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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYT52D-TAP | 0.2673 | ![]() | 1621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | SOD-57,肥胖 | BYT52 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@1A | 200纳秒 | 5μA@200V | -55℃~175℃ | 1.4A | - | ||
![]() | JANTXV1N5186 | 9.6750 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/424 | 大部分 | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 1N5186 | 标准 | B、 结节 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.5V@9A | 100V时为2μA | -65℃~175℃ | 3A | - | |||
![]() | VS-70HFLR40S05 | 9.4293 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 70HFLR40 | 标准,反脊柱 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.85V@219.8A | 500纳秒 | 400V时为100μA | -40℃~125℃ | 70A | - | ||
![]() | FR153G B0G | - | ![]() | 8794 | 0.00000000 | 台积电 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | FR153 | 标准 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@1.5A | 150纳秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 1.5A | 20pF@4V,1MHz | ||
![]() | MBR10150HC0G | - | ![]() | 9004 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2 | MBR1015 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.05V@10A | 100 µA @ 150 V | -55℃~150℃ | 10A | - | |||
![]() | SE20AFBHM3/6B | 0.1163 | ![]() | 6938 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AC,SMA 光纤 | SE20 | 标准 | DO-221AC(细长SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@2A | 1.2微秒 | 100V时为5μA | -55℃~175℃ | 1.3A | 12pF@4V,1MHz | ||
| BYV29-300HE3/45 | - | ![]() | 3861 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | BYV29 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 300伏 | 1.25V@8A | 50纳秒 | 10μA@300V | -40℃~150℃ | 8A | - | |||
![]() | APT30DQ120KG | 1.3100 | ![]() | 340 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | APT30DQ120 | 标准 | TO-220 [K] | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 3.3V@30A | 320纳秒 | 100μA@1200V | -55℃~175℃ | 30A | - | ||
![]() | ES1AWG_R1_00001 | 0.0570 | ![]() | 9941 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | ES1A | 标准 | SMA (DO-214AC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 59,400 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 950毫伏@1安 | 35纳秒 | 50V时为1μA | -55℃~150℃ | 1A | - | ||
| CD1206-B260 | - | ![]() | 4007 | 0.00000000 | 伯恩斯公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 片式、凹形端子 | CD1206 | 肖特基 | 1206 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@2安 | 500μA@60V | -55℃~125℃ | 2A | - | ||||
![]() | MBR120VLSFT3 | - | ![]() | 3855 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SOD-123F | MBR120 | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 340毫伏@1安 | 20V时为600μA | -65℃~125℃ | 1A | - | |||
| RMPG06DHE3/54 | - | ![]() | 7361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | MPG06,团结 | RMPG06 | 标准 | 手脉06 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@1A | 150纳秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 1A | 6.6pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | VS-2EJH01HM3/6A | 0.1742 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、FRED Pt® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AC,SMA 光纤 | 2EJH01 | 标准 | DO-221AC(细长SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 930毫伏@2安 | 25纳秒 | 100V时为2μA | -65℃~175℃ | 2A | - | ||
![]() | RGP10KHM3/54 | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、Superectifier® | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | RGP10 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.3V@1A | 250纳秒 | 800V时为5μA | -65℃~175℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | BAS1602LE6327XTMA1 | 0.0558 | ![]() | 5229 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | SOD-882 | BAS1602 | 标准 | PG-TSLP-2-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 80V | 1.25V@150mA | 4纳秒 | 75V时为1μA | 150℃(最高) | 200毫安 | 2pF@0V、1MHz | ||
![]() | VS-6TQ035STRRPBF | - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 6TQ035 | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 600 毫伏 @ 6 安 | 35V时为800μA | -55℃~175℃ | 6A | 400pF@5V,1MHz | |||
| SS210L RFG | - | ![]() | 8924 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | SS210 | 肖特基 | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 850毫伏@2安 | 100μA@100V | -55℃~150℃ | 2A | - | ||||
![]() | VS-E5PX6012L-N3 | 5.0100 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 弗雷德铂® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | E5PX6012 | 标准 | TO-247AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 3.15V@60A | 120纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 60A | - | ||
![]() | 1N5416 | 6.5200 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 1N5416 | 标准 | B、 结节 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.5V@9A | 150纳秒 | 1μA@100V | -65℃~175℃ | 3A | - | ||
| 1N5614美国/土耳其 | 5.9550 | ![]() | 6391 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 标准 | D-5A | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-1N5614美国/土耳其 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.3V@3A | 2微秒 | 200V时为500nA | -65℃~200℃ | 1A | - | ||||
![]() | BAT46W-7-F-79 | - | ![]() | 4755 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SOD-123 | 蝙蝠46 | 肖特基 | SOD-123 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 31-BAT46W-7-F-79TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 100V | 450毫伏@10毫安 | 75V时为2μA | -55℃~125℃ | 150毫安 | 20pF @ 0V、1MHz | ||
| SBYV28-100-E3/73 | 0.5400 | ![]() | 9626 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SBYV28 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.1V@3.5A | 20纳秒 | 100V时为5μA | -55℃~150℃ | 3.5A | 20pF@4V,1MHz | |||
| BYW29-200-E3/45 | 1.1400 | ![]() | 410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYW29 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@20A | 25纳秒 | 10μA@200V | -65℃~150℃ | 8A | 45pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | STTH504U | 0.4937 | ![]() | 2983 | 0.00000000 | 意法半导体 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | STTH504 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | ||||||||||||||
![]() | 1N3267 | 151.2750 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | 1N3267 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 1N3267MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.3V@300A | 400V时为75μA | -65℃~190℃ | 275A | - | |||
![]() | UF2005-T | - | ![]() | 第1376章 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 标准 | DO-15 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@2A | 75纳秒 | 5μA@600V | -65℃~150℃ | 2A | 30pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | JANTX1N6764 | - | ![]() | 7369 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-254-3、TO-254AA(直引脚) | 标准 | TO-254 | - | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.05V@12A | 35纳秒 | 10μA@200V | - | 12A | 300pF@5V,1MHz | ||||
![]() | HER305G A0G | 1.1900 | ![]() | 第732章 | 0.00000000 | 台积电 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | HER305 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@3A | 50纳秒 | 400V时为10μA | -55℃~150℃ | 3A | 60pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | SCS210KGC17 | 8.3200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220ACFP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-SCS210KGC17 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@10A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | 175℃ | 10A | 550pF@1V、1MHz | ||
![]() | R3860 | 33.7950 | ![]() | 2626 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 大部分 | 的积极 | R3860 | - | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 0000.00.0000 | 1 |

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