SIC
close

晶体管（（102018）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 噪声图（ db typ @ f）
GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3 0.7400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 80 V 16A（TC） 10V 75MOHM @ 2A，10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 1591 PF @ 40 V - 69W（TC）
IRF7807VD2TR Infineon Technologies IRF7807VD2TR -
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 Infineon技术 Fetky™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-so 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 8.3a（ta） 4.5V 25mohm @ 7A，4.5V 1V @ 250µA 14 NC @ 4.5 V ±20V Schottky 二极管（孤立） 2.5W（TA）
ISL6605CB-TS2495 Intersil ISL6605CB-TS2495 0.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Intersil * 大部分 积极的 ISL6605 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
XR46000ESE MaxLinear, Inc. XR46000ESE -
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 Maxlinear，Inc。 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 1.5A（TC） 10V 8ohm @ 750mA，10v 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±30V 170 pf @ 25 V - 20W（TC）
TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR RLG 2.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM033 MOSFET （金属 o化物） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 21a（21A），121A（tc） 10V 3.3mohm @ 21a，10v 4V @ 250µA 77 NC @ 10 V ±20V 5022 PF @ 20 V - 3.1W（ta），107W（tc）
DMC205010R Panasonic Electronic Components DMC205010R -
RFQ
 ECAD 3558 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 DMC20501 300MW mini6-g4-b - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100µA 2 NPN （双） 300mv @ 10mA，100mA 210 @ 2mA，10v 150MHz
PJMP900N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP900N60EC_T0_001 3.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 PJMP900 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB-L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJMP900N60EC_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 5A（TC） 10V 900mohm @ 2.3a，10v 4V @ 250µA 8.8 NC @ 10 V ±30V 310 PF @ 400 V - 47.5W（TC）
CM150E3U-24H Powerex Inc. CM150E3U-24H -
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 890 w 标准 模块 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200 v 150 a 3.7V @ 15V，150a 1 MA 不 22 NF @ 10 V
HGTD3N60C3S Harris Corporation HGTD3N60C3S 1.0000
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 标准 33 W TO-252，（-d-pak） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 - - 600 v 6 a 24 a 2V @ 15V，3A - 13.8 NC -
RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1313，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1313 100兆 USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 47科姆斯
SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor SCT3105KW7TL 15.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA SCT3105 sicfet （碳化硅） TO-263-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 23A（TC） 137MOHM @ 7.6A，18V 5.6V @ 3.81mA 51 NC @ 18 V +22V，-4V 574 PF @ 800 V - 125W
2SA1694 Sanken 2SA1694 2.9200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 80 W to-3p 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SA1694 DK Ear99 8541.29.0095 1,000 120 v 8 a 10µA（ICBO） PNP 1.5V @ 300mA，3a 50 @ 3a，4v 20MHz
IPW60R199CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R199CPFKSA1 3.8673
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IPW60R199 MOSFET （金属 o化物） PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240 n通道 600 v 16A（TC） 10V 199mohm @ 9.9a，10V 3.5V @ 660µA 43 NC @ 10 V ±20V 1520 PF @ 100 V - 139W（TC）
2SC2655-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y hit，f，m） -
RFQ
 ECAD 8275 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2655 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） NPN 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
KTC3198-GR-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-GR-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 台湾半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） 500兆 到92 下载 到达不受影响 1801-KTC3198-GR-B0B1G 过时的 1 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 150mA，6v 80MHz
RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor RW1C026ZPT2CR 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RW1C026 MOSFET （金属 o化物） 6-Wemt 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 P通道 20 v 2.5a（ta） 1.5V，4.5V 70MOHM @ 2.5a，4.5V 1V @ 1mA 10 NC @ 4.5 V ±10V 1250 pf @ 10 V - 700MW（TA）
NTBG022N120M3S onsemi NTBG022N120M3S 28.9200
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA NTBG022 sicfet （碳化硅） D2PAK-7 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NTBG022N120M3STR Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1200 v 58A（TC） 18V 30mohm @ 40a，18v 4.4V @ 20mA 20 NC @ 18 V +22V，-10V 3200 PF @ 800 V - 234W（TC）
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L，LXHQ 0.9600
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK15S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 15A（TA） 4.5V，10V 17.8mohm @ 7.5A，10V 2.5V @ 100µA 10 NC @ 10 V ±20V 610 pf @ 10 V - 46W（TC）
BC337-40-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 台湾半导体公司 - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） 625兆 到92 下载 到达不受影响 1801-BC337-40-B0A1GTB 过时的 1 45 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 700mv @ 50mA，500mA 250 @ 100mA，5V 100MHz
BC338-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1G -
RFQ
 ECAD 7385 0.00000000 台湾半导体公司 - （TB） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） BC338 625兆 到92 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 4,000 25 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 700mv @ 50mA，500mA 160 @ 100mA，5V 100MHz
BLF7G22L-250P,118 Ampleon USA Inc. BLF7G22L-250P，118 -
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 65 v 底盘安装 SOT-539A BLF7G22 2.11GHZ〜2.17GHz ldmos SOT539A 下载 （1 （无限） 到达不受影响 934064689118 Ear99 8541.29.0075 100 双重，共同来源 65a 1.9 a 70W 18.5db - 28 V
RQ5E040RPTL Rohm Semiconductor RQ5E040RPTL 0.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-96 RQ5E040 MOSFET （金属 o化物） TSMT3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 4A（ta） 4V，10V 45mohm @ 4A，10V 2.5V @ 1mA 10.5 NC @ 5 V ±20V 1000 pf @ 10 V - 700MW（TA）
LM3086J National Semiconductor LM3086J 1.0800
RFQ
 ECAD 924 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 14-CDIP （0.300英寸，7.62mm） 300MW 14-Cerdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 1 - 15V 50mA 5 NPN - 550MHz 3.25db @ 1kHz
BLF10H6600PU Ampleon USA Inc. BLF10H6600PU 246.2250
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 托盘 不适合新设计 110 v 底盘安装 SOT-539A BLF10 860MHz ldmos SOT539A 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 934067647112 Ear99 8541.29.0075 20 双重，共同来源 - 1.3 a 250W 20.8dB - 50 V
NTB13N10T4G onsemi NTB13N10T4G -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB NTB13 MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 （1 （无限） 到达不受影响 NTB13N10T4GOS Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 13A（TA） 10V 165mohm @ 6.5a，10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 550 pf @ 25 V - 64.7W（TA）
ARF466AG Microchip Technology ARF466AG 65.5000
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 1000 v TO-264-3，TO-264AA ARF466 40.68MHz MOSFET TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 13a 300W 16dB - 150 v
AOD240 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD240 1.5600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 AOD24 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 23A（23A），70A （TC） 4.5V，10V 3mohm @ 20a，10v 2.2V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 20 V - 2.7W（ta），150W（TC）
G110N06T Goford Semiconductor G110N06T 1.6000
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 60 V 110A（TC） 4.5V，10V 6.4mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 113 NC @ 10 V ±20V 5538 pf @ 25 V - 120W（TC）
IPD250N06N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD250N06N3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IPD250N MOSFET （金属 o化物） pg-to252-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 28a（TC） 10V 25mohm @ 28a，10v 4V @ 11µA 15 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 30 V - 36W（TC）
GKI07301 Sanken GKI07301 1.1600
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 75 v 6a（6a） 4.5V，10V 23.2MOHM @ 12.4a，10V 2.5V @ 350µA 24 NC @ 10 V ±20V 1580 pf @ 25 V - 3.1W（ta），46W（tc）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭