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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
BA158GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA158GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 1529年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA158 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BA159-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159-E3/73 0.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜125°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
BA159DGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159DGPHE3/73 -
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BA159GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GP-E3/73 0.5600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BA159GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BY133GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY133GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6943 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 BY133 标准 DO-204AC(DO-15) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1300 v 1.2 V @ 2 A 2 µs 5 µA @ 1300 V - 1a -
BY251GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY251GP-E3/73 0.4100
RFQ
ECAD 270 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 BY251 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 3 A 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
BY500-100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY500-100-E3/73 -
RFQ
ECAD 5874 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 到500 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.35 V @ 5 A 200 ns 10 µA @ 100 V 125°c (最大) 5a 28pf @ 4V,1MHz
BY500-400-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY500-400-E3/73 -
RFQ
ECAD 5629 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 到500 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.35 V @ 5 A 200 ns 10 µA @ 400 V -50°C〜125°C 5a 28pf @ 4V,1MHz
BY500-800-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY500-800-E3/73 -
RFQ
ECAD 7472 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 到500 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.35 V @ 5 A 200 ns 10 µA @ 800 V 125°c (最大) 5a 28pf @ 4V,1MHz
BYD13DGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13DGPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6072 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd13 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
BYD13GGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13GGP-E3/73 -
RFQ
ECAD 2536 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd13 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a -
BYD13JGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13JGP-E3/73 -
RFQ
ECAD 4294 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd13 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
BYD13MGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13MGPHE3/73 -
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd13 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
BYD33DGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33DGPHE3/73 -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd33 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BYD33GGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33GGP-E3/73 -
RFQ
ECAD 5796 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd33 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BYD33JGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33JGP-E3/73 -
RFQ
ECAD 7014 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd33 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BYD33JGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33JGPHE3/73 -
RFQ
ECAD 1463年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byd33 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BYV26DGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26DGPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6500 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 Byv26 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 2.5 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BYW27-200GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW27-200GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 1050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Byw27 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 1 A 3 µs 200 na @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
BYX10GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYX10GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 8235 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 byx10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.6 V @ 2 A 2 µs 1 µA @ 1600 V -65°C〜175°C 360mA -
DGP15HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DGP15HE3/73 -
RFQ
ECAD 8491 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 DGP15 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1500 v 1.1 V @ 1 A 20 µs 5 µA @ 1500 V -65°C〜175°C 1.5a -
EGP10AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10AHE3/73 -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
EGP10CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10CHE3/73 -
RFQ
ECAD 1116 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
EGP20C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20C-E3/73 -
RFQ
ECAD 1374 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 EGP20 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 2 a 50 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 2a 70pf @ 4V,1MHz
EGP20FHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20FHE3/73 -
RFQ
ECAD 6793 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 EGP20 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 2 A 50 ns 5 µA @ 300 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V,1MHz
EGP20G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20G-E3/73 -
RFQ
ECAD 2655 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 EGP20 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 2 A 50 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V,1MHz
EGP30BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30BHE3/73 -
RFQ
ECAD 6833 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 EGP30 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 mv @ 3 a 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 3a -
EGP30CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30CHE3/73 -
RFQ
ECAD 4255 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 EGP30 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 3 a 50 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 3a -
EGP30F-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30F-E3/73 -
RFQ
ECAD 7586 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 EGP30 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 3 A 50 ns 5 µA @ 300 V -65°C〜150°C 3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库