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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
1N4004GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GPE-E3/73 -
RFQ
ECAD 5449 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4004 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 IN4004GPE-E3/73 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4005GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4042 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4005 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4006GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 5650 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4006GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/73 0.5400
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-E3/73 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/73 -
RFQ
ECAD 5004 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 IN4007GPEHE3/73 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4247GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4247GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4247 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 600 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4248GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4248GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4622 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4248 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 800 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4384GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4384GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N4384 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a -
1N4934-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934-E3/73 0.4400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -50°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
1N4934GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4934GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 5249 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4936-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4936-E3/73 0.3100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4936 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
1N4937-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937-E3/73 0.3000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4937 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
1N4937GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 3908 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4937 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4944GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4944GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 9307 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4944 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4946GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4946GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 2462 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4946 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4948GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4948GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 7425 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4948 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N5062GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5062GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5062 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N5391-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5391-E3/73 -
RFQ
ECAD 5045 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5391 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N5393GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5393GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6181 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5393 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N5402-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5402-E3/73 0.5200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N5402 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 3 A 5 µA @ 200 V -50°C〜150°C 3a 30pf @ 4V,1MHz
1N5408-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5408-E3/73 -
RFQ
ECAD 4807 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N5408 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 3 A 5 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 3a 30pf @ 4V,1MHz
1N5614GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5614GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5614 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 1 A 2 µs 500 na @ 200 V -65°C〜175°C 1a 45pf @ 12V,1MHz
1N5621GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5621GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5621 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 300 ns 500 NA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 4V,1MHz
1N5394-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5394-E3/54 0.3700
RFQ
ECAD 124 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5394 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 300 V -50°C〜150°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N5395GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5395GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5395 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N5398GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5398GP-E3/54 0.2318
RFQ
ECAD 3029 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5398 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N5403-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5403-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N5403 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,400 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.2 V @ 3 A 5 µA @ 300 V -55°C〜150°C 3a 30pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库