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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N5294UR-1 | 38.2650 |  | 8546 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5294 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
| JANTX1N5285UR-1 | 38.2650 | | 2380 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5285 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
 | 1N5284-1 | 18.4950 | | 3896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5284 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
| Janhca1n5306 | - | | 2369 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5306 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
| JANTXV1N5286UR-1/TR | 40.4100 | | 3386 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5286 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5286UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
| 1N5300-1/tr | 18.7950 | | 3389 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5300-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
| Jan1n5305-1/tr | 24.4350 | | 8349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5305 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5305-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
| 1N5297/tr | 18.7950 | | 5485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5297/tr | 100 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||||
| JANTX1N5307-1/TR | 34.1550 | | 2513 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5307-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
| JANS1N5304UR-1/TR | 131.5650 | | 8723 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5304UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
| JANTXV1N5311-1/TR | 36.5700 | | 3985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5311 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5311-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
 | 1N5309-1E3 | 18.7950 | | 7245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5309 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | 150-1N5309-1E3 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||||
 | CMJ5750 TR PBFRE | 6.2800 | | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ5750 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 6.5mA | 4.5V | ||
| 1月1N5288-1 | 25.7400 | | 3662 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5288 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||
 | CDLL7055 | 68.1450 | | 7990 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7055 | 1 | ||||||||||||||
| Jan1n5306ur-1 | 36.6900 | | 7316 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5306 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
| JANTX1N5312UR-1 | 35.6550 | | 8604 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5312 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | JANTX1N5312UR-1MS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
| 1N5283 | 18.6750 | | 7600 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5283 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||||
| 1N5287ur-1 | 22.0350 | | 2874 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5287 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
| 1N5290UR-1E3/tr | 22.4100 | | 4225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5290 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5290UR-1E3/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
 | 1N5300 | 2.2500 | | 800 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5300 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-1N5300 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
| CDLL7051 | 68.1450 | | 8821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7051 | 1 | ||||||||||||||
| JANTX1N5303-1 | 33.9900 | | 9148 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||||
 | JANS1N5300-1/TR | 100.0200 | | 2896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |||
| cds5306ur-1/tr | - | | 1463年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5306ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||
| Jan1n5309-1/tr | 31.6650 | | 7056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5309-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
 | JANTX1N5310-1 | - | | 5989 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
| CDLL5284 | 25.0950 | | 4240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
| 1N5301-1 | 18.6000 | | 9237 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
| Jan1n5295ur-1/tr | 36.8400 | | 1256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5295 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5295UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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