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CY14E116L-ZS25XIT	75.3375	RFQ	4154	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14E116	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		非易失性	16mbit	25 ns	NVSRAM	2m x 8	平行线	25ns
IS62WV10248EBLL-45BLI-TR	4.5215	RFQ	3760	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV10248	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	1m x 8	平行线	45ns
NDS73PT9-16IT	5.1500	RFQ	1	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	NDS73PT9	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1982-NDS73PT9-16IT	Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	lvttl	-
W19B320BTT7H	-	RFQ	4849	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	W19B320	闪光	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
IDT71T75602S200BGGI8	-	RFQ	9121	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71T75	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载		3（168））	到达不受影响	71T75602S200BGGI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
S34ML02G104TFI010	-	RFQ	5857	Skyhigh Memory Limited	-	托盘	在sic中停产				S34ML02				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML02G104TFI010	3A991B1A	8542.32.0071	96									未行业行业经验证
NAND02GR3B2DN6E	-	RFQ	3618	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand02g	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND02GR3B2DN6E	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	2Gbit	45 ns	闪光	256m x 8	平行线	45ns
R1RW0416DSB-2LR ＃B0	-	RFQ	6370	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	R1RW0416	SRAM	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
S25FL164K0XMFV013	-	RFQ	9223	Infineon技术	fl1-k	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	S25FL164	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,100	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
FT24C256A-UMR-B	-	RFQ	5326	Fremont Micro Devices Ltd	-	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	FT24C256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-msop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	256kbit	550 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
51-20538Z01-A	-	RFQ	2840	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
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AT24C512C-XHD-T	1.2400	RFQ	11	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C512C	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	512kbit	550 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	5ms
MT25QL256ABA8E12-1SIT	6.2400	RFQ	4353	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
7054S35PRF8	-	RFQ	8263	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	128-LQFP	7054S35	sram-四边形端口，异步	4.5V〜5.5V	128-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	32kbit	35 ns	SRAM	4K x 8	平行线	35ns
IS43LD32800B-25BLI-TR	5.1543	RFQ	8436	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD32800B-25BLI-TR			2,000	400 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	HSUL_12	15ns
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR	7.6151	RFQ	3860	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV102416	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	1m x 16	平行线	45ns
S25FL064P0XMFI001M	-	RFQ	1484	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
MT29E128G08CECABJ1-10Z：a	-	RFQ	7535	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29E128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
AS7C34096A-20JCNTR	5.0090	RFQ	3105	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	AS7C34096	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500		易挥发的	4Mbit	20 ns	SRAM	512k x 8	平行线	20NS
AT24C08-10TI-2.7	-	RFQ	9504	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C08	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
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AT28C256F-15JU	1.0000	RFQ	9507	atmel	-	大部分	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT28C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载					Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	256kbit	150 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	3ms	未行业行业经验证
AT28C256-20LM/883	224.8500	RFQ	5271	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TC）	表面安装	32-CLCC	AT28C256	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-LCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	AT28C25620LM883	3A001A2C	8542.32.0051	34		非易失性	256kbit	200 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
S29GL128S90FFA023	-	RFQ	5397	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	128mbit	90 ns	闪光	8m x 16	平行线	60ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²