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JANTXV1N5524D-1/TR | 26.0414 | ![]() | 4957 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5524D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 3.5 V | 5.6 v | 30欧姆 | ||||
![]() | 1N5381C/TR12 | - | ![]() | 8524 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5381 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 93.6 V | 130 v | 190欧姆 | ||
MTZJT-773.0B | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt773.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3 V | ||||||
![]() | 3EZ13_R2_00001 | 0.1080 | ![]() | 3789 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 3EZ13 | 3 W | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-3EZ13_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 28,000 | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 5欧姆 | ||
![]() | 1N712A/TR | 1.8620 | ![]() | 6601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N712A/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.2 v | 6欧姆 | |||||
![]() | BZX384-C33-QX | 0.0390 | ![]() | 4869 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZX384 | 300兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-BZX384-C33-QXTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 23.1 V | 33 V | 80欧姆 | ||
![]() | MMSZ4697-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 8617 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ4697 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 7.6 V | 10 v | ||||
![]() | MMXZ5249C-TP | 0.0488 | ![]() | 6232 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | MMXZ5249 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | 353-MMXZ5249C-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 100 ma | 100 na @ 14 V | 19 v | 23欧姆 | ||||
BZD27C56PHRHG | - | ![]() | 6342 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±7.14% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 43 V | 56 v | 60欧姆 | |||
![]() | 1N2824RB | 96.0150 | ![]() | 1851年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2824 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 3.2欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N3037DUR-1 | 56.9100 | ![]() | 1756年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3037 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 38.8 V | 51 v | 95欧姆 | ||
![]() | CDLL4683 | 3.3450 | ![]() | 3255 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4683 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 800 na @ 1 V | 3 V | |||
![]() | BZT52B4V7S | 0.0340 | ![]() | 2496 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52B | 200兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52B4V7STR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||
1N5528C | 11.3550 | ![]() | 2452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5528C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.5 V | 8.2 v | 40欧姆 | |||||
![]() | 1月1N2826RB | - | ![]() | 8548 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | to-204ad | 1N2826 | 10 W | TO-204AD(TO-3) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 29.7 V | 39 v | 4欧姆 | |||
![]() | JANS1N4979C | 299.3502 | ![]() | 9918 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4979C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | 1N5334BRL | - | ![]() | 7663 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5334 | 5 w | 轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 1 A | 150 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5欧姆 | ||
![]() | 1N5941A | 3.4050 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5941 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67欧姆 | |||
![]() | CDLL4920A | 79.7100 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4920 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 v | 300欧姆 | ||||
![]() | HZK20JTR | 0.1700 | ![]() | 187 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||
JANTX1N753C-1/TR | 5.8387 | ![]() | 2747 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N753C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 7欧姆 | ||||
![]() | SMBJ5930AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 6774 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5930 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | ||
![]() | 1N4738ABULK | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4738ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5欧姆 | ||||
![]() | 1N3337B | 49.3800 | ![]() | 2863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3337 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 56 V | 75 v | 9欧姆 | ||
![]() | JAN1N759CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 4305 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N759 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9 V | 12 v | 30欧姆 | ||
JANTX1N4468DUS | 35.2050 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4468 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 10.4 V | 13 V | 8欧姆 | |||
JANTX1N6312DUS | 55.6050 | ![]() | 9582 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6312 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27欧姆 | ||||
![]() | BZT52C5V1HE3-TP | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.88% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52C5V1 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||
![]() | 1N5265B-G | - | ![]() | 5464 | 0.00000000 | comchip技术 | - | (TB) | 过时的 | - | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-1N5265B-GTB | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 47 V | 62 v | 185欧姆 | |||
ZMY7V5-GS08 | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | ZMY7V5 | 1 w | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 na @ 5 v | 7.5 v | 2欧姆 |
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