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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 年级 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL5299/TR | 25.2900 |  | 3388 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5299/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||||
 | Janhca1n5289 | - | | 6069 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5289 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | |||||
| 1N5312-1/tr | 18.7950 | | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5312-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||||
| JANS1N5295UR-1/TR | 130.3050 | | 3405 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5295UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||||
| jankca1n5313 | - | | 9475 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5313 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||||
| 1N5297-1E3 | 21.8400 | | 3385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5297-1E3 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
| JANTXV1N5308UR-1/TR | 40.9500 | | 1397 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5308 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5308UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||||
| JANTX1N5289UR-1/TR | 38.4300 | | 8171 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5289 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5289UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||||
| JANTX1N5293UR-1 | 38.2650 | | 4026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5293 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||||
 | E-101 | 0.8900 | | 5182 | 0.00000000 | Semitec USA Corp | e | 大部分 | 积极的 | -30°C〜150°C | 电池充电器 | 通过洞 | 轴向 | E-10 | 300MW | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 4316-E-101 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | - | 100V | 210µA | 500mv | - | ||
 | CD5308 | 19.2450 | | 8363 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5308 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||||||
 | CD5292V | 38.5050 | | 2916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | 死 | CD529 | - | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5292V | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||||||
 | JANS1N5294-1/TR | 100.0200 | | 3970 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5294-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||||
| JANTX1N5287-1 | 33.7200 | | 3765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||||
| JANTXV1N5299-1 | 36.4050 | | 5956 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||||
| Janhca1n5310 | - | | 2073 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5310 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||||
| 1N5311-1/tr | 18.7950 | | 6216 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5311 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5311-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||||
| JANTX1N5294-1/TR | 34.1550 | | 8674 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5294-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||||
| 1N5307 | 18.6000 | | 6318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||||||
| JANS1N5292-1/TR | 100.0200 | | 9753 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5292-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||||
| CDLL7052/tr | 68.3250 | | 2088 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7052/tr | 100 | ||||||||||||||||
| 1N5298RL/TR | 18.7950 | | 2466 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 1N5298 | - | 到达不受影响 | 150-1N5298RL/TR | 100 | ||||||||||||||||
| cds5311ur-1/tr | - | | 5036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5311ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||||
| 1月1N5314-1 | 28.8900 | | 4680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||||
| 1N5291/tr | 18.7950 | | 6681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5291/tr | 100 | 100V | 616µA | 1.1V | |||||||
| CDS5314UR-1 | - | | 4985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5314UR-1 | 50 | ||||||||||||||||
| Jan1n5296ur-1 | 36.6900 | | 6339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5296 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||||
| jankca1n5300 | - | | 3769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5300 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |||||
| jankca1n5296 | - | | 1614年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5296 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||||
 | cmj2000 tr pbfree | 6.2800 | | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ2000 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 2.32mA | 2.3V |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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