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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量( kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 可编程类型 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制器类型 | sic可编程 |
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![]() | 23LC512-i/sn | 1.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 23LC512 | SRAM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 23LC512ISN | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | 易挥发的 | 512kbit | SRAM | 64k x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||
![]() | DS1210S/T&r | - | ![]() | 7790 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | DS1210 | 4.75V〜5.5V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1,000 | 非易失性公羊 | ||||||||||||||
DS1249AB-70 | - | ![]() | 4096 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 通过洞 | 32 滴模块(0.600英寸,15.24毫米) | DS1249AB | NVSRAM(SRAM) | 4.75V〜5.25V | 32-Edip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 非易失性 | 2Mbit | 70 ns | NVSRAM | 256K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||||
![]() | HM1-6551-9 | 9.3000 | ![]() | 873 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 22-CDIP (0.400英寸,10.16毫米) | HM1-6551 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 22-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 300 ns | SRAM | 256 x 4 | 平行线 | 400NS | |||||||
![]() | CY7C1418SV18-250BZC | 48.6000 | ![]() | 84 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1418 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | |||||||
![]() | AT49BV1604AT-70TI | - | ![]() | 7680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | AT49BV1604 | 闪光 | 2.65V〜3.3V | 48-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 16mbit | 70 ns | 闪光 | 2m x 8,1m x 16 | 平行线 | 50µs | |||||||
![]() | AT25256T2-10TC-1.8 | - | ![]() | 8211 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | AT25256 | EEPROM | 1.8v〜3.6V | 20-tssop | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 74 | 2.1 MHz | 非易失性 | 256kbit | EEPROM | 32K x 8 | spi | 10ms | |||||||
![]() | W25Q128JVCJM TR | - | ![]() | 1204 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | W25Q128JVCJMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 3ms | ||||||
![]() | AT17LV010-10JI | - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 20-lcc(j-lead) | AT17LV010 | 未行业行业经验证 | 3v〜3.6V,4.5V〜5.5V | 20-PLCC (9x9) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | AT17LV01010JI | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 串行eeprom | 1MB | |||||||||||
![]() | DS1225AD-200 | - | ![]() | 3015 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 通过洞 | 28 DIP 模块( 0.600英寸,15.24毫米) | DS1225A | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 28-Edip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DS1225AD200 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 64kbit | 200 ns | NVSRAM | 8k x 8 | 平行线 | 200NS | ||||||
![]() | MT53E384M32D2DS-053自动:e | - | ![]() | 3305 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E384M32D2DS-053AUT:e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | ||||||
![]() | W25Q64FVSSIG | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 50µs,3ms | |||||||
![]() | AT28C17-20PC | - | ![]() | 6394 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | AT28C17 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | AT28C1720PC | Ear99 | 8542.32.0051 | 14 | 非易失性 | 16kbit | 200 ns | EEPROM | 2k x 8 | 平行线 | 1ms | ||||||
![]() | 71V67603S150BGG | 26.1188 | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 119-BGA | 71v67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 150 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.8 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | mtfc32gakaejp-5m ait | - | ![]() | 1324 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | mtfc32g | 闪存-NAND | - | 153-VFBGA(11.5x13) | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | |||||||||||
![]() | AT45DB041E-MHN-T | 1.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | AT45DB041 | 闪光 | 1.65V〜3.6V | 8-udfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 85 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 264字节x 2048页 | spi | 8µs,3ms | |||||||
![]() | S72XS256RE0AHBJH3 | - | ![]() | 6069 | 0.00000000 | Infineon技术 | XS-R | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 133-VFBGA | S72XS256 | 闪光,Dram | 1.7V〜1.95V | 133-fbga(8x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | 非易失性,挥发性 | 256mbit(Flash),256Mbit(DDR DRAM) | 闪光,ram | - | 平行线 | - | |||||||
![]() | 27S29AJC | 18.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rochester Electronics,LLC | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||||
70V3589S133BFI | 197.0600 | ![]() | 8071 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 208-LFBGA | 70v3589 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 208-cabga(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 4.2 ns | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | |||||||
![]() | W25Q128JVSIM | 1.7100 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 3ms | |||||||
![]() | IS42RM32200M-6BLI | - | ![]() | 9155 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42RM32200 | sdram-移动 | 2.3v〜2.7V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||||||
![]() | CY7C1312SV18-167BZC | 39.9400 | ![]() | 792 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1312 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 8 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||
AT24C32A-10TU-2.7 | - | ![]() | 8246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT24C32 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 非易失性 | 32kbit | 900 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | |||||||
![]() | AT28C010E-15JU-235 | - | ![]() | 2592 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | AT28C010 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 750 | 非易失性 | 1Mbit | 150 ns | EEPROM | 128K x 8 | 平行线 | 10ms | |||||||
![]() | MT28EW512ABA1HPN-0SIT | - | ![]() | 9142 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | MT28EW512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-VFBGA(7x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | 非易失性 | 512Mbit | 95 ns | 闪光 | 64m x 8,32m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||||||
![]() | SM662GXC-ACS | - | ![]() | 7586 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | - | 托盘 | 过时的 | SM662 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | HN58C256AP10E | - | ![]() | 5361 | 0.00000000 | 肾脏 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-HN58C256AP10E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IS61NLP51218B-200TQLI-TR | 11.4000 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP51218 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||||
CAT34C02VP2IGT4A | 0.5900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | CAT34C02 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||||||
70V657S12DR | - | ![]() | 9242 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 208-BFQFP | 70v657 | sram-双端口,异步 | 3.15V〜3.45V | 208-PQFP(28x28) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 1.125Mbit | 12 ns | SRAM | 32k x 36 | 平行线 | 12ns |
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