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当前的调节 -二极管，晶体管（，1077）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL250/tr | 28.5000 |  | 6288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | 150-CDLL250/tr | 100 | 80V | 5.61ma | 3.67V | |||||
 | CDS5312UR-1 | - | | 9826 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5312UR-1 | 50 | ||||||||||||||
 | J505 TO-92 2L | 5.6900 | | 5 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | J500 | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-2，TO-92-2 to-226ac） | J505 | 350MW | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3218-J505TO-922L | Ear99 | 8541.21.0080 | 1 | 900mv | ||||
| CDLL25V/TR | 28.5000 | | 5899 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDLL25 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL25V/TR | 100 | ||||||||||||||
 | 1N5309-1 | 18.6000 | | 3095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||
| JANTXV1N5310UR-1/TR | 40.5600 | | 5349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5310 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
| JANTX1N5288UR-1/TR | 38.4300 | | 7591 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5288 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5288UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||
| 1N5311/tr | 18.7950 | | 5530 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5311 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5311/tr | 100 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||||
| CDLL5286/tr | 25.2900 | | 5944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5286/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
| JANTXV1N5284UR-1/TR | 40.4100 | | 1898年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5284 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5284UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
| JANTX1N5289UR-1/TR | 38.4300 | | 8171 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5289 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5289UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
| Jan1n5295ur-1/tr | 36.8400 | | 1256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5295 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5295UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
| CDLL7051 | 68.1450 | | 8821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7051 | 1 | ||||||||||||||
 | 1N5292 | 2.3330 | | 900 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5292 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-1N5292 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
| CDLL5296/tr | 25.2900 | | 7086 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5296/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
| Jan1n5291-1 | 31.5150 | | 9161 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
| JANTXV1N5303-1/TR | 36.5700 | | 2183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5303-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
| JANTX1N5296-1/TR | 34.1550 | | 3754 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5296-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
| CDS5298-1 | - | | 1179 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5298-1 | 50 | ||||||||||||||
| JANTX1N5305-1 | 28.8450 | | 3828 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5305 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
| Jan1n5306-1/tr | 31.6650 | | 2362 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5306-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
 | 1N5309-1E3 | 18.7950 | | 7245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5309 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | 150-1N5309-1E3 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||||
| JANTX1N5312UR-1 | 35.6550 | | 8604 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5312 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | JANTX1N5312UR-1MS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
| CDS5309-1 | - | | 7760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5309-1 | 50 | ||||||||||||||
| Jan1n5310ur-1/tr | 30.4650 | | 2247 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5310 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
 | JANS1N5305-1/TR | 100.0200 | | 5770 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5305-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | |||
| CDLL5307 | 25.0950 | | 3858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
| JANTXV1N5310UR-1 | 40.4100 | | 7638 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5310 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||||
 | cmj0300 tr pbfree | 6.2800 | | 326 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ0300 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 420µA | 800mv | ||
| JANS1N5283-1 | 99.8700 | | 5856 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2266-JANS1N5283-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
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