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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UES1305 | 30.6900 | ![]() | 3973 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | UES1305 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 3 A | 50 ns | 20 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||
![]() | UFR3260 | 93.6300 | ![]() | 8615 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | UFR3260 | 标准 | do-4 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.35 V @ 30 A | 60 ns | 15 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 30a | - | ||
1月1N1188 | 58.1850 | ![]() | 5454 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/297 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1188 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 35a | - | ||||
![]() | Jan1n4150ur-1 | 1.5300 | ![]() | 5891 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/231 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N4150 | 标准 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||
1月1N457 | - | ![]() | 5618 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/193 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N457 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 100 ma | 25 NA @ 70 V | -65°C〜150°C | 150mA | - | ||||
![]() | 1月1N5711-1 | 5.9550 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5711 | 肖特基 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 70 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | JANTX1N1186 | 107.3700 | ![]() | 7379 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/297 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1186 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||
![]() | JANTX1N1202A | 69.5850 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/260 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1202 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 2.3 V @ 240 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||
JANTX1N1614 | - | ![]() | 9522 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/162 | 大部分 | 在sic中停产 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.5 V @ 15 A | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||
JANTX1N3289 | - | ![]() | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3289 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1.55 V @ 310 A | 10 mA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | ||||
![]() | JANTX1N3671A | 54.1800 | ![]() | 2902 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/260 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3671 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 2.3 V @ 240 A | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||
JANTX1N3891 | 299.2500 | ![]() | 9929 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/304 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3891 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.5 V @ 38 A | 200 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 12a | - | |||
JANTX1N486B | - | ![]() | 2503 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/118 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N486 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 225 v | 1 V @ 100 ma | 25 NA @ 225 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||
JANTX1N5551US | 10.0650 | ![]() | 7370 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5551 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||
![]() | JANTX1N6643 | 6.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | 1N6643 | 标准 | 05塑料包装 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 125 v | 1.2 V @ 100 ma | 6 ns | 50 na @ 20 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | SDM2U20CSP-7 | 0.3800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-XDFN | SDM2U20 | 肖特基 | X3-WLB1608-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 470 mv @ 2 a | 150 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 2a | 115pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | US2G-TP | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | US2G | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 2a | 28pf @ 4V,1MHz | ||
VS-100BGQ015HF4 | 4.6476 | ![]() | 3265 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | PowerTab® | 100BGQ015 | 肖特基 | PowerTab® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS100BGQ015HF4 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 15 v | 520 mv @ 100 a | 18 ma @ 15 V | -55°C〜125°C | 100a | 3800pf @ 5V,1MHz | |||
VS-100BGQ030HF4 | 4.5103 | ![]() | 2044 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | PowerTab® | 100BGQ030 | 肖特基 | PowerTab® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS100BGQ030HF4 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 630 MV @ 100 A | 2.4 mA @ 30 V | -55°C〜150°C | 100a | - | |||
VS-10ETF04PBF | - | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | 10ETF04 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS10ETF04PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 10 A | 200 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||
![]() | VS-10ETF04SPBF | - | ![]() | 6006 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 10ETF04 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 10 A | 200 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||
VS-10ETF06-M3 | 1.3142 | ![]() | 9864 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 10ETF06 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS10ETF06M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.2 V @ 10 A | 200 ns | 100 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||
![]() | VS-10ETF10FP-M3 | 2.7400 | ![]() | 912 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 10etf10 | 标准 | TO-220-2完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.33 V @ 10 A | 310 ns | 100 µA @ 1000 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||
![]() | VS-10ETF12SPBF | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 10etf12 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS10ETF12SPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 1.33 V @ 10 A | 310 ns | 100 µA @ 1000 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |
![]() | VS-108FP-M3 | 2.3200 | ![]() | 978 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 10ETS08 | 标准 | TO-220-2完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 10 A | 50 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||
VS-10TQ035-N3 | - | ![]() | 6328 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | 10TQ035 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS10TQ035N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 570 mv @ 10 A | 2 ma @ 40 V | -55°C 〜175°C | 10a | 900pf @ 5V,1MHz | |||
![]() | VS-12EWH06FN-M3 | 1.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | 12ewh06 | 标准 | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS12EWH06FNM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 2.5 V @ 12 A | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 12a | - | ||
VS-150EBU02HF4 | 8.4500 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | PowerTab® | 150EBU02 | 标准 | PowerTab® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 150 A | 50 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 150a | - | ||||
![]() | VS-150U120DM12 | 36.8068 | ![]() | 3670 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 150U120 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS150U120DM12 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.47 V @ 600 A | -40°C〜180°C | 150a | - | |||
![]() | VS-150U80D | 40.7900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 150U80 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.47 V @ 600 A | -40°C〜180°C | 150a | - |
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