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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
AT45DB081E-SSHN-T	1.8400	RFQ	3426	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT45DB081	闪光	1.7v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	85 MHz	非易失性	8mbit		闪光	264字节x 4096页	spi	8µs，4ms
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT：D Tr	-	RFQ	3683	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
W19B320ATT7H	-	RFQ	9646	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	W19B320	闪光	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
W632GU8MB15I TR	-	RFQ	9175	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
IS61QDPB42M36A1-500B4L	111.7063	RFQ	5269	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
MEM-DR380L-SL02-ER16-C	47.5000	RFQ	7468	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-DR380L-SL02-ER16-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS25WP016D-JBLA3-TR	0.9827	RFQ	7618	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP016D-JBLA3-TR			2,000	133 MHz	非易失性	16mbit	7 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
SMJ64C16L-25JDM	55.3300	RFQ	647	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
STK12C68-C35I	-	RFQ	1440	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	STK12C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2015-STK12C68-C35I	Ear99	8542.32.0041	26		非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns
93LC66AT-I/MC	0.4950	RFQ	6667	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	93LC66	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	微线	6ms
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT	33.7050	RFQ	4991	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28FW02	闪光灯 -也不	1.7v〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	1,104		非易失性	2Gbit	105 ns	闪光	128m x 16	平行线	60ns
M5M5V108DKV-70HIBJ	6.3000	RFQ	97	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
A6994476-C	187.5000	RFQ	9009	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A6994476-C	Ear99	8473.30.5100	1
25LC160B-I/WF15K	-	RFQ	8510	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	25LC160	EEPROM	2.5V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	5ms
IS61QDPB42M36A-400M3LI	105.1858	RFQ	8394	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
GD25Q256EFJRR	2.9266	RFQ	1659年	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16 SOP	下载				1970-GD25Q256EFJRRTR			1,000	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
CY14B101KA-SP25XI	-	RFQ	1246	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载							1		非易失性	1Mbit	25 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	25ns	未行业行业经验证
S29GL064N90TFA023	7.0700	RFQ	171	跨度	汽车，AEC-Q100，GL-N	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	90NS
71V3558S166PFG8	7.7822	RFQ	6262	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
P1N51AA-C	25.0000	RFQ	1138	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P1N51AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
70v9359s7pf	-	RFQ	7588	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	70v9359	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	144kbit	7.5 ns	SRAM	8k x 18	平行线	-
71V3556SA133BQG	9.9699	RFQ	6981	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-TBGA	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
C-3200D4QR4RN/64G	812.5000	RFQ	7294	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-3200D4QR4RN/64G	Ear99	8473.30.5100	1
7134SA35J8	-	RFQ	2400	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7134SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	32kbit	35 ns	SRAM	4K x 8	平行线	35ns
7024S30J8	-	RFQ	8154	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7024S30	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	64kbit	30 ns	SRAM	4K x 16	平行线	30ns
W74M64JVSSIQ	1.6110	RFQ	3215	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W74M64	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	256-W74M64JVSSIQ	3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	-
AT49BV001T-90JI	-	RFQ	1501	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT49BV001	闪光	2.7V〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响	AT49BV001T90JI	Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	1Mbit	90 ns	闪光	128K x 8	平行线	50µs
BR24L08-W	-	RFQ	2011	Rohm半导体	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	BR24L08	EEPROM	1.8V〜5.5V	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	BR24L08W	Ear99	8542.32.0051	2,000	400 kHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
24LC04B/st	0.3900	RFQ	7723	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24LC04	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24LC04B/ST-NDR	Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
IS62WV1288DBLL-45QLI-TR	-	RFQ	4917	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	IS62WV1288	sram-异步	2.3v〜3.6V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	45 ns	SRAM	128K x 8	平行线	45ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²