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当前的调节 -二极管，晶体管（，1077）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CD5289 | 19.2450 |  | 3005 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5289 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||||
 | 1N5298/tr | 18.7950 | | 9033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5298/tr | 100 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||||
 | CDLL255 | 28.3200 | | 3272 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 60V | 9.02mA | 5.9V | |||
| JANTX1N5287-1/TR | 33.5550 | | 1566年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5287-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
| CDLL5293/tr | 25.2900 | | 9528 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5293/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
| JANTX1N5312-1/TR | 34.1550 | | 7732 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5312-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
| CDLL253 | 28.3200 | | 9047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 70V | 7.48mA | 4.9V | |||
 | 1N5294 | 2.2500 | | 75 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5294 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-1N5294 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
| JANS1N5307UR-1 | 130.1550 | | 1836年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5307 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | |||
 | JANS1N5310-1/TR | 100.0200 | | 3642 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5310-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
| jankca1n5309 | - | | 5433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5309 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||
| 1N5284-1 | 18.4950 | | 3896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5284 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
| CDLL5308/tr | 25.2900 | | 6948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5308/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
| CDLL5284/tr | 25.2900 | | 1931年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5284/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
| JANTX1N5307-1/TR | 34.1550 | | 2513 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5307-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
| JANTXV1N5286UR-1/TR | 40.4100 | | 3386 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5286 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5286UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
 | CDLL5303 | 25.0950 | | 4227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||
| JANS1N5287-1 | 99.8700 | | 2041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
| 1N5314ur-1/tr | 22.0050 | | 9206 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5314 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5314ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||
| JANS1N5311ur-1 | 131.4000 | | 7078 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5311 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
| cds5306ur-1/tr | - | | 1463年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5306ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||
| Janhca1n5289 | - | | 6069 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5289 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | |||
| 1N5304UR-1 | 21.8250 | | 8907 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5304 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
| JANTX1N5301-1/TR | 35.1750 | | 2195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5301-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
| JANS1N5310UR-1/TR | 130.3050 | | 3066 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
| CDLL7053 | 68.1450 | | 7948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7053 | 1 | ||||||||||||||
| JANS1N5297UR-1 | 131.4000 | | 8443 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5297 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
| JANS1N5308UR-1/TR | 130.3050 | | 1534年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5308UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||
| Jan1n5289ur-1/tr | 36.8400 | | 2887 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5289 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5289UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
 | JANTX1N5307UR-1 | - | | 6208 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5307 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.54mA | 2V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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