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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
S29VS256RABBHI010	-	RFQ	2664	赛普拉斯半导体公司	vs-r	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-VFBGA	S29VS256	闪光灯 -也不		1.7V〜1.95V	44-FBGA（7.5x5）	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S29VS256RABBHI010			1	108 MHz	非易失性	256Mbit	80 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns	未行业行业经验证
11AA02E64T-I/TT	0.4400	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	11AA02	EEPROM		1.8V〜5.5V	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	100 kHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	单线	5ms
IS63LV1024L-10HL-Tr	-	RFQ	4041	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS63LV1024	sram-异步		3v〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	2,000		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
AS7C34098A-8TAN	4.9209	RFQ	2173	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	-		3（168））		1450-AS7C34098A-8TAN			135		易挥发的	4Mbit	8 ns	SRAM	256K x 16	平行线	8ns
AT29C256-12TI-T	-	RFQ	4047	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	AT29C256	闪光		4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	256kbit	120 ns	闪光	32K x 8	平行线	10ms
IDT71V3576YS133PFG	-	RFQ	9741	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	IDT71V3576Y	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载		3（168））	到达不受影响	71v3576ys133pfg	3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
AT24C08C-MAHM-E	0.3400	RFQ	5692	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT24C08	EEPROM		1.7V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	15,000	1 MHz	非易失性	8kbit	550 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
CY7C1315JV18-300BZC	-	RFQ	8221	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-LBGA	CY7C1315	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
MT46V32M8TG-75 L：G	-	RFQ	4880	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（ta）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M8	sdram -ddr		2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
CY62157ELL-55BVXET	14.0350	RFQ	6278	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62157	sram-异步		4.5V〜5.5V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS42S16400J-6BL-TR	1.6875	RFQ	7569	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16400	Sdram		3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
mtfc16gapalbh-ait es	-	RFQ	9930	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	MTFC16	闪存-NAND		1.7V〜1.9V	153-TFBGA（11.5x13）	-		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
93LC76-i/sn	1.2000	RFQ	6	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC76	EEPROM		2.5V〜6.0V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93LC76-i/sn-ndr	Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1K x 8，512 x 16	微线	5ms
71321LA35TFI8	-	RFQ	5052	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71321LA	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	64-TQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	500		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
AT29C020-15JC	-	RFQ	4083	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT29C020	闪光	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响	AT29C02015JC	Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	2Mbit	150 ns	闪光	256K x 8	平行线	10ms
93C46BX/SN	0.3150	RFQ	9639	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C46B	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	2ms
M48Z12-150PC1	13.6400	RFQ	10000	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	通过洞	24 DIP 模块（0.600英寸，15.24毫米）	M48Z12	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	24-PCDIP，CAPHAT®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	14		非易失性	16kbit	150 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	150ns
AS7C1025B-15JCN	3.1724	RFQ	8328	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS7C1025	sram-异步		4.5V〜5.5V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	21		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
SST39SF020A-70-4C-WHE	1.7100	RFQ	49	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	SST39SF020	闪光		4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39SF020A704CWHE	Ear99	8542.32.0071	208		非易失性	2Mbit	70 ns	闪光	256K x 8	平行线	20µs
GD5F2GQ5UEYIHR	3.9884	RFQ	8162	gigadevice 半导体（香）	GD5F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）		2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-				1970-GD5F2GQ5UEYIHRTR			3,000	104 MHz	非易失性	2Gbit	9 ns	闪光	512m x 4	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	600µs
CAT25010VGI-T3	0.1000	RFQ	3	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25010	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	3,000		非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
MT48V4M32LFB5-10：G。	-	RFQ	3278	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（ta）	表面安装	90-VFBGA	MT48V4M32	sdram- lpsdr		2.3v〜2.7V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
25LC256T-i/sm	1.7400	RFQ	2189	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	25LC256	EEPROM		2.5V〜5.5V	8-soij	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,100	10 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
NMC27C32BQ200	-	RFQ	3379	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜70°C（ta）	通过洞	24 点点（0.600英寸，15.24毫米）	NMC27C32	EPROM -UV		4.5V〜5.5V	24浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	14		非易失性	32kbit	200 ns	EPROM	4K x 8	平行线	-
AT93C56AY1-10YU-1.8	-	RFQ	4080	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	93c56a	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-MAP （3x4.9）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	AT93C56AY110YU1.8	Ear99	8542.32.0051	120	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8，128 x 16	3线序列	10ms
CAT25010VI-G	0.2500	RFQ	1	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25010	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100		非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
IS42S16400F-7TL	-	RFQ	7238	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
S29PL127J60BFI000E	-	RFQ	7528	Infineon技术	*	托盘	过时的		表面安装	80-VFBGA					80-FBGA（8x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	210
AT29LV1024-20TI	-	RFQ	1012	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	AT29LV1024	闪光		3v〜3.6V	48-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT29LV102420TI	Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	1Mbit	200 ns	闪光	64k x 16	平行线	20ms
S29AL016J70BFA023	2.1383	RFQ	1456	Infineon技术	al-J	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	S29AL016	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	48-FBGA（8.15x6.15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²