SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
SS1H9-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H9-M3/5AT 0.1061
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SS1H9 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 860 mv @ 2 a 1 µA @ 90 V -65°C〜175°C 1a -
SS22-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22-M3/5BT 0.1440
RFQ
ECAD 7945 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS22 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA @ 20 V -60°C〜125°C 2a -
SS24SHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24SHE3_A/i -
RFQ
ECAD 6519 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 do-214ac,SMA SS24 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 2 a 200 µA @ 40 V -55°C〜150°C 2a 130pf @ 4V,1MHz
RGP10DE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DE-M3/73 -
RFQ
ECAD 9239 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DHE3/53 -
RFQ
ECAD 1665年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 5722 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10GHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GHM3/73 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10J-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10J-E3/53 -
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10JE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JE-M3/73 -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10JHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JHE3/53 -
RFQ
ECAD 1656年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10KE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10KE-E3/53 -
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10KEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10Kehe3/53 -
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10KEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10Kehe3/91 -
RFQ
ECAD 4987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10K-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10K-M3/73 -
RFQ
ECAD 3773 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RMPG06D-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06D-E3/53 0.1792
RFQ
ECAD 4706 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06DHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06DHE3_A/53 0.1792
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06GHE3_A/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06GHE3_A/100 0.2673
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06JHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06JHE3_A/53 0.1792
RFQ
ECAD 9348 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
SB040-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/100 -
RFQ
ECAD 1964年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 SB040 肖特基 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 600 mA 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 600mA -
SB250-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB250-E3/73 -
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB250 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 2a -
SB260-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB260-E3/53 0.2716
RFQ
ECAD 7035 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB260 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 2a -
SD101A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD101 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 60 V 1 V @ 15 mA 200 na @ 50 V 125°c (最大) 30mA 2pf @ 0v,1MHz
SD101B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101B-TAP 0.0446
RFQ
ECAD 6641 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD101 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 mv @ 15 ma 200 NA @ 40 V 125°c (最大) 30mA 2.1pf @ 0v,1MHz
SD103A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103A-TAP 0.3500
RFQ
ECAD 9464 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 30 V 125°c (最大) 200mA 50pf @ 0v,1MHz
SD103C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103C-TAP 0.0528
RFQ
ECAD 8277 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 10 V 125°c (最大) 200mA 50pf @ 0v,1MHz
SF4004-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF4004-TAP 0.3267
RFQ
ECAD 9712 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 SF4004 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1a -
SF4005-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF4005-TAP 0.3267
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 SF4005 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1a -
UF1005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF1005-E3/73 -
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF1005 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 75 ns -65°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
UF1005-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF1005-M3/73 -
RFQ
ECAD 7662 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF1005 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 75 ns -65°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
UF4007-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4007-E3/53 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1 A 75 ns -65°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库