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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
VS-GA400TD60S	-	RFQ	6642	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GA400		1563 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGA400TD60S	Ear99	8541.29.0095	12	半桥												-	600 v	750 a	1.52V @ 15V，400A	1 MA	不
STFI10LN80K5	-	RFQ	8967	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	STFI10LN	MOSFET （金属 o化物）			I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	800 v	8A（TC）	10V	630MOHM @ 4A，10V	5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±30V	427 PF @ 100 V	-	20W（TC）
PBSS4032NZ，115	0.7400	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PBSS4032		2 w		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														30 V	4.9 a		100NA		NPN	340mv @ 270mA，5.4a	250 @ 2a，2v	145MHz
APT4F120	4.9000	RFQ	150	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT4F120	MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT4F120S	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	4A（TC）	10V	4.2OHM @ 2A，10V	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±30V	1385 PF @ 25 V	-	175W（TC）
Bul45g	-	RFQ	3399	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul45		75 w		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	bul45gos	Ear99	8541.29.0095	50														400 v	5 a		100µA		NPN	400mv @ 400mA，2a	14 @ 300mA，5V	12MHz
PDTA114ET-QVL	0.0254	RFQ	5226	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA114		250兆		TO-236AB	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PDTA114ET-QVLTR	Ear99	8541.21.0075	10,000														50 V	100 ma		1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	180 MHz	10 kohms	10 kohms
BC560BBU	-	RFQ	1804年	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC560		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000														45 v	100 ma		15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
BSS5130AHZGT116	0.5300	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS5130		200兆		SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	1 a		100NA（ICBO）		PNP	380mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
umz1ntr	0.4400	RFQ	80	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMZ1		150MW		UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50V	150mA		100NA（ICBO）		NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA / 500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	180MHz，140MHz
2SB1184TLQ	0.3795	RFQ	9833	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1184		1 w		CPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500														60 V	3 a		1µA（ICBO）		PNP	1V @ 200mA，2a	120 @ 500mA，3v	70MHz
2N3725A PBFRE	-	RFQ	2483	中央半导体公司	-	盒子	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		到39	下载				1514-2N3725APBFRE	Ear99	8541.29.0095	500														50 V	1.2 a		10µA		NPN	900mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	300MHz
2SD09660R	-	RFQ	1448	松下电子组件	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SD096		1 w		TO-92L-A1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	200														20 v	5 a		100NA（ICBO）		NPN	1V @ 100mA，3a	340 @ 500mA，2V	150MHz
PZTA44-QX	0.1954	RFQ	4808	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.35 w		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PZTA44-QXTR	Ear99	8541.29.0095	1,000														500 v	300 MA		100NA（ICBO）		NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	20MHz
MUN5237DW1T1G	0.2300	RFQ	9836	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MUN52					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MPS2111	-	RFQ	7622	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
MMBT2907ALT1HTSA1	0.3800	RFQ	69	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2907		330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														60 V	600 MA		10NA（ICBO）		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2N4401_S00Z	-	RFQ	5431	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4401		625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														40 V	600 MA		-		NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
XN0460100L	-	RFQ	6246	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	XN0460		300MW		Mini6-G1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000														50V	100mA		100µA		NPN，PNP	300mv @ 10mA，100mA / 500mv @ 10mA，100mA	160 @ 2mA，10v	150MHz，80MHz
BC817K-40WE6327	-	RFQ	9069	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		500兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000														45 v	500 MA		100NA（ICBO）			700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
pumd4-qx	0.0544	RFQ	7065	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMD4		200MW		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-pumd4-qxtr	Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA		1µA		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V	-	10KOHMS	-
MJF47	-	RFQ	8965	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MJF47		2 w		TO-220FP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJF47OS	Ear99	8541.29.0095	50														250 v	1 a		200µA		NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
BD680AS	-	RFQ	3520	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD680		14 W		TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000														80 V	4 a		500µA		pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
MJE5730	-	RFQ	4048	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE57		40 W		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE5730OS	Ear99	8541.29.0095	50														300 v	1 a		1ma		PNP	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
BDW46	-	RFQ	3550	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BDW46		85 w		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														80 V	15 a		2mA		pnp-达灵顿	3V @ 50mA，10a	1000 @ 5A，4V	4MHz
MJF15030	-	RFQ	9386	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MJF15		2 w		TO-220FP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50														150 v	8 a		10µA		NPN	500mv @ 100mA，1a	20 @ 4A，2V	30MHz
QS8K21TR	0.9400	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8K21	MOSFET （金属 o化物）	550MW		TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		45V	4a		53MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	5.4NC @ 5V		460pf @ 10V	逻辑级别门
IRFU5505	-	RFQ	9485	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道	55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IXFK32N60	-	RFQ	2082	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32	MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	32A（TC）	10V	250mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	325 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
DXTN22040CFGQ-7	0.5700	RFQ	6643	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			1.1 w		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000														40 V	2 a		50NA		NPN	600mv @ 300mA，3a	200 @ 500mA，2V	200MHz
sta485a	-	RFQ	5045	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	10-sip	STA485		4W		10-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		STA485A DK	Ear99	8541.29.0075	800														100V	1a		10µA（ICBO）		4 npn darlington（四Quad）	1.5V @ 1mA，500mA	2000 @ 500mA，4V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²