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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CD5313 | 19.2450 |  | 6827 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD531 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5313 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||||
 | 1月1N5299-1 | 31.5150 | | 2118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
 | 1N5305 | 1.8500 | | 4 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5305 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2383-1N5305 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
| JANTX1N5313-1/TR | 34.5300 | | 9451 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5313-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
 | JANS1N5306UR-1 | 130.1550 | | 5296 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5306 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
| Jan1n5302-1/tr | 31.6650 | | 6160 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5302 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5302-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
| 1N5292 | 21.6600 | | 7059 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5292 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5292 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||||
 | Cl30md | 0.5476 | | 452 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 电池充电器，LED驾驶员 | 表面安装 | do-213aa | CL30 | 1W | do-213aa，迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 根据要求获得可用的信息 | 2721-CL30MDTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 90V | 44ma | 3V | |
| JANTX1N5300UR-1 | - | | 7514 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5300 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
| JANTX1N5312UR-1 | 35.6550 | | 8604 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5312 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | JANTX1N5312UR-1MS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
| 1N5304/tr | 18.7950 | | 8446 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5304 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5304/tr | 100 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||||
| JANTX1N5285UR-1 | 38.2650 | | 2380 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5285 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
| 1N5305-1/tr | 21.8400 | | 8724 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5305 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5305-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
 | 1N5309-1E3 | 18.7950 | | 7245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5309 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | 150-1N5309-1E3 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||||
| JANTXV1N5287-1 | 36.4050 | | 9587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
| Jan1n5288ur-1 | 36.6900 | | 8875 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5288 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||
| JANTX1N5285-1 | 33.3000 | | 9056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5285 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
| 1月1N5313-1 | 28.8900 | | 9819 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
| JANTXV1N5299UR-1/TR | 40.4100 | | 6881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5299 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5299UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
 | SST500 SOT-23 3L | 4.1911 | | 9298 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST500 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 400mv | |||||
| 1N5305/tr | 21.8400 | | 9309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5305 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5305/tr | 100 | 100V | 2.2mA | 1.85V | |||||
 | CDLL252 | 28.3200 | | 1393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 70V | 6.82mA | 4.46V | |||
 | JANS1N5295-1/TR | 100.0200 | | 3258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5295-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||
| JANTXV1N5305UR-1/TR | 40.4100 | | 9789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5305 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5305UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
| 1月1N5298-1 | 31.5150 | | 3643 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
| jankca1n5284 | - | | 1225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5284 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
| 1N5284ur-1 | 21.8250 | | 8181 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5284 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
| CDLL5308/tr | 25.2900 | | 6948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5308/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
| JANTXV1N5297-1 | 36.8100 | | 4137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
 | CD5290V | 38.5050 | | 2895 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | 死 | CD529 | - | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5290V | 1 | 100V | 517µA | 1.05V |
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