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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	可编程类型	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
70121L55J	-	RFQ	7280	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	52-lcc（j-lead）	70121L55	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24			易挥发的	18kbit	55 ns	SRAM	2k x 9	平行线	55ns
AT27C040-70TC	-	RFQ	1973	微芯片技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	AT27C040	EPROM -OTP		4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT27C04070TC	3A991B1B1	8542.32.0061	156			非易失性	4Mbit	70 ns	EPROM	512k x 8	平行线	-
93LC66C-I/S15K	-	RFQ	7325	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	93LC66	EEPROM		2.5V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	3 MHz		非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	6ms
AT21CS01-SSHM17-T	-	RFQ	7652	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT21CS01	EEPROM		1.7v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	125 kbps		非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	i²c，单线	5ms
M25PE80-VMP6TG TR	-	RFQ	5781	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PE80	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	75 MHz		非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，3ms
CY62167GE30-45BV1XIT	19.2500	RFQ	8149	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62167	sram-异步		2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000			易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	2m x 8，1m x 16	平行线	45ns
SST39WF1602-70-4I-MAQE	2.9700	RFQ	8039	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-WFBGA	SST39WF1602	闪光		1.65V〜1.95V	48-WFBGA（6x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SST39WF1602704IMAQE	Ear99	8542.32.0051	740			非易失性	16mbit	70 ns	闪光	1m x 16	平行线	40µs
IDT70V7319S133DD	-	RFQ	2934	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	144-LQFP暴露垫	IDT70V7319	sram-双端口，同步		3.15V〜3.45V	144-TQFP（20x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70V7319S133DD	3A991B2A	8542.32.0041	6	133 MHz		易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
IDT71V3577SA75BQI8	-	RFQ	8969	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3577	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3577SA75BQI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000			易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CG8404AA	-	RFQ	3029	Infineon技术	-	管子	过时的									-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	115
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES：G TR	-	RFQ	3077	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）		2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	267 MHz		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
IDT71016S15YI	-	RFQ	2209	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IDT71016	sram-异步		4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71016S15YI	3A991B2B	8542.32.0041	16			易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
M25P40-VMN6YPB	-	RFQ	2169	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P40	闪光灯 -也不		2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	280	75 MHz		非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
N04L163WC2AT27I	-	RFQ	2591	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
IDT71V546XS133PF8	-	RFQ	5027	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	IDT71V546	sram-同步，SDR（ZBT）		3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v546xs133pf8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz		易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS61LPS204818A-166TQL-TR	-	RFQ	9188	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS204818	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz		易挥发的	36mbit	3.5 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
S26391-F982-L400-C	30.0000	RFQ	5756	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-S26391-F982-L400-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL064LABMFM003	3.4300	RFQ	2629	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-l	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL064	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	108 MHz		非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
IS25WP080D-JULE-TR	0.6114	RFQ	6186	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫		闪存-SLC）		1.65V〜1.95V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP080D-JULE-TR			5,000	133 MHz		非易失性	8mbit	7 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
7130LA20PF8	-	RFQ	8223	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	64-LQFP	7130LA	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750			易挥发的	8kbit	20 ns	SRAM	1k x 8	平行线	20NS
5962-8700214UA	-	RFQ	6083	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	5962-8700214	sram-双端口，同步		4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8700214UA	过时的		34			易挥发的	16kbit	90 ns	SRAM	2k x 8	平行线	90NS
MT53E512M64D4NW-046 wt：e	-	RFQ	3946	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53E512	sdram- lpddr4		1.1V	432-VFBGA（15x15）	-					过时的	0000.00.0000	1,190	2.133 GHz		易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
AT17LV002-10SI	-	RFQ	4047	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	AT17LV002		未行业行业经验证	3v〜3.6V，4.5V〜5.5V	20-SOIC	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0051	26		串行eeprom		2MB
MT29C4G96Maybackd-5 wt	-	RFQ	8443	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram		1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz		非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
CY7C1513AV18-200BZI	-	RFQ	3748	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1513	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
93LC76B-I/MS	-	RFQ	2016	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93LC76	EEPROM		2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz		非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
mtfc4glwdm-4m aat a tr	11.0850	RFQ	8067	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				mtfc4					-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	mtfc4glwdm-4maatatr		0000.00.0000	2,000
CAT24WC16LI	-	RFQ	5260	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT24WC16	EEPROM		2.5V〜6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz		非易失性	16kbit	3.5 µs	EEPROM	2k x 8	i²c	10ms
SST26VF016BT-104V/MF	2.4150	RFQ	5174	微芯片技术	SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	SST26VF016	闪光		2.7V〜3.6V	8-WDFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	104 MHz		非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
71V321L55TFI	-	RFQ	7882	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321l	sram-双端口，异步		3v〜3.6V	64-TQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	160			易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²