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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
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![]() | JANTX1N5286UR-1 | 38.2650 | ![]() | 5300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
![]() | Janhca1n5296 | - | ![]() | 5839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5296 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||
![]() | CDLL5314 | 25.0950 | ![]() | 8680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
![]() | Jan1n5308-1/tr | 31.6650 | ![]() | 1569年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5308 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5308-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
![]() | 1N5312UR-1 | 21.6300 | ![]() | 9248 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||
![]() | JANTXV1N5286UR-1 | 40.2450 | ![]() | 4145 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
![]() | cmj0300 tr pbfree | 6.2800 | ![]() | 326 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ0300 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 420µA | 800mv | ||
![]() | JANTX1N5283UR-1/TR | 48.2550 | ![]() | 6081 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5283 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5283UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
![]() | JANTXV1N5293-1 | 36.4050 | ![]() | 8805 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5293 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
![]() | SST506 SOT-23 3L | 4.1911 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST506 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 1.1V | |||||
![]() | JANTX1N5292UR-1 | 38.2650 | ![]() | 8541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5292 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | JANTX1N5301-1 | 35.0250 | ![]() | 8786 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
![]() | Jan1n5289ur-1/tr | 36.8400 | ![]() | 2887 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5289UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL5305 | 25.0950 | ![]() | 9409 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | |||
![]() | JANS1N5303UR-1 | 130.1550 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5303 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||
![]() | 1N5309ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5309ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | CDLL253 | 28.3200 | ![]() | 9047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 70V | 7.48mA | 4.9V | |||
![]() | JANS1N5283-1 | 99.8700 | ![]() | 5856 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2266-JANS1N5283-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
![]() | JANTXV1N5297-1 | 36.8100 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
![]() | 1N5301 | 2.3330 | ![]() | 3475 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5301 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N5301 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
![]() | JANTXV1N5290UR-1 | - | ![]() | 1689年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5290 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL5307 | 25.0950 | ![]() | 3858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
![]() | JANTXV1N5289-1/TR | 36.5700 | ![]() | 3477 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5289-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL7052 | 68.1450 | ![]() | 1143 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7052 | 1 | ||||||||||||||
![]() | JANS1N5314-1 | 99.8700 | ![]() | 4735 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
![]() | JANTX1N5286-1 | 33.3000 | ![]() | 1795年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5286 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||
![]() | 1N5306-1 | 18.7800 | ![]() | 3238 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
![]() | CDS5309ur-1/tr | - | ![]() | 8407 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5309ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||
![]() | JANS1N5296-1 | 99.8700 | ![]() | 4958 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||
![]() | JANTXV1N5291-1/TR | 36.5700 | ![]() | 9993 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5291-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V |
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