SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
CDBURT0530LL-HF Comchip Technology CDBURT0530LL-HF 0.4000
RFQ
ECAD 38 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-SMD,没有铅 CDBURT0530 肖特基 0603/SOD-523F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 4,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 460 mv @ 500 mA 100 µA @ 20 V -55°C〜125°C 500mA 30pf @ 1V,1MHz
SURA8205T3G onsemi SURA8205T3G -
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA Sura8205 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 940 mv @ 2 a 30 ns 2 µA @ 50 V -65°C〜175°C 2a -
SB1003M3-TL-W onsemi SB1003M3-TL-W 0.4100
RFQ
ECAD 216 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 SB1003 肖特基 3-MCPH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 530 MV @ 1 A 10 ns 15 µA @ 16 V -55°C〜125°C 1a 27pf @ 10v,1MHz
SBAT54XV2T1G onsemi SBAT54XV2T1G 0.4100
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-79,SOD-523 SBAT54 肖特基 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜125°C 200mA 10pf @ 1V,1MHz
SBE002-TL-W onsemi SBE002-TL-W -
RFQ
ECAD 2447 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-23-6 SBE002 肖特基 6-CPH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 550 mv @ 1 a 10 ns 80 µA @ 25 V -55°C〜125°C 1a 52pf @ 10V,1MHz
SBRT15U100SP5-7D Diodes Incorporated SBRT15U100SP5-7D 0.3870
RFQ
ECAD 9764 0.00000000 二极管合并 Trenchsbr 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi™5 SBRT15 超级障碍 PowerDi™5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SBRT15U100SP5-7DITR Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 700 MV @ 15 A 200 µA @ 100 V -65°C〜150°C 15a -
RGP30BLHE3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30BLHE3/72 -
RFQ
ECAD 2848 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 大部分 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 RGP30 标准 Do-201 AD - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
MUR420-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR420-M3/73 -
RFQ
ECAD 5592 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Mur420 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 890 mv @ 4 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 4a -
MUR440-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR440-M3/73 -
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 MUR440 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.28 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 4a -
P600A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600A-E3/73 -
RFQ
ECAD 3861 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 P600,轴向 P600 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 900 mv @ 6 a 2.5 µs 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 6a 150pf @ 4V,1MHz
P600B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600B-E3/73 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 P600,轴向 P600 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 900 mv @ 6 a 2.5 µs 5 µA @ 100 V -50°C〜150°C 6a 150pf @ 4V,1MHz
RGP02-12E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12E-E3/53 -
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-12E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12E-M3/73 -
RFQ
ECAD 5050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-14E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-14E-E3/53 -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1400 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1400 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-15E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-M3/73 -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1500 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1500 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-17EHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17EHE3/53 -
RFQ
ECAD 4296 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1700 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1700 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP10BEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BEHE3/53 -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10BE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1408 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10B-M3/73 -
RFQ
ECAD 4826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DE-E3/53 -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
S3J-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3J-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S3J 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.15 V @ 2.5 A 2.5 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
S5D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5D-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 2187 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5D 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
S5J-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5J-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5J 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
S5M-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5M-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5M 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
SA2G-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2G-M3/5AT 0.0717
RFQ
ECAD 8976 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SA2 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 2 A 1.5 µs 3 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 2a 11pf @ 4V,1MHz
SB250-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB250-E3/54 0.1104
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB250 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 50 V -65°C〜150°C 2a -
SB2J-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2J-M3/5BT 0.1160
RFQ
ECAD 5722 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB2 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.15 V @ 2 A 2 µs 1 µA @ 600 V -55°C〜150°C 2a 16pf @ 4V,1MHz
SB2M-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2M-M3/5BT 0.1160
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB2 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.15 V @ 2 A 2 µs 1 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 2a 16pf @ 4V,1MHz
SBYV26CHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV26CHM3/54 -
RFQ
ECAD 6144 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SBYV26 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.5 V @ 1 A 30 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 45pf @ 4V,1MHz
SD101AW-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101AW-E3-18 0.3300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123 SD101 肖特基 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 60 V 1 V @ 15 mA 1 ns 200 na @ 50 V -55°C〜125°C 30mA 2pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库