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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANS1N5298UR-1/TR | 130.3050 |  | 3302 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5298UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||
 | CDLL7053 | 68.1450 | | 7948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7053 | 1 | ||||||||||||||
 | JANTX1N5302-1 | 33.9900 | | 1129 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5302 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
| JANTXV1N5300-1/TR | 36.5700 | | 7700 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
 | CDLL252 | 28.3200 | | 1393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 70V | 6.82mA | 4.46V | |||
| CDS5297-1 | - | | 1856年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297-1 | 50 | ||||||||||||||
| JANTX1N5288-1 | 30.6750 | | 4685 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5288 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||
| 1N5309-1 | 18.6000 | | 3095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||
| JANS1N5285UR-1/TR | 130.3050 | | 7062 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5285UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||
| Jan1n5308ur-1 | 36.6900 | | 1513年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5308 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
| JANS1N5284UR-1/TR | 130.3050 | | 6349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5284UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
| Jan1n5291-1/tr | 31.6650 | | 7558 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5291-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
| JANTX1N5293UR-1/TR | 38.4300 | | 2143 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5293 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5293UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
 | 1N5292 | 2.3330 | | 900 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5292 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-1N5292 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
 | CL20M45-AQ | 0.2219 | | 1316 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 电池充电器，LED驾驶员 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | CL20 | 1W | SMB（do-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 8541.10.0000 | 3,000 | 90V | 23MA | 3V | |||
 | JANS1N5305-1/TR | 100.0200 | | 5770 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5305-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | |||
| JANTX1N5296-1/TR | 34.1550 | | 3754 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5296-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
| JANTXV1N5294UR-1/TR | 40.4100 | | 3227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5294 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5294UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
| Jan1n5313ur-1/tr | 30.4650 | | 7569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5313 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5313UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
| Janhca1n5296 | - | | 5839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5296 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||
| CDLL5314 | 25.0950 | | 8680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
 | SST506 SOT-23 3L | 4.1911 | | 3 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST506 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 1.1V | |||||
| JANTX1N5301-1 | 35.0250 | | 8786 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
| Jan1n5308-1/tr | 31.6650 | | 1569年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5308 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5308-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
| 1N5298 | 18.6000 | | 8100 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5298 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||||
| JANTXV1N5297-1 | 36.8100 | | 4137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
| JANTX1N5292UR-1 | 38.2650 | | 8541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5292 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
| JANS1N5296-1 | 99.8700 | | 4958 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||
| CDS5309ur-1/tr | - | | 8407 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5309ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||
| CDLL5307 | 25.0950 | | 3858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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