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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT29F2G08ABAWP-AAT：G Tr	2.7962	RFQ	4305	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G08ABAWP-AAT：GTR		8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit	20 ns	闪光	256m x 8	平行线	20NS
A1229319-C	17.5000	RFQ	7848	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A1229319-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1345B-117AC	6.2900	RFQ	4	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1345	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
S29AL008J70WHN019	-	RFQ	6695	Infineon技术	al-J	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	死	S29AL008	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	晶圆	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	25		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
S25FL132K0XMFB013	-	RFQ	9305	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL132K0XMFB013			1
M30042040054x0pwar	13.8276	RFQ	2555	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M30042040054	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M30042040054X0PWARTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	54 MHz	非易失性	4Mbit		内存	1m x 4	-	-
S29GL01GP12FAI020	33.3400	RFQ	106	赛普拉斯半导体公司	gl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S29GL01GP12FAI020	3A991B1A	8542.32.0050	15		非易失性	1Gbit	120 ns	闪光	64m x 16	CFI	120ns
MT29F4G08ABAFAWP-ITS：f	-	RFQ	8486	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
71V35761SA200BG	14.7800	RFQ	29	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
7132SA55P	-	RFQ	7294	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7132SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	7		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
M24512E-FDW6TP	0.3000	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		EEPROM	1.6V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	512kbit	450 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	4ms
IS43DR82560B-25EBLI	-	RFQ	6851	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR82560	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	136	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
R1LV0416DBG-7LI ＃B0	21.3100	RFQ	817	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	R1LV0416D	SRAM	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（7.5x8.5）	下载	不适用				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	70 ns	SRAM	256K x 16	平行线	70NS
S25FL128P0XMFI003	3.5400	RFQ	8961	赛普拉斯半导体公司	fl-p	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件				3A991B1A	8542.32.0071	71	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	3ms
IS42S16160B-7B-Tr	-	RFQ	7841	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-LFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-LFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
NDL28PFR-9MIT	6.7500	RFQ	8385	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1982-NDL28PFR-9MIT	Ear99	8542.32.0036	210	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT29F256G08CKCBBH2-10：b tr	-	RFQ	8275	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
W74M25JVZEIQ	4.8800	RFQ	1588年	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W74M25	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W74M25JVZEIQ	3A991B1A	8542.32.0071	480	80 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
IS25WP128F-RMLE-TR	2.0788	RFQ	1091	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP128F-RMLE-TR			1,000	166 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS43R86400D-5TL-Tr	5.3325	RFQ	6850	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
S25FS256SAGBHI300	-	RFQ	7888	Infineon技术	FS-S	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FS256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP005654609	3A991B1A	8542.32.0071	676	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
13L75AA-C	141.2500	RFQ	6824	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-13L75AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
70V3319S133BF8	232.9149	RFQ	6657	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70v3319	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	208-cabga（15x15）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
CAT93C56VI-1.8	-	RFQ	2386	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C56	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8，128 x 16	微线	-
W9464G6JH-5I	-	RFQ	9301	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	W9464G6	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	64mbit	55 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
AS4C512M8D3LB-10BCNTR	-	RFQ	9812	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	AS4C512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C512M8D3LB-10BCNTR	过时的		2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES：B TR	-	RFQ	4008	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
S25FL128LAGMFB000	-	RFQ	9808	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL128LAGMFB000			1
S25FS256SAGMFI003	4.4000	RFQ	36	赛普拉斯半导体公司	FS-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FS256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-Soic	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S25FS256SAGMFI003TR	3A991B1A	8542.32.0050	114	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-	未行业行业经验证
S25FL256LAGNFN010	9.0700	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	fl-l	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S25FL256LAGNFN010TR	3A991B1A	8542.32.0070	56	133 MHz	非易失性	256Mbit	6 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，1.2ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²