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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MB26_R1_00001 | 0.4600 | ![]() | 775 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | MB26 | 肖特基 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 740 mv @ 2 a | 50 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | |||
![]() | GS2MFL-TP | 0.0438 | ![]() | 8004 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | GS2M | 标准 | DO-221AC(SMA-FL) | 下载 | 353-GS2MFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 2 A | 4 µs | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | S400Y | 92.3505 | ![]() | 7620 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S400 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S400YGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.2 V @ 400 A | 10 µA @ 50 V | -60°C 〜200°C | 400a | - | |||
![]() | TST30H150CW | 2.8500 | ![]() | 346 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | TST30 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 900 mv @ 15 A | 150 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||
![]() | V8PAM10SHM3/i | 0.5000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-221BC,SMA扁平导线暴露垫 | 肖特基 | DO-221BC(SMPA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 8 a | 180 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | 2.8a | 600pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SUF4002 | 0.0631 | ![]() | 3083 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 标准 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2721-SUF4002TR2 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||
![]() | ES2GHE3/52T | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | ES2 | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.1 V @ 2 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | FYD0504SATM | - | ![]() | 2949 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 财政部 | 肖特基 | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 5 a | 1 mA @ 40 V | -65°C〜150°C | 5a | - | |||
![]() | egp31a-e3/c | 0.8118 | ![]() | 7599 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | egp31 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 3a | 117pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | CD214A-FS1G | 0.1200 | ![]() | 1484 | 0.00000000 | Bourns Inc. | CD214A-FS1X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | 标准 | 2-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | UF1D-TP | 0.0783 | ![]() | 8341 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | UF1D | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | 353-UF1D-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | JANTXV1N5554/TR | 11.5950 | ![]() | 5425 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5554/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 1 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||
![]() | UHB10FT-E3/8W | - | ![]() | 7360 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | UHB10 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.2 V @ 10 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | 10a | - | ||
MMSZ5237BQ | 0.0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MMSZ5237BQTR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | SBT1845-3G | 0.6797 | ![]() | 31 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-SBT1845-3G | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 535 mv @ 18 a | 100 µA @ 45 V | -50°C〜150°C | 18a | - | |||||
![]() | UGF8ATHE3_A/p | - | ![]() | 8544 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-ugf8athe3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 8 A | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 45pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | MBRAD15150H | 1.0200 | ![]() | 2868 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRAD15150 | 肖特基 | Thindpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 MV @ 15 A | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 15a | 291pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BA158GPHE3/73 | - | ![]() | 1529年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA158 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | RB751S-40FHTE61 | - | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB751 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB751S-40FHTE61TR | 过时的 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | BZX84C2V4Q | 0.0260 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX84C2V4QTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | UX-A5B | - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | 轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1261-UX-A5B | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 4000 v | 8 V @ 350 MA | 150 ns | 10 µA @ 4000 V | 120°C | 350mA | - | |||
![]() | ES3CBF | 0.0640 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-ES3CBFTR | Ear99 | 5,000 | ||||||||||||||||
![]() | GP20G-E3/54 | - | ![]() | 1950年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | GP20 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 2 A | 5 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||
![]() | PE2DBH | 0.4200 | ![]() | 1915年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | PE2D | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 2 a | 20 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 2a | 30pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | MURB2020C-TP | 0.6354 | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb2020 | 标准 | D2PAK | 下载 | 353-murb2020c-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.15 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||
![]() | GS1A_R1_00001 | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | GS1 | 标准 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-GS1A_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | S3580 | 36.6600 | ![]() | 6880 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S3580 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | ||||
![]() | G3S12003C | - | ![]() | 2873 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | - | 供应商不确定 | 4436-G3S12003C | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 12a | 260pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | VS-20ETF06STRR-M3 | 1.5799 | ![]() | 9399 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 20ETF06 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||
![]() | PR1006GL-T | - | ![]() | 8013 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz |
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