 5 w AX-5W 下载 1514-1N5565BTR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 1 A
HZ6C3TD-E Renesas Electronics America Inc HZ6C3TD-E 0.1100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
BZG04-18-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-18-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 7570 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZG04-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG04 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 mA 5 µA @ 18 V 22 v
PZU3.3B,115 Nexperia USA Inc. PZU3.3B,115 0.3500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-90,SOD-323F pzu3.3 310 MW SOD-323F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
BZT52H-C5V1,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C5V1,115 0.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C(TA) 表面安装 SOD-123F BZT52 375兆 SOD-123F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 60欧姆
CDLL826/TR Microchip Technology CDLL826/tr 6.3600
RFQ
ECAD 2853 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±4.83% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL826/tr Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.2 v 15欧姆
1N757A-1/TR Microchip Technology 1N757A-1/TR 2.1800
RFQ
ECAD 9295 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N757A-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 7 V 9.1 v 6欧姆
GDZ16B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ16B-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 GDZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±4% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 GDZ16 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 12 V 16 V 50欧姆
AZ23C36-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C36-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 9157 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,AZ23 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23C36 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对公共阳极 100 na @ 27 V 36 V 90欧姆
2M17ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M17ZHA0G -
RFQ
ECAD 1101 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 2M17 2 w DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 13 V 17 V 9欧姆
NTE5288AK NTE Electronics, Inc NTE5288AK 33.8600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 下载 rohs3符合条件 2368-NTE5288AK Ear99 8541.10.0050 1 120 v 40欧姆
1N2976RA Solid State Inc. 1N2976RA 6.5000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 固态公司 - 盒子 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N2976 10 W do-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-1N2976RA Ear99 8541.10.0080 10 1.5 V @ 2 A 5 µA @ 8.6 V 12 v 3欧姆
1N4573A-1 Microchip Technology 1N4573A-1 9.9300
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C〜100°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4573 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100欧姆
JANS1N4103DUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4103DUR-1/TR 137.4500
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4103DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 7 V 9.1 v 200欧姆
CD5273B Microchip Technology CD5273B 1.6350
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-CD5273B Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 91 V 120 v 900欧姆
PZU8.2B,115 Nexperia USA Inc. PZU8.2B,115 0.0616
RFQ
ECAD 2238 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-90,SOD-323F PZU8.2 310 MW SOD-323F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 500 na @ 5 v 8.2 v 10欧姆
BZX384B62-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B62-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 7503 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX384 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384B62 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 43.4 V 62 v 215欧姆
JANTX1N973DUR-1 Microchip Technology JANTX1N973DUR-1 23.7300
RFQ
ECAD 9213 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N973 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 25 V 33 V 58欧姆
1N5226BE3 Microchip Technology 1N5226BE3 2.0400
RFQ
ECAD 7673 0.00000000 微芯片技术 - 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5226 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1N5226BE3MS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28欧姆
TZM5263F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5263F-GS18 -
RFQ
ECAD 1215 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5263 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 43 V 56 v 1300欧姆
1SMB5947BT3G onsemi 1SMB5947BT3G 0.3800
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB 1SMB5947 3 W SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 62.2 V 82 v 160欧姆
MTZJ4V3SB Taiwan Semiconductor Corporation mtzj4v3sb 0.0305
RFQ
ECAD 4879 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204Ag,do-34,轴向 mtzj4 500兆 do-34 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-MTZJ4V3SBTR Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 V 4.3 v 100欧姆
1N5342B_R2_00001 Panjit International Inc. 1N5342B_R2_00001 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 1N5338B 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 do-201 ae,轴向 1N5342 5 w do-2011ae 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 10 µA @ 5.2 V 6.8 v 1欧姆
1N4120UR-1 Microchip Technology 1N4120UR-1 3.7950
RFQ
ECAD 5692 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N4120 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
DDZ27BSF-7 Diodes Incorporated DDZ27BSF-7 0.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±3% -65°C〜150°C 表面安装 SC-90,SOD-323F DDZ27 500兆 SOD-323F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 70 NA @ 23.7 V 25.62 v 70欧姆
1N5378E3/TR12 Microsemi Corporation 1N5378E3/TR12 -
RFQ
ECAD 5535 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5378 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 72 V 100 v 90欧姆
BZT52B3V3 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3 RHG 0.2700
RFQ
ECAD 32 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-123F BZT52B 500兆 SOD-123F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 mA 4.5 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库