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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRFR2607Z	-	RFQ	5583	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR2607Z	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						75 v	42A（TC）	10V	22mohm @ 30a，10v	4V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IKB20N65EH5ATMA1	3.4300	RFQ	9819	Infineon技术	Trenchstop™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IKB20N65	标准			125 w	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，20A，32OHM，15V															80 ns	沟渠场停止	650 v	38 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	560µJ（在）（130µJ）上，OFF）	48 NC	19NS/160NS
DTA124EET1G	-	RFQ	3715	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-DTA124EET1G-2156			1
UPA2719GR-E1-A	0.9400	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
TIP35C	2.5300	RFQ	2276	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示35				125 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																					100 v	25 a							1ma	NPN	4V @ 5a，25a	10 @ 15a，4V	3MHz
NSBC124EDXV6T5G	-	RFQ	9869	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC124				500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50V	100mA							500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
DDTC114YE-7-F	0.2800	RFQ	348	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-523	DDTC114				150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
FZT1047ATC	-	RFQ	7601	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FZT1047A				2.5 w	SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																					10 v	5 a							10NA	NPN	350mv @ 25mA，5a	300 @ 1A，2V	150MHz
BC212L_J35Z	-	RFQ	2703	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC212				625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					50 V	300 MA							15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	200MHz
NSBC144EPDXV6T5	-	RFQ	9962	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC144				500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50V	100mA							500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	47kohms
AO3404A	0.3800	RFQ	2	UMW	UMW	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5.8A，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
EMD5DXV6T5G	-	RFQ	4819	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD5DXV6				500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50V	100mA							500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v / 20 @ 5mA，10V	-	4.7KOHM，47KOHM	10KOHMS，47KOHMS
SPP80N10L	-	RFQ	2547	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
SIGC81T60NCX7SA2	-	RFQ	9589	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC81T60	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				300V，100A，2.2OHM，15V																npt	600 v	100 a	300 a	2.5V @ 15V，100a	-		95NS/200NS
APT20GN60SDQ2G	6.4600	RFQ	20	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT20GN60	标准			136 w	d3pa k	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT20GN60SDQ2G	Ear99	8541.29.0095	1				400V，20a，4.3Ohm，15V															30 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	1.9V @ 15V，20A	（230µJ）（在580µJ上）	120 NC	9NS/140NS
EMD12T2R	0.4000	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	EMD12				150MW	EMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50V	100mA							500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
BC856BWHE3-TP	0.2500	RFQ	2	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856				150兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					65 v	100 ma							100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
C4H18W500AZ	150.4650	RFQ	5067	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	150 v		表面安装	SOT-1273-1			1.8GHz〜2GHz	MOSFET		SOT1273-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				20	2 n 通道（双）公共来源		-		350 MA	500W	14.6dB											-										48 v
BF512,235	-	RFQ	6563	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF512		100MHz	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933505290235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道		30mA		5 ma	-	-											1.5dB										10 v
MCG20P03-TP	0.5500	RFQ	4	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCG20P03			MOSFET （金属 o化物）		DFN3333	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道						30 V	20a	4.5V，10V	20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	28.7 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 15 V	-	21W（TC）
2SA1450T-AA	-	RFQ	9110	Sanyo	*	大部分	过时的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SA1450T-AA-600057			1
IHW15N120R2	-	RFQ	1302	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW15	标准			357 w	PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000212014	Ear99	8541.29.0095	240				600V，15a，14.8Ohm，15V																沟渠场停止	1200 v	30 a	45 a	1.75V @ 15V，15a	900µJ（离）	133 NC	- /282ns
2n65g	0.6600	RFQ	2	UMW	UMW	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99		2,500		n通道						650 v	2A（TJ）	10V	5.5OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	311 PF @ 25 V	-	-
mpsa92rlrag	-	RFQ	1032	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA92				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					300 v	500 MA							250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
FZT690BQTA	0.4262	RFQ	9827	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					1.2 w	SOT-223	下载			到达不受影响	31-FZT690BQTATR	Ear99	8541.29.0075	1,000																					45 v	3 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，1a	500 @ 100mA，2V	150MHz
MMST4403	0.0160	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	SC-70，SOT-323					200兆	SOT-323	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMST4403TR	Ear99		3,000																					40 V	600 MA							100NA	PNP	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
DDTA144GE-7	0.3500	RFQ	5	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					DDTA144						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC817-25-13P	0.0247	RFQ	7977	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817				300兆	SOT-23	下载				353-BC817-25-13P	Ear99	8541.21.0075	1																					45 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
BC182LB_D74Z	-	RFQ	2570	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC182				350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																					50 V	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
CXT5401-TP	0.0862	RFQ	8511	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CXT5401				500兆	SOT-89	下载				353-CXT5401-TP	Ear99	8541.21.0075	1																					150 v	500 MA							50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 1mA，5v	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²