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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
IS43QR85120B-075Bubli	10.9618	RFQ	8876	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4		1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR85120B-075BUBLI			136	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
S29GL064N90DAI022	1.7749	RFQ	1064	Infineon技术	GL-N	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL064	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	500		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	90NS
AS7C4096A-15JINTR	4.7627	RFQ	5219	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	AS7C4096	sram-异步	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
S29GL032N90DFVR23	-	RFQ	9917	Infineon技术	GL-N	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL032	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS
thgamvg8t13bail	-	RFQ	2026	美国济欧克美国公司	-	托盘	积极的									-		3（168））		1853- thgamvg8t13bail	3A991B1A	8542.32.0071	152
SST25WF040-40-5I-QAE-T	-	RFQ	9531	微芯片技术	SST25	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	SST25WF040	闪光		1.65V〜1.95V	8-wson	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	40 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	60µs
CY7C1021CV33-10ZC	-	RFQ	1840年	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规				3A991B2B	8542.32.0041	2		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS	未行业行业经验证
IS62WV51216EALL-55BLI	5.8352	RFQ	6576	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV51216	sram-异步		1.65V〜2.2V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	312		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
CY14B101LA-ZS45XIKA	10.0700	RFQ	325	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）		2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
SM662GXA-BES	-	RFQ	2448	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）		-	100-BGA （14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GXA-BES	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	40Gbit		闪光	5g x 8	EMMC	-
27C512-15/LP	6.3000	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	32-lcc（j-lead）	27C512	EPROM -OTP		4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	512kbit	150 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
IDT71T016SA12PH8	-	RFQ	7742	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IDT71T016	sram-异步		2.375V〜2.625V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71T016SA12PH8	3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71V30VL90TF/2932	-	RFQ	6994	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	64-LQFP	71v30	sram-双端口，异步		3v〜3.6V	64-TQFP（10x10）	-	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	160		易挥发的	8kbit	90 ns	SRAM	1k x 8	平行线	90NS
S25FS512SFABHB213	10.5875	RFQ	5067	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，FS-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FS512	闪光灯 -也不		1.7V〜2V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
W631GG8NB15J	-	RFQ	7490	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG8NB15J	Ear99	8542.32.0032	242	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	SSTL_15	15ns
AT93C66A-10PU-2.7	-	RFQ	5031	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93c66a	EEPROM		2.7V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	3线序列	10ms
IS43TR16128DL-107MBLI	6.6300	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1723	Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT53D768M32D2DS-046 WT ES：a	-	RFQ	3645	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D768	sdram- lpddr4		1.1V		-					过时的		1,360	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
AT49F040A-55JI	-	RFQ	2110	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT49F040	闪光		4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8	平行线	40µs
S29GL128S10DHI013	6.2300	RFQ	1029	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL128	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	128mbit	100 ns	闪光	8m x 16	平行线	60ns
BR25L010FVM-WTR	0.5702	RFQ	2452	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm宽度）	BR25L010	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	5 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
24C02C/SN	0.3600	RFQ	8	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24C02C	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	3.5 µs	EEPROM	256 x 8	i²c	1.5ms
AT29LV256-20JI-T	-	RFQ	3985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT29LV256	闪光		3v〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	750		非易失性	256kbit	200 ns	闪光	32K x 8	平行线	20ms
24CS512-E/SN66KVAO	-	RFQ	8047	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24CS512	EEPROM		1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载			到达不受影响	150-24CS512-E/SN66KVAO	Ear99	8542.32.0051	100	3.4 MHz	非易失性	512kbit	400 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	5ms
MT47H32M16NF-187E：H Tr	-	RFQ	5868	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	533 MHz	易挥发的	512Mbit	350 PS	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
NM27C256QE200	-	RFQ	4905	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	NM27C25	EPROM -UV		4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	12		非易失性	256kbit	200 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
CY7C10212CV33-12BAXE	-	RFQ	4655	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C10212	sram-异步		3v〜3.6V	48-FBGA（7x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	4,160		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
CY7C1426UV18-300BZC	-	RFQ	4603	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-LBGA	CY7C1426	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	-CY7C1426UV18	3A991B2A	8542.32.0041	1	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	4m x 9	平行线	-
71V124SA12YGI8	-	RFQ	7953	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步		3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
71v424l10phgi	8.5800	RFQ	8485	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²