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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
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![]() | CD5295 | 19.2450 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD529 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5295 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||||
![]() | 1N5306 | 18.7800 | ![]() | 4616 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-1N5306 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |
![]() | CDLL256/tr | 28.5000 | ![]() | 2750 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-CDLL256/tr | 100 | 50V | 10.01ma | 6.55V | |||||
![]() | JANTX1N5287-1/TR | 33.5550 | ![]() | 1566年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5287-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
![]() | JANS1N5291-1/TR | 100.0200 | ![]() | 1706年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5291-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
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![]() | CDLL5312/tr | 25.2900 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5312/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
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![]() | 1N5299 | 18.6000 | ![]() | 2946 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5299 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
![]() | jankca1n5311 | - | ![]() | 8220 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5311 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
![]() | CMJ5750 TR | - | ![]() | 2854 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ5750 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMJ5750TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 6.5mA | 4.5V | |||
![]() | JANS1N5294UR-1 | 130.1550 | ![]() | 3638 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5294 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||
![]() | JANTXV1N5312UR-1 | 40.4100 | ![]() | 8760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
![]() | JANS1N5293-1 | 99.8700 | ![]() | 4135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5293 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | |||
![]() | Jan1n5294ur-1 | 36.6900 | ![]() | 9023 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5294 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
![]() | JANS1N5311ur-1 | 131.4000 | ![]() | 7078 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5311 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
![]() | JANS1N5310UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
![]() | JANTXV1N5299UR-1/TR | 40.4100 | ![]() | 6881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5299 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5299UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
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![]() | JANTXV1N5309UR-1 | 40.4100 | ![]() | 9260 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | 1N5286ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 1973 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5286ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
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![]() | SST500 SOT-23 3L | 4.1911 | ![]() | 9298 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST500 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 400mv | |||||
![]() | JANS1N5295-1/TR | 100.0200 | ![]() | 3258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5295-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||
![]() | JANTXV1N5291-1 | 36.4050 | ![]() | 6587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
![]() | jankca1n5284 | - | ![]() | 1225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5284 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V |
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