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当前的调节 -二极管，晶体管（，1067）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N5301-1/TR | 35.1750 |  | 2195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5301-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
| 1N5312-1/tr | 18.7950 | | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5312-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
 | CDLL5313E3 | 25.5300 | | 6026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5313E3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
 | CCL0035 bk | - | | 1356 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | CCL0035 | 600MW | do-35 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CCL0035BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 60mA | 400mv | |||
| 1N5308-1 | 18.6000 | | 1257 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5308 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||
| Jan1n5291-1 | 31.5150 | | 9161 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
| 1N5289ur-1 | 21.8250 | | 6200 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5289 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | |||
| JANS1N5295UR-1/TR | 130.3050 | | 3405 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5295UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||
| JANTX1N5287-1 | 33.7200 | | 3765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
 | JANS1N5314-1/TR | 100.0200 | | 3390 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5314-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
| JANTX1N5310-1/TR | 31.9350 | | 2185 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5310-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
| 1月1N5297-1 | 31.5150 | | 2566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
| jankca1n5291 | - | | 6897 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5291 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
 | Cl30md | 0.5476 | | 452 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 电池充电器，LED驾驶员 | 表面安装 | do-213aa | CL30 | 1W | do-213aa，迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 根据要求获得可用的信息 | 2721-CL30MDTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 90V | 44ma | 3V | |
| 1月1N5311-1 | 28.8900 | | 3649 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5311 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
| JANTX1N5303UR-1 | 38.2650 | | 4632 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5303 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
| JANTXV1N5291-1 | 36.4050 | | 6587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
| Janhca1n5312 | - | | 8713 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5312 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||
| JANTX1N5314UR-1 | 23.9700 | | 8135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5314 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||
| JANS1N5287UR-1 | 130.1550 | | 4198 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5287 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||||
| Jan1n5296ur-1 | 36.6900 | | 6339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5296 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
| Jan1n5283ur-1 | - | | 2952 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5283 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
| CDLL5293/tr | 25.2900 | | 9528 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5293/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
| JANTX1N5313-1/TR | 34.5300 | | 9451 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5313-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
| Jan1n5288ur-1 | 36.6900 | | 8875 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5288 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||
| Jan1n5311ur-1 | 30.3150 | | 7699 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5311 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||
| JANTXV1N5313UR-1 | - | | 4441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5313 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
| CDLL250 | 28.3200 | | 7473 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1086-15186-mil | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 80V | 5.61ma | 3.67V | |
| JANTX1N5286-1/TR | 33.4650 | | 7793 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5286 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5286-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
 | CD5314 | 19.4400 | | 9631 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CDLL20 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5314 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V |
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