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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
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![]() | JANTX1N5295-1 | - | ![]() | 2916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
![]() | jankca1n5287 | - | ![]() | 8195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
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![]() | JANTXV1N5298UR-1 | 40.2450 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5298 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||||
![]() | 1N5305UR-1 | 21.8200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5305 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
![]() | Jan1n5289ur-1 | 36.6900 | ![]() | 3755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL5308 | 25.0950 | ![]() | 6383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||
![]() | Janhca1n5291 | - | ![]() | 5972 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5291 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
![]() | 1N5303-1/tr | 18.7950 | ![]() | 4091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5303-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
![]() | CDLL5313 | 25.0950 | ![]() | 2935 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||
![]() | Jan1n5292-1/tr | 31.6650 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5292 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5292-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | Jan1n5314ur-1 | 36.6900 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5314 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||
![]() | JANTX1N5299-1 | - | ![]() | 3693 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
![]() | JANTXV1N5297UR-1 | - | ![]() | 7906 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5297 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
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![]() | JANTX1N5311ur-1/tr | 35.8200 | ![]() | 3817 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5311 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5311ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
![]() | JANTX1N5290UR-1 | 30.3450 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5290 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
![]() | CDS5298-1/tr | - | ![]() | 4658 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5298-1/tr | 50 | ||||||||||||||
![]() | CDLL5288 | 25.0950 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||
![]() | JANTX1N5304-1/TR | 34.1550 | ![]() | 6790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5304 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5304-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
![]() | JANTX1N5309-1 | 36.4050 | ![]() | 4349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | Jan1n5294-1/tr | 31.6650 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5294-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
![]() | 1N5297 | 2.2500 | ![]() | 5652 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5297 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N5297 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
![]() | Jan1n5290-1/tr | 31.6650 | ![]() | 1977年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5290-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL5287/tr | 25.2900 | ![]() | 5183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5287/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
![]() | CDS5300UR-1/tr | - | ![]() | 6661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5300UR-1/tr | 50 | ||||||||||||||
![]() | CDS5297-1/tr | - | ![]() | 4733 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297-1/tr | 50 | ||||||||||||||
![]() | jankca1n5301 | - | ![]() | 6555 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5301 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V |
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