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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
Ald110908asal	6.3400	RFQ	2357	高级线性设备公司	epad®	管子	积极的	0°C 〜70°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ALD110908		MOSFET （金属 o化物）	500MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1014-1039	Ear99	8541.21.0095	50	2（n n 通道（双）				10.6V	12mA，3mA		500OHM @ 4.8V	810mv @ 1µA	-		2.5pf @ 5V	-
SUP60N06-12P-E3	-	RFQ	1117	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SUP60N0612PE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	60a（TC）	10V	12mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 30 V	-	3.25W（TA），100W（（（（（（（（
SI4160DY-T1-GE3	1.3500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4160		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	25.4A（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2071 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
BFR 949T E6327	-	RFQ	2534	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BFR 949			250MW		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				20dB												10V	35mA									NPN		100 @ 5mA，6v	9GHz			1db〜2.5db @ 1GHz
DTC143ZETL	0.3500	RFQ	77	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC143			150兆		EMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
2SD12800SL	-	RFQ	8592	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1280			1 w		Minip3-F1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1,000																20 v	1 a						1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，1a	180 @ 500mA，2V	150MHz
XP0621000L	-	RFQ	4299	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	XP0621			150MW		smini6-g1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	150MHz	47kohms	-
JAN2N5666U3	204.8112	RFQ	5255	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	TO-276AA	2N5666			1.2 w		U-3（to-276AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																200 v	5 a						200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
IHW20N140R5LXKSA1	3.2200	RFQ	240	Infineon技术	-	管子	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30
IRF6678TR1PBF	-	RFQ	2441	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			30 V	（30a）（TA），150A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.25V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF7805ZGTRPBF	-	RFQ	8336	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			30 V	16A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 16a，10v	2.25V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2080 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BCW68FE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1208	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
SI7636DP-T1-GE3	1.1907	RFQ	4995	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7636		MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	17A（TA）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
JANTX2N5004	-	RFQ	9479	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				2 w		TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																80 V	5 a						50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
ZXMN6A08E6QTA	0.9100	RFQ	6261	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXMN6		MOSFET （金属 o化物）			SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			60 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	80mohm @ 4.8A，10V	1V @ 250µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	459 pf @ 40 V	-	1.1W（TA）
IXXH100N60C3	18.6100	RFQ	28	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH100	标准		830 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，70a，2ohm，15V												pt	600 v	190 a	380 a	2.2V @ 15V，70a	2MJ（在）上，950µJ（OFF）	150 NC	30NS/90NS
FF800R17KE3B2NOSA1	-	RFQ	8400	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				5200 w	标准	A-IHV130-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立														-	1700 v	1200 a		2.45V @ 15V，800A				5 ma	不	72 NF @ 25 V
UNUR511500L	-	RFQ	4804	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	UNUR511			150兆		smini3-g1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	160 @ 5mA，10v	80 MHz	10 kohms
MMBT3904T-TP	0.2700	RFQ	286	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	MMBT3904			150兆		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MMBT3904T-TPTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
2SC4081RT1G	-	RFQ	5109	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4081			200兆		SC-70-3（SOT323）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						100NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	180 @ 2mA，6v	-
EMX51T2R	0.3900	RFQ	4347	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMX51			150MW		EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000																20V	200mA						100NA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，2V	400MHz
RN2507（TE85L，F）	0.4800	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	RN2507			300MW		SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						100NA（ICBO）			2（PNP- 预偏（双重）（）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
ZXT12P12DXTC	-	RFQ	6802	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	ZXT12P12D			1.04W		8-msop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																12V	3a						100NA			2 PNP （双）	270mv @ 30mA，3a	300 @ 1A，2V	85MHz
BC488BRL1G	-	RFQ	7715	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC488			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	160 @ 100mA，2V	150MHz
BFP 740FESD E6327	-	RFQ	7764	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 740			160MW		4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				9db〜31dB												4.7V	45mA									NPN		160 @ 25mA，3v	47GHz			0.5db〜1.45dB @ 150MHz〜10GHz
BF820,235	1.0000	RFQ	3703	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		SOT-23	下载						0000.00.0000	1																300 v	50 mA						10NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
CP588-2N2605-WN	-	RFQ	6283	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	表面安装	死				400兆		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP588-2N2605-WN	Ear99	8541.29.0040	1																45 v	30 ma						-				500MV @ 500µA，10mA	100 @ 10µA，5V
BC183C	-	RFQ	2501	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC183			350兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	150MHz
PDTC144TM，315	0.0200	RFQ	38	NXP半导体	*	大部分	积极的				PDTC144						下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC144TM，315-954			15,000
PDTA124TU，115	0.0200	RFQ	195	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PDTA124						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²