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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
BYM36E-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM36E-Tr 0.5346
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYM36 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.78 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYS10-25-M3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-25-M3/TR3 0.0721
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA BYS10 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 25 v 500 mv @ 1 A 500 µA @ 25 V -65°C〜150°C 1.5a -
BYS10-35-M3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-35-M3/TR3 0.0721
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA BYS10 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 500 mv @ 1 A 500 µA @ 35 V -65°C〜150°C 1.5a -
BYT51K-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt51k-tr 0.2871
RFQ
ECAD 6568 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT51 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYT52D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt52d-Tr 0.2673
RFQ
ECAD 6185 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT52 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1.4a -
BYT52J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt52j-tr 0.6900
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT52 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1.4a -
BYT54A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54A-Tr 0.2574
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 50 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT54B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt54b-tr 0.2574
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT54J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt54J-Tr 0.2871
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT54M-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54M-Tr 0.7200
RFQ
ECAD 6094 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT56B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt56b-tr 0.4950
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT56 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 3 A 100 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3a -
BYT56K-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56K-TR 0.5346
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT56 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.4 V @ 3 A 100 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
BYT62-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt62-tr 0.6534
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT62 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2400 v 3.6 V @ 1 A 5 µs 5 µA @ 2400 V 175°c (最大) 350mA -
BYV12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV12-Tr 0.2574
RFQ
ECAD 5492 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV12 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV13-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv13-Tr 0.2673
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV13 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV14-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv14-tr 0.2772
RFQ
ECAD 6475 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV14 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv16-Tr 0.7000
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv16 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV27-050-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-050-Tr 0.2970
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 55 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 55 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV27-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-150-Tr 0.6600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 165 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 165 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV28-050-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-050-Tr 0.6138
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv28 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.1 V @ 5 A 30 ns 1 µA @ 50 V -55°C 〜175°C 3.5a -
BYV28-100-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-100-Tr 0.6336
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv28 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 5 A 30 ns 1 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3.5a -
BYV98-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-150-Tr 0.5742
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW172D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byw172d-Tr 0.5544
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW172F-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw172f-tr 0.5643
RFQ
ECAD 6614 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW32-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw32-tr 0.5700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw32 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW33-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw33-tr 0.2673
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw33 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW34-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw34-tr 0.2772
RFQ
ECAD 4751 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw34 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW35-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byw35-Tr 0.2871
RFQ
ECAD 9506 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw35 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 500 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW55-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw55-tr 0.6400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW55 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW83-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw83-tr 0.5247
RFQ
ECAD 8198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byw83 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库