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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5398GH | 0.0831 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 1N5398 | 标准 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1V@1.5A | 800V时为5μA | -55℃~150℃ | 1.5A | 15pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | FR206GP-AP | - | ![]() | 3627 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | FR206 | 标准 | DO-15 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.3V@2A | 500纳秒 | 800V时为5μA | -55℃~150℃ | 2A | 40pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | R7S00208XX | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 的 | DO-200AA、A-PUK | R7S00208 | 标准 | DO-200AA、R62 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.8V@1500A | 10微秒 | 50毫安@200伏 | 800A | - | ||||
![]() | VS-8EWL06FNTRR-M3 | 0.4981 | ![]() | 7489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 弗雷德铂® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 8EWL06 | 标准 | D-PAK (TO-252AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS8EWL06FNTRRM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.4V@8A | 25纳秒 | 50μA@600V | -65℃~175℃ | 8A | - | |
![]() | RF05VAM1STR | 0.3900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | RF05VAM1 | 标准 | TUMD2S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 980毫伏@500毫安 | 25纳秒 | 10μA@100V | 150℃(最高) | 500毫安 | - | ||
![]() | MBRS1045H | 0.5092 | ![]() | 6645 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MBRS1045 | 肖特基 | TO-263AB (D2PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-MBRS1045HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 45V时为100μA | -55℃~175℃ | 10A | - | ||||
![]() | RS2M | 0.0946 | ![]() | 3508 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | RS2M | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.3V@2A | 500纳秒 | 1000V时为5μA | -55℃~150℃ | 2A | 50pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | RS2M-HF | 0.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | RS2M | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.3V@2A | 500纳秒 | 1000V时为5μA | -55℃~150℃ | 2A | 22pF@4V,1MHz | |||
![]() | SS3P4HM3/85A | 0.5100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-220AA | SS3P4 | 肖特基 | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 600毫伏@3安 | 40V时为150μA | -55℃~150℃ | 3A | - | |||
![]() | VS-VSHPS1452 | - | ![]() | 5712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 最后一次购买 | VSHPS1452 | - | 112-VS-VSHPS1452 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG6020EPASX | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 3-UDFN 裸露焊盘 | 聚B二醇6020 | 肖特基 | DFN2020D-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 575毫伏@2安 | 5.5纳秒 | 60V时为250μA | 150℃(最高) | 2A | 250pF@1V、1MHz | ||
![]() | C3D16065A | 9.7600 | ![]() | 6689 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D16065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@16A | 0纳秒 | 650V时为95μA | -55℃~175℃ | 39A | 878pF @ 0V、1MHz | ||||
![]() | JANS1N5418 | 56.3850 | ![]() | 7657 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 1N5418 | 标准 | B、 结节 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.5V@9A | 150纳秒 | 400V时为1μA | -65℃~175℃ | 3A | 165pF@4V | ||
| SVT10120V_R1_00001 | 0.2052 | ![]() | 第1434章 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | SVT1012 | 肖特基 | TO-277 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 85,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 120V | 800毫伏@10安 | 120V时为25μA | -55℃~150℃ | 10A | - | ||||
![]() | FR12J05 | 6.7605 | ![]() | 第1174章 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR12J05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 800毫伏@12安 | 500纳秒 | 100V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | |||
![]() | SE20AFG-M3/6B | 0.1058 | ![]() | 5705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AC,SMA 光纤 | SE20 | 标准 | DO-221AC(细长SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@2A | 1.2微秒 | 5μA@400V | -55℃~175℃ | 1.3A | 12pF@4V,1MHz | ||
![]() | RB075BGE40STL | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | RB075 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 750 毫伏 @ 5 安 | 5μA@40V | 150℃ | 5A | - | |||
![]() | B550C-13-F | 0.5500 | ![]() | 89 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | B550 | 肖特基 | SMC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 700 毫伏 @ 5 安 | 50V时为500μA | -55℃~150℃ | 5A | 300pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | MBRB1090-E3/4W | 0.6655 | ![]() | 第1576章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | TMBS® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MBRB1090 | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 90V | 800毫伏@10安 | 90V时为100μA | -65℃~150℃ | 10A | - | |||
![]() | SRAS2090 MNG | - | ![]() | 5046 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SRAS2090 | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 90V | 920 毫伏 @ 20 安 | 90V时为100μA | -55℃~150℃ | 20A | - | |||
![]() | SRAF10100 C0G | - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2全包 | SRAF10100 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 850毫伏@10安 | 100μA@100V | -55℃~150℃ | 10A | - | |||
![]() | SF31-TP | - | ![]() | 3335 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SF31 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 950毫伏@3安 | 35纳秒 | 5μA@50V | -55℃~125℃ | 3A | 100pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | SK24_R1_00001 | 0.4200 | ![]() | 701 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SK24 | 肖特基 | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@2安 | 40V时为90μA | -55℃~150℃ | 2A | - | |||
![]() | BAT20J薄膜 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 蝙蝠20 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 23V | 620 毫伏 @ 1 安 | 12μA@15V | 150℃(最高) | 1A | 30pF@5V,1MHz | |||
![]() | DSA35-16A | - | ![]() | 9265 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | DSA35 | 雪崩 | DO-203AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | DSA3516A | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.55V@150A | 4毫安@1600伏 | -40℃~180℃ | 49A | - | ||
![]() | RB068VWM-30TFTR | 0.5800 | ![]() | 3361 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | RB068 | 肖特基 | PMDE | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 750 毫伏 @ 2 安 | 30V时为600nA | 175℃ | 2A | - | |||
![]() | PMEG6010CEGW,115 | - | ![]() | 5919 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 聚B二醇6010 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-5EWX06FNTRL-M3 | 0.3652 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 5EWX06 | 标准 | D-PAK (TO-252AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS5EWX06FNTRLM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.9V@5A | 480纳秒 | 600V时为20μA | -65℃~175℃ | 5A | - | |
![]() | RB520CM-60T2R | 0.3100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | RB520 | 肖特基 | VMN2M | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 440毫伏@10毫安 | 60V时为3μA | 150℃(最高) | 100毫安 | - | |||
![]() | JANTXV1N6642 | 11.5950 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 的积极 | 通孔 | 结合 | 1N6642 | 标准 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.2V@100mA | 20纳秒 | 100V时为500nA | -65℃~175℃ | 300毫安 | - |

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