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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | Jan1n5295ur-1 | 36.6900 | | 4790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5295 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
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| JANTXV1N5304UR-1 | 40.2450 | | 4493 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5304 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
 | SST511 SOT-23 3L ROHS | 7.7200 | | 6 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | - | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST511 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 50V | 5.6mA | 4.2V | ||
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| Jan1n5299ur-1/tr | 36.8400 | | 8195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5299 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5299UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
 | JANTX1N5295UR-1/TR | 38.4300 | | 2408 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5295 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5295UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
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 | 1N5299-1/tr | 18.7950 | | 1764年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5299 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | 150-1N5299-1/tr | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
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| JANTXV1N5285UR-1/TR | 40.4100 | | 7930 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5285 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5285UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
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| CDLL5302 | 25.0950 | | 8670 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||
| Jan1n5302ur-1/tr | 36.8400 | | 1059 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5302 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5302UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
| JANS1N5301-1 | 99.8700 | | 7715 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
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| JANTX1N5285-1 | 33.3000 | | 9056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5285 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
| 1N5295-1 | 18.6000 | | 1114 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 2266-1N5295-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||
| 1N5312 | 18.6000 | | 9235 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5312 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||||
 | cmjh150 tr pbfree | 6.5000 | | 12 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJH150 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50V | 18mA | 4.3V | ||
 | JANTXV1N5313-1 | 38.3983 | | 2492 | 0.00000000 | MACOM技术解决方案 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||
| JANTXV1N5303-1/TR | 36.5700 | | 2183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5303-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
| CDS5311ur-1 | - | | 4779 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5311ur-1 | 50 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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