SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
UES1305 Microchip Technology UES1305 30.6900
RFQ
ECAD 3973 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 UES1305 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 3 A 50 ns 20 µA @ 300 V -55°C〜150°C 3a -
UFR3260 Microchip Technology UFR3260 93.6300
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 UFR3260 标准 do-4 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.35 V @ 30 A 60 ns 15 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
JAN1N1188 Microchip Technology 1月1N1188 58.1850
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/297 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1188 标准 do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 35a -
JAN1N4150UR-1 Microchip Technology Jan1n4150ur-1 1.5300
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/231 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N4150 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 200mA -
JAN1N457 Microchip Technology 1月1N457 -
RFQ
ECAD 5618 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/193 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N457 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 70 v 1 V @ 100 ma 25 NA @ 70 V -65°C〜150°C 150mA -
JAN1N5711-1 Microchip Technology 1月1N5711-1 5.9550
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5711 肖特基 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 70 v 1 V @ 15 mA 200 na @ 70 V -65°C〜150°C 33ma 2pf @ 0v,1MHz
JANTX1N1186 Microchip Technology JANTX1N1186 107.3700
RFQ
ECAD 7379 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/297 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1186 标准 do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 200 V -65°C〜175°C 35a -
JANTX1N1202A Microchip Technology JANTX1N1202A 69.5850
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/260 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1202 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 2.3 V @ 240 A 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 12a -
JANTX1N1614 Microchip Technology JANTX1N1614 -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/162 大部分 在sic中停产 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 15 A 50 µA @ 200 V -65°C〜175°C 15a -
JANTX1N3289 Microchip Technology JANTX1N3289 -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/246 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3289 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 200 v 1.55 V @ 310 A 10 mA @ 200 V -65°C 〜200°C 100a -
JANTX1N3671A Microchip Technology JANTX1N3671A 54.1800
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/260 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3671 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 2.3 V @ 240 A 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 12a -
JANTX1N3891 Microchip Technology JANTX1N3891 299.2500
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/304 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3891 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 38 A 200 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜175°C 12a -
JANTX1N486B Microchip Technology JANTX1N486B -
RFQ
ECAD 2503 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/118 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N486 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 225 v 1 V @ 100 ma 25 NA @ 225 V -65°C〜175°C 200mA -
JANTX1N5551US Microchip Technology JANTX1N5551US 10.0650
RFQ
ECAD 7370 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 1N5551 标准 B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 5a -
JANTX1N6643 Microchip Technology JANTX1N6643 6.5200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/578 大部分 积极的 通过洞 轴向 1N6643 标准 05塑料包装 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 125 v 1.2 V @ 100 ma 6 ns 50 na @ 20 V -65°C〜175°C 300mA 5pf @ 0v,1MHz
SDM2U20CSP-7 Diodes Incorporated SDM2U20CSP-7 0.3800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-XDFN SDM2U20 肖特基 X3-WLB1608-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 470 mv @ 2 a 150 µA @ 20 V -55°C〜150°C 2a 115pf @ 4V,1MHz
US2G-TP Micro Commercial Co US2G-TP 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB US2G 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 2 A 50 ns 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 2a 28pf @ 4V,1MHz
VS-100BGQ015HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100BGQ015HF4 4.6476
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 100BGQ015 肖特基 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS100BGQ015HF4 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 15 v 520 mv @ 100 a 18 ma @ 15 V -55°C〜125°C 100a 3800pf @ 5V,1MHz
VS-100BGQ030HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100BGQ030HF4 4.5103
RFQ
ECAD 2044 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 100BGQ030 肖特基 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS100BGQ030HF4 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 630 MV @ 100 A 2.4 mA @ 30 V -55°C〜150°C 100a -
VS-10ETF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF04PBF -
RFQ
ECAD 4466 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 10ETF04 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF04PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF04SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF04SPBF -
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10ETF04 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF06-M3 1.3142
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 10ETF06 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF06M3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF10FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF10FP-M3 2.7400
RFQ
ECAD 912 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 10etf10 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.33 V @ 10 A 310 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF12SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF12SPBF -
RFQ
ECAD 7588 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10etf12 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF12SPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.33 V @ 10 A 310 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETS08FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-108FP-M3 2.3200
RFQ
ECAD 978 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 10ETS08 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 10 A 50 µA @ 800 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10TQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ035-N3 -
RFQ
ECAD 6328 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 10TQ035 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10TQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 570 mv @ 10 A 2 ma @ 40 V -55°C 〜175°C 10a 900pf @ 5V,1MHz
VS-12EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12EWH06FN-M3 1.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 12ewh06 标准 TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS12EWH06FNM3 Ear99 8541.10.0080 75 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 2.5 V @ 12 A 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 12a -
VS-150EBU02HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150EBU02HF4 8.4500
RFQ
ECAD 375 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 150EBU02 标准 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 150 A 50 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 150a -
VS-150U120DM12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150U120DM12 36.8068
RFQ
ECAD 3670 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 150U120 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS150U120DM12 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.47 V @ 600 A -40°C〜180°C 150a -
VS-150U80D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150U80D 40.7900
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 150U80 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.47 V @ 600 A -40°C〜180°C 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库