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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF35G-BP | 0.1454 | ![]() | 第1687章 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SF35 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 353-SF35G-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 300伏 | 1.27V@3A | 35纳秒 | 300V时为5μA | -65℃~150℃ | 3A | 30pF @ 4V、1MHz | ||||
![]() | S1M-AQ-CT | 0.1972 | ![]() | 8826 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | S1M | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S1M-AQ-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 1V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||
![]() | M1104NK450 | - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | IXYS | * | 盒子 | 的积极 | M1104 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 238-M1104NK450 | 12 | |||||||||||||||
![]() | MSASC75H60F/TR | - | ![]() | 9384 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | REACH 不出行 | 150-MSASC75H60F/TR | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | R7014003XXUA | - | ![]() | 4969 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-200AA、A-PUK | R7014003 | 标准,反脊柱 | DO-200AA、R62 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 4000伏 | 2.15V@1500A | 9微秒 | 50毫安@4000伏 | -65℃~200℃ | 300A | - | |||
![]() | CSFA105-G | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | CSFA105 | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.5V@1A | 35纳秒 | 5μA@600V | -55℃~150℃ | 1A | - | ||
![]() | G3S12002A | 3.8200 | ![]() | 3116 | 0.00000000 | 环球动力科技 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.7V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 7A | 136pF @ 0V、1MHz | ||||
![]() | HER102散装 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2439-HER102散装 | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.1V@1A | 50纳秒 | 100V时为5μA | -65℃~150℃ | 1A | 50pF @ 4V,1MHz | ||||
![]() | US3BC-HF | 0.1471 | ![]() | 8720 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | US3B | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 641-US3BC-HFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1V@3A | 50纳秒 | 100V时为5μA | -55℃~150℃ | 3A | - | ||
![]() | RB521S-30G9JTE61 | - | ![]() | 5761 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | RB521 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-RB521S-30G9JTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | CD214B-R2400 | - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 伯恩斯公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | CD214B | 标准 | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1V@1A | 5μA@400V | -65℃~175℃ | 2A | 25pF@4V,1MHz | |||
![]() | STPS5L60RL | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | STPS5 | 肖特基 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,900人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 520 毫伏 @ 5 安 | 60V时为220μA | 150℃(最高) | 5A | - | |||
![]() | S3D M6G | - | ![]() | 2105 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | S3D | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.15V@3A | 1.5微秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 3A | 30pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | CUR802-G | - | ![]() | 3048 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | CUR80 | 标准 | TO-220AC | - | 符合ROHS3标准 | 641-CUR802-G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1V@8A | 60纳秒 | 10μA@100V | -55℃~150℃ | 8A | 40pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | JANTXV1N4454UR-1/TR | 3.8038 | ![]() | 6421 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/144 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV1N4454UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@10mA | 4纳秒 | 50V时为100nA | -55℃~175℃ | 200毫安 | - | |||
![]() | BAS170WS-G3-18 | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | BAS170 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 70V | 1V@15mA | 70V时为10μA | -55℃~125℃ | 70毫安 | 2pF@0V、1MHz | |||
![]() | BY228TR | 1.1300 | ![]() | 第725章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | SOD-64,肥胖 | 228年前后 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1500伏 | 1.5V@5A | 20微秒 | 1500V时为5μA | 140℃(最高) | 3A | - | ||
| JANTXV1N6622U | 18.1050 | ![]() | 7058 | 0.00000000 | 美高森美公司 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 1N6622 | 标准 | D-5A | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.4V@1.2A | 30纳秒 | 500nA@600V | -65℃~150℃ | 1.2A | - | |||
![]() | JANS1N6642UB2/TR | 80.3400 | ![]() | 第1678章 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/578 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | 标准 | UB2 | - | 150-JANS1N6642UB2/TR | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 75V | 1.2V@100mA | 5纳秒 | 500nA@75V | -65℃~175℃ | 300毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | SIDC08D60C8X1SA1 | - | ![]() | 2200 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | SIDC08 | 标准 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.95V@30A | 600V时为27μA | -40℃~175℃ | 30A | - | |||
![]() | ACGRC504-G | 0.2501 | ![]() | 3114 | 0.00000000 | 芯芯科技 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | ACGRC504 | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.15V@5A | 1700V时为5μA | -55℃~150℃ | 5A | 25pF@4V,1MHz | ||||
![]() | 设置121211 | - | ![]() | 2030年 | 0.00000000 | 森泰克公司 | - | 大部分 | SIC停产 | 焊接 | 模块 | 设置121 | 标准 | - | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.1V@9A | 30纳秒 | 150V时为20μA | -55℃~150℃ | 30A | - | |||
![]() | VS-S1560 | - | ![]() | 5172 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | * | 管子 | 过时的 | S1560 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 过时的 | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||
![]() | HSM880GE3/TR13 | 1.5600 | ![]() | 第1392章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-215AB,SMC鸥翼 | HSM880 | 肖特基 | DO-215AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 780 毫伏 @ 8 安 | 80V时为500μA | -55℃~175℃ | 8A | - | |||
![]() | ES3D-E3/9AT | 0.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | ES3 | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 900毫伏@3安 | 30纳秒 | 10μA@200V | -55℃~150℃ | 3A | 45pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | ER3D | 0.1138 | ![]() | 3771 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | ER3 | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 950毫伏@3安 | 35纳秒 | 5μA@200V | -65℃~150℃ | 3A | 45pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | PMEG6010EP-QX | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 530毫伏@1安 | 60V@60μA | 150℃ | 1A | 120pF@1V、1MHz | ||||
![]() | US2JA | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | US2J | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@1.5A | 75纳秒 | 5μA@600V | -55℃~150℃ | 1.5A | 30pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | LSM150G/TR13 | 1.2900 | ![]() | 6646 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-215AA,SMB鸥翼 | LSM150 | 肖特基 | DO-215AA | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 580毫伏@1安 | 1毫安@50伏 | -55℃~150℃ | 1A | - | |||
| 1N8035-GA | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-276AA | 1N8035 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-276 | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@15A | 0纳秒 | 5μA@650V | -55℃~250℃ | 14.6A | 1107pF @ 1V、1MHz |

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