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单二极管（（57622）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
S07D-GS18	0.0875	RFQ	5583	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S07	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	700mA	4pf @ 4V，1MHz
S07D-M-18	0.1016	RFQ	6748	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S07	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	700mA	4pf @ 4V，1MHz
S07G-GS18	0.4400	RFQ	70	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S07	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	700mA	4pf @ 4V，1MHz
S07G-M-18	0.3700	RFQ	7	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S07	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	700mA	4pf @ 4V，1MHz
S07J-M-18	0.0957	RFQ	3337	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S07	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	700mA	4pf @ 4V，1MHz
S1FLB-GS18	0.0512	RFQ	2538	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S1F	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	700mA	4pf @ 4V，1MHz
S1FLJ-M-18	0.0454	RFQ	5858	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S1F	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	4pf @ 4V，1MHz
S1FLK-GS18	0.0932	RFQ	8293	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S1F	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	700mA	4pf @ 4V，1MHz
S1FLM-M-18	0.0454	RFQ	2925	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-219ab	S1F	标准	DO-219AB（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	10 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	4pf @ 4V，1MHz
S1G-M3/5AT	0.0508	RFQ	7414	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-214ac，SMA	S1G	标准	DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V，1MHz
S1J-M3/5AT	0.0508	RFQ	4914	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-214ac，SMA	S1J	标准	DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V，1MHz
S1M-M3/5AT	0.3400	RFQ	27	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-214ac，SMA	S1M	标准	DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	7,500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 1 A	1.8 µs	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V，1MHz
S2D-M3/5BT	0.0888	RFQ	6279	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	DO-214AA，SMB	S2D	标准	DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3200	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.15 V @ 1.5 A	2 µs	1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V，1MHz
S2G-M3/5BT	0.0888	RFQ	3437	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	DO-214AA，SMB	S2G	标准	DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3200	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.15 V @ 1.5 A	2 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V，1MHz
JANTXV1N4148UR-1	3.0200	RFQ	152	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的	表面安装	do-213aa	1N4148	标准	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N6642	11.5950	RFQ	2241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的	通过洞	轴向	1N6642	标准		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 100 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JANTXV1N6843CCU3	-	RFQ	2902	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/681	大部分	在sic中停产	表面安装	3-SMD，平坦的铅		肖特基	U3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.27 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	15a	275pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N6858UR-1	-	RFQ	1942年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的	表面安装	do-213aa	1N6858	肖特基	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	70 v	650 mv @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	75mA	4.5pf @ 0v，1MHz
MC5616	-	RFQ	9683	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	通过洞	S，轴向	MC5616	标准	S，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	3000 v	6 V @ 100 ma	300 ns	1 µA @ 3000 V	-65°C〜150°C	570mA	-
CMSH3-40MA TR13 PBFRE	0.6300	RFQ	286	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-214ac，SMA	CMSH3	肖特基	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	500 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	280pf @ 4V，1MHz
CCS15S30，L3F	0.3800	RFQ	51	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	2-SMD，没有铅	CCS15S30	肖特基	CST2C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	400 mV @ 1 A		500 µA @ 30 V	125°c （最大）	1.5a	200pf @ 0v，1MHz
CCS15S30，L3QUF	-	RFQ	1834年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	2-SMD，没有铅	CCS15S30	肖特基	CST2C	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	400 mV @ 1 A		500 µA @ 30 V	125°c （最大）	1.5a	200pf @ 0v，1MHz
1N5712	6.2100	RFQ	2	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5712	肖特基	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5712MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
1N5822U	81.7600	RFQ	137	微芯片技术	-	大部分	积极的	表面安装	SQ-MELF，b	1N5822	肖特基	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N6625E3	-	RFQ	1293	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	通过洞	a，轴向		标准	a，轴向	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.95 V @ 1.5 A	80 ns	1 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	-
1N6643US	7.4400	RFQ	906	微芯片技术	-	大部分	积极的	表面安装	SQ-MELF，E	1N6643	标准	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.2 V @ 100 ma	20 ns	50 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
S30760	52.3200	RFQ	2926	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S30760	标准	do-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v			25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	85a	-
S3480	55.1200	RFQ	12	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S3480	标准	DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.15 V @ 90 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	45a	-
SBR60100	144.5850	RFQ	4995	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	SBR60100	肖特基	do-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v			1 mA @ 100 V	-65°C〜175°C	60a	-
UES1104	23.4000	RFQ	1658年	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	a，轴向	UES1104	标准	a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单二极管（（57622）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²