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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
UNUR921MJ0L	0.2000	RFQ	2	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	UNUR921			125 MW	SSMINI3-F1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	150 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
2SD1758TLP	0.2736	RFQ	8570	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1758			10 W	CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																		32 v	2 a		1µA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	82 @ 500mA，3v	100MHz
DDTA114TUA-7	0.1000	RFQ	204	二极管合并	*	（CT）	积极的					DDTA114					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
R6035ENZC8	-	RFQ	7301	Rohm半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道					600 v	35A（TC）	10V	102MOHM @ 18.1a，10V	4V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	2720 PF @ 25 V	-	120W（TC）
PMST2369/ZLX	-	RFQ	3252	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					PMST2369					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069181115	Ear99	8541.29.0095	3,000
FDPF55N06	0.8700	RFQ	97	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	344		n通道					60 V	55A（TC）	10V	22mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±25V	1510 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SIHP20N50E-GE3	2.9400	RFQ	5200	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	179W（TC）
MAPR-001090-350S00	549.0150	RFQ	4381	MACOM技术解决方案	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	底盘安装	2L-FLG	MAPR-001090			1.1kw	2L-FLG	-				1465-MAPR-001090-350S00			1						9DB												65V	25a			NPN		-	-			-
UPA2720GR-E1-A	1.1500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	14A（TA）		6.6mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	27 NC @ 5 V		2800 PF @ 10 V	-
NTE65	2.7000	RFQ	240	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-	表面安装	3-SMD，平坦的铅				180MW	3-SMD	下载	rohs3符合条件			2368-NTE65	Ear99	8541.21.0095	1						18db												15V	30mA			NPN		25 @ 14mA，10v	5GHz			2.4db〜3db @ 500MHz〜1GHz
FDB8160	1.7000	RFQ	17	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB816		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800		n通道					30 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	±20V	11825 PF @ 15 V	-	254W（TC）
psmn9r1-30yl，115	0.6200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN9R1		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	57A（TC）	4.5V，10V	9.1mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	16.7 NC @ 10 V	±20V	894 pf @ 15 V	-	52W（TC）
BLF6G22LS-75,112	-	RFQ	5370	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF6G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			18a	690 MA	17W	18.7dB											-			28 V
BF5020WH6327XTSA1	-	RFQ	8723	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF5020	800MHz	MOSFET		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25mA	10 MA	-	26dB											1.2dB			5 v
FDD3570	0.5400	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					80 V	10a（10a）	6V，10V	20mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 40 V	-	3.4W（TA），69W（tc）
IPG20N04S4L18AATMA1	1.0900	RFQ	4	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	26W（TC）	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						40V	20A（TC）		18mohm @ 17a，10v	2.2V @ 8µA	15nc @ 10V		1071pf @ 25V	-
SIB414DK-T1-GE3	-	RFQ	2983	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB414		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					8 V	9A（TC）	1.2V，4.5V	26mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	14.03 NC @ 5 V	±5V	732 PF @ 4 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
BUK7E4R6-60E，127	-	RFQ	6152	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	100A（TC）	10V	4.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	6230 PF @ 25 V	-	234W（TC）
NSBC113EDXV6T5	-	RFQ	6159	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC113			500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NSBC113EDXV6T5OS	Ear99	8541.21.0095	8,000																		50V	100mA		500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v	-	1KOHMS	1KOHMS
but11tu	-	RFQ	3031	Onmi	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	But11			100 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																		400 v	5 a		1ma	NPN	1.5V @ 600mA，3a	-	-
FZT849TC	-	RFQ	5194	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FZT849			3 W	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																		30 V	7 a		50NA（iCBO）	NPN	350mv @ 300mA，6.5a	100 @ 1A，1V	100MHz
MMBT4403T-7	-	RFQ	8712	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	MMBT4403			150兆	SOT-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		40 V	600 MA		-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
BSP52T3G	0.4900	RFQ	1992	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP52			800兆	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																		80 V	1 a		10µA	npn-达灵顿	1.3V @ 500µA，500mA	2000 @ 500mA，10V	-
2SD2138APA	-	RFQ	9066	松下电子组件	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SIP	2SD2138			15 W	MT-4-A1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000																		80 V	2 a		100µA	npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	4000 @ 2a，4v	20MHz
BC548BTAR	-	RFQ	1017	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC548			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		30 V	100 ma		15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
2SC3400	0.0700	RFQ	39	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
MRF21030LR3	49.0300	RFQ	200	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			NI-400	MRF21	2.14GHz	ldmos		NI-400	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	250			-	250 MA	30W	13DB											-			28 V
FF4MR12KM1HHPSA1	499.8000	RFQ	3226	Infineon技术	-	托盘	积极的					FF4MR12		-			-	rohs3符合条件		到达不受影响				10															-
SMSD1001T1	0.0200	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				15,000
IRF7476TRPBF	-	RFQ	7221	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					12 v	15A（TA）	2.8V，4.5V	8mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V	2550 pf @ 6 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²